晶体管的电流分配问题和放大作用Word格式.docx
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内部条件:
晶体管结构上的特点外部条件:
晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。
P区接正,N区接负;
N区接正,P区接负。
(一)晶体管内部载流子的运动1.发射区向基区注入电子的过程载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子,形成电流iE≈iEn.2.电子在基区的扩散过程注入的电子在扩散的过程中,极少数与基区的空穴复合形成iB,绝大部分扩散到集电结边界。
3.电子被集电级收集的过程电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结,形成iCn.集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移,形成ICBO。
(二)晶体管的电流分配关系
晶体管各极的电流构成:
发射极电流iE大部分流入集电极形成iCn。
令
则
(1)当iB=0时,iC=ICEO。
称ICEO为穿透电流
(2)当ICEO≈0,则iC≈iB即
代表iB对iC的控制作用,
越大,控制作用越强。
(三)晶体管的放大作用
本质:
电流控制作用,即iB对iC或iE对iC的控制作用。
在集电极回路中串接一个负载电阻,就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。
集电极回路中接入的负载电阻上,仍可得到较大的输出信号电压。
(四)关于PNP型晶体管
1.电源极性不同:
NPN型电流从集电极流向发射极2.电流方向不同:
PNP型电流从发射极流向集电极
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