12V转交流220V逆变器工作原理Word格式文档下载.docx
- 文档编号:22119146
- 上传时间:2023-02-02
- 格式:DOCX
- 页数:10
- 大小:144.86KB
12V转交流220V逆变器工作原理Word格式文档下载.docx
《12V转交流220V逆变器工作原理Word格式文档下载.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《12V转交流220V逆变器工作原理Word格式文档下载.docx(10页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。
下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
电路图
(1)
工作原理:
这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。
一、方波的产生
这里采用CD4069构成方波信号发生器。
电路中R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。
电路的震荡是通过电容C1充放电完成的。
其振荡频率为f=1/2.2RC。
图示电路的最大频率为:
fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz,最小频率为fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。
由于元件的误差,实际值会略有差异。
其它多余的发相器,输入端接地避免影响其它电路。
图2
二、场效应管驱动电路。
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V,为充分驱动电源开关电路,这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。
如图3所示。
图3
三、场效应管电源开关电路。
场效应管是该装置的核心,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。
MOS场效应管也被称为MOSFET,即MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。
它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的是增强型MOS场效应管,其内部结构见图4。
它可分为NPN型和PNP型。
NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。
由图可看出,对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
图4
为解释MOS场效应管的工作原理,我们先了解一下仅含一个P—N结的二极管的工作过程。
如图5所示,我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。
这是因在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。
同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流流过,二极管截止。
图5
对于场效应管(图6),在栅极没有电压时,有前面的分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处于截止状态(图6a)。
当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图6b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。
我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为他们之间搭了一座桥梁,该桥梁的大小由栅压决定。
图8给出了P沟道场效应管的工作过程,其工作原理类似这里就不再重复。
图6
下面简述一下用C—MOS场效应管(增强型MOS场效应管)组成的应用电路的工作过程(见图8)。
电路将一个增强型P沟道MOS场校官和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。
当输入端为底电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。
当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。
在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。
通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。
同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1V到2V时,MOS场效应管即被关断。
不同场效应管关断电压略有不同。
也以为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
图8
图9
以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管部分的工作过程(见图9)。
工作原理同前所述,这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时,会在变压器的高压侧感应出高压交流电压,完成直流到交流的转换。
这里需要注意的是,在某些情况下,如振荡部分停止工作时,变压器的低压侧有时会有很大的电流通过,所以该电路的保险丝不能省略或短接。
电路板见图11。
所用元件可参考图12。
逆变器的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。
P沟道MOS场效应管(2SJ471)最大漏极电流为30A,在场效应管导通时,漏—源极间电阻为25毫欧。
此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。
N沟道MOS场效应管(2SK2956)最大漏极电流为50A,场效应管导通时,漏—源极间电阻为7毫欧,此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。
由此我们也可知在同样的工作电流情况下,2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。
所以在考虑散热器时应注意这点。
图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器(100mm×
100mm×
17mm)上的位置分布和接法。
尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大,出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。
图11
图12
图13
图14
四、逆变器的性能测试
测试电路见图15。
这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大(一般大于100A)的12V汽车电瓶,可为电路提供充足的输入功率。
测试用负载为普通的电灯泡。
测试的方法是通过改变负载大小,并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。
其测试结果见电压、电流曲线关系图(图15a)。
可以看出,输出电压随负荷的增大而下降,灯泡的消耗功率随电压变化而改变。
我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。
但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变,并且输出电压、电流也不是正弦波,所以这种的计算只能看作是估算。
以负载为60W的电灯泡为例:
图15
图16、17
假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。
因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω,所以在电压为208V时,W=V2/R=2082/735=58.9W。
由此可折算出电压和功率的关系。
通过测试,我们发现当输出功率约为100W时,输入电流为10A。
此时输出电压为200V。
逆变器电源效率特性见图15b。
图16为逆变器连续100W负载时,场效应管的温升曲线图。
图17为不同负载时输出波形图
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 12 转交 220 逆变器 工作 原理