河南科技大学学年第一学期电子科学与技术专业简单电子线路测试题文档格式.docx
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C、稳压
7.在共发射极放大电路中,输出电压U0和输入电压Ui相位()。
A、相同
B、相反(正确答案)
C、无法确定
8.三极管输出特性曲线中,当IB=0时,IC等于()?
A、ICM
B、ICBO
C、ICEO(正确答案)
9.工作在放大状态的三极管可作为()器件来用。
A、放大(正确答案)
B、开关
10.NPN型三极管处于放大状态时,各极电压关系是()。
AUC>
UE>
UB
BUC>
UB>
UE(正确答案)
CUC<
UB<
UE
11.如图3-4所示电路中,E=()。
?
A.3V
B.-4V
C.4V(正确答案)
D.-3V
12.电容器是一种常用的电子元件.对电容器认识正确的是()?
A、电容器的电容表示其储存电荷的能力(正确答案)
B、电容器的电容与它所带的电荷量成正比
C、电容器的电容与它两极板间的电压成正比
D、电容的常用单位有μF和pF,1μF=103pF
13.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是()。
A、NPN的集电极(正确答案)
B、PNP的集电极
C、NPN的发射极
14.光电二极管工作时,应加()?
A、正向电压
B、反向电压(正确答案)
C、反向电压或正向电压
15.有一只电容器的规格是“104J”,那么()?
A、这只电容器的电容量是0.1uf(正确答案)
B、这只电容加上25v时,它的电容量就有100uf
C、这只电容器的电容量是0.01uf
16.三极管的输出特性曲线是簇曲线,每一条曲线都与()对应。
A、IC
B、IE
C、IB(正确答案)
17.为防止失真,放大器发射结电压直流分量UBEO应比输入信号峰值(`),并且要()发射结的死区电压。
A、大、大于(正确答案)
B、小、小于
C、大、小于
D小、大于
18.二极管的正向接法是二极管的()极接电源的正极,()极接电源的负极,反向接法时相反?
A、正、负(正确答案)
B、阴、阳
C、负、正
19.半导体按导电类型分为()型半导体和()型半导体?
A、PNP、NPN
B、P、N(正确答案)
20.发光二极管将()信号转换成()信号?
A、电、光(正确答案)
B、光、点
21.已知电源为6v,现将一个1k的电阻和一个发光二极管串联接到这个电源中,测得发光二极管正常工作时两端的电压为2v,此时流过电阻的电流是多少()。
A.3A
B.3uA
C.6uA
D.4uA(正确答案)
22.当硅晶体二极管加加上0.4V正向电压时,该晶体二极管相当于()?
A、很小的电阻
B、很大的电阻(正确答案)
C、短路
23.三极管放大作用的实质是()?
A、三极管可以把小电流放大成大电流
B、三极管可以把小电流放大成大电压
C、三极管可以用较小的电流控制较大的电流(正确答案)
24.用直流电压表测量NPN型晶体三极管各极电位是UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该晶体三极管的工作状态是()?
A、截止状态
B、饱和状态(正确答案)
C、放大状态
25.电源电动势是5V,内电阻是0.1Ω,当外电路断路时,电路中的电流和端电压分别是()。
A、0A、2V
B、20A、2V
C、20A、0V
D、0A、5V(正确答案)
26.三极管是一种()的半导体器件。
A、电流控制
B、电压控制(正确答案)
C、功率控制
27.锗晶体三极管的发射结的导通电压约为()。
A、0.2V
B、0.3V(正确答案)
28.用电压表测得电路端电压为0,这说明()。
A、外电路断路
B、外电路短路(正确答案)
C、外电路上电流比较小
D、电源内电阻为零
29.交流电通过单相整流电路后,得到的输出电压是()。
A、交流电压
B、稳定的直流电压
C、脉动直流电压(正确答案)
30.晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而()。
A、增大(正确答案)
B、减小
C、不变
31.画放大电路的交流通路时,把电容看成()。
A、开路
B、短路(正确答案)
32.对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻()些,以减轻信号源的负担。
A、大(正确答案)
B、小
33.画放大电路的交流通路时,把直流电源看成()。
34.对于一个放大电路来说,一般希望其输出电阻些,以增大带负载的能力。
()?
