三极管贴片封装Word文件下载.docx
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n-chmosfet30V0.9A
MMBT2222
PMBT2222
SMBT2222
YTS2222
BC846BW
BC846BT
PXT2222
-1B
PMST2222
1B-
>
BC846BW
1Bp
1Bs
SC74
BC817UPN
1Bt
1C
FMMT-A20
MPSA20
IRLML6302
p-chmosfet20V0.6A
MMBTA20
MMBTA20L
MPS3904
SMBTA20
1Cp
BAP50-05
B
dualccGPRFpindiode
1Cs
SOT363
BC847S
BC457
1D
BC846
IRLML5103
p-chmosfet30V0.6A
MMBTA42
MPSA42300Vnpn
SMBTA42
BC846W
SXTA42
1D-
BC456
1DN
2SC4083
npn11V3.2GHzTVtuners
1Dp
1DR
SC59
MSD1328-RT1
SOT346
MSD1328R
npngp25V500mA
1Ds
BC846U
1Dt
1E
FMMT-A43
MPSA43
BC847A
BC547A
MMBTA43
MPSA43200Vnpn
SMBTA43
BC847AW
BC847AT
SXTA43
1E-
1EN
2SC4084
npn20V2.0GHzTVtuners
1Ep
1ER
SOT23R
BC847AR
R
1Es
1Et
1F
BC847B
BC547B
FMMT5550
MMBT5550
2N5550140Vnpn
PMBT5550
BC847BW
BC847BT
1F-
1Fp
1FR
BC847BR
1Fs
SC75
1Ft
1G
FMMT-A06
MPSA06
BC847C
BC547C
MMBTA06
SMBTA06
BC847CW
BC847CT
1G-
1GM
1Gp
1GR
BC847CR
1Gs
1GT
SOA06
1Gt
1H
FMMT-A05
MPSA05
BC847
MMBTA05
SMBTA05
BC847W
1H-
BC547
1Hp
1Ht
1HT
SOA05
1J
FMMT2369
2N2369
BC848A
BC548A
MMBT2369
MPS2369
1JA
MMBT2369A
MPS2369A
1JR
BC848AR
1Js
SOT143
BCV61A
VQ
npncurrentmirrorhFe180
BC848AW
1K
FMMT4400
2N4400
BCV61B
BC848B
BC548B
MMBT6428
MPSA1850V
PMBT6428
SMBT6428
BC848BW
1KM
MMBT6428L
1Kp
1KR
BC848BR
1Ks
SOT143B
npncurrentmirrorhFe290
1L
FMMT4401
2N4401
MMBT6429
MPSA1845V
BCV61C
npncurrentmirrorhFe520
BC848C
BC548C
FMMT5400
PNP
PMBT6429
SMBT6429
BC848CW
1Lp
1LR
BC848CR
1Ls
1M
BCV61
BC848
FMMT-A13
MPSA13
MMBTA13
MPSA13darlington
PMBTA13
SMBTA13
BC848W
1Mp
npncurrentmirror
BC548
1N
FMMT-A14
MPSA14
MMBTA14
MPSA14darlington
PMBTA14
SMBTA14
PXTA14
1N10
SOT223
MMFT1N10ET1
MOSFET
1P
BC847PN
DI
pnp/npnseparatepairgpAF
FMMT2222A
2N2222A
MMBT2222A
PMBT2222A
SMBT2222A
YTS2222A
PKT2222A
1Q
FMMT5088
MMBT5088
MPSA18Vce30V
PMBT5088
半导体三极管参数符号及其意义
三极管基础知识及检测方法:
一、晶体管基础
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。
正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流IC。
在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于VBE很小,所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。
当VDS≠0时,源漏电极之间有较大的电流IDS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。
当VGS>
VT并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。
二、晶体管的命名方法
晶体管:
最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。
按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。
多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:
如3AX31,第一位3代表三极管,2代表二极管。
第二位代表材料和极性。
A代表PNP型锗材料;
B代表NPN型锗材料;
C为PNP型硅材料;
D为NPN型硅材料。
第三位表示用途,其中X代表低频小功率管;
D代表低频大功率管;
G代表高频小功率管;
A代表高频大功率管。
最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。
注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同。
对于二极管来说,第三位的P代表检波管;
W代表稳压管;
Z代表整流管。
上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。
对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。
三、常用中小功率三极管参数表
型号
材料与极性
Pcm(W)
Icm(mA)
BVcbo(V)
ft(MHz)
3DG6C
SI-NPN
0.1
20
45
100
3DG7C
0.5
100
60
3DG12C
0.7
300
40
300
3DG111
0.4
20
3DG112
60
3DG130C
0.8
150
3DG201C
0.15
25
C9011
30
50
15
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- 关 键 词:
- 三极管 封装
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