A、大
B、小(正确答案)
35.满足IC=βIB的关系时,晶体三极管工作在()?
A、饱和区
B、放大区(正确答案)
C、截止区
36.画放大电路的直流通路时,把电容看成()。
A、开路(正确答案)
B、短路
37.图3-3中,I=()。
A.2A
B.7A(正确答案)
C.5A
D.6A
38.晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将()?
A、随基极电流的增加而增加
B、随基极电流的增加而减小
C、与基极电流变化无关,只取决于UCC和RC(正确答案)
39.滤波电路一般接在()电路的后面。
A、整流(正确答案)
B、稳压
C、交流
40.当晶体三极管的发射结反偏,该管工作在()?
A、放大状态
B、饱和状态
C、截止状态(正确答案)
41.已知R1>
R2>
R3,若将此三只电阻并联接在电压为U的电源上,获得最大功率的电阻将是()。
A、R1(正确答案)
B、R2
C、R3
D、一样大
42.将图两个4kΩ的电阻并联后,阻值为()。
A.100Ω
B.2KΩ(正确答案)
C.1KΩ
D.500Ω
43.单相桥式整流电路中,每个二极管的平均电流等于()。
A、输出电流平均值的1/4
B、输出平均电流的1/2(正确答案)
C、输出平均电流
44.
给内阻为9kΩ、量程为1V的电压表串联电阻后,量程扩大为10V,则串联电阻为()。
A、1kΩ
B、90kΩ
C、81kΩ(正确答案)
D、99kΩ
45.有一只电容器的规格是“103J”,那么()?
A、这只电容器的电容量是103f
B、这只电容器的电容量是1f
C、这只电容器的电容量是0.01uf(正确答案)
D、这只电容器的电容量是0.1uf
46.下列关于电容器说法错误的是()?
A、电容有充电放电功能
B、能用于滤波电路
C、电容不具有单向导电性(正确答案)
D、电容一定有正负极
47.导体的电阻是导体本身的一种性质,以下说法错误的是()。
A.和导体的面积有关
B.和导体的长度有关
C.和环境温度无关(正确答案)
D.和材料性质有关
48.放大器中晶体三极管静态工作点是IBQ、ICQ和()?
A、UCEQ(正确答案)
B、UBCQ
C、UBEQ
49.下列有关用万用表测量电阻的说法中,正确的是()。
A.刻度是线性的
B.指针偏转到最右端时,电阻为无穷大
C.指针偏转到最左端时,电阻为无穷大(正确答案)
D.未测量时指针停在零刻度线处
50.标明“100Ω/16W”和“100Ω/25W”的两个电阻并联时两端允许加的最大电压是()。
A、40V(正确答案)
B、50V
C、90V
D、10V
51.常用的半导体材料是锗和硅。
[判断题]
对(正确答案)
错
52.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类。
53.PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
54.PN结正向偏置时电阻大,反向偏置时电阻小。
对
错(正确答案)
55.二极管的N区引出端叫正极。
56.锗二极管的死区电压约0.2V。
57.二极管的主要特性是单向导电性。
58.硅二极管的死区电压约0.7V。
59.有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明二极管已短路。
60.无论是哪能种类型号的晶体二极管,其正向电压都不得为0.3V左右。
61.常用的半导体材料是钢和铁。
62.半导体随温度的升高,电阻会增大。
63.二极管的正向接法是阳极接电源的负极,阴极接电源的正极。
64.在通路的状态下,负载电阻变大,端电压就变大。
65.如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管会被击穿。
66.电荷定向有规则的移动形成电流。
67.几个电阻并联后的总电阻值一定小于其中任一个电阻的阻值。
68.晶体二极管的反向饱和电流越小,二极管的质量越好。
69.光电二极管使用时都应接反向电压。
70.一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。
71.锗二极管导通时的正向压降为0.2V。
72.当电源的内阻为零时,电源、电动势的大小就等于电源端电压。
73.在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较差。
74.PN结反向偏置时,反向电流随反向电压增大而增大。
75.二极管的正向接法是阳极接电源的正极,阴极接电源的负极。
76.电路中任意一点不一定都有电位。
77.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会被烧坏。
78.二极管实质就是一个PN结。
79.有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明二极管已断路。
80.两个额定电压相同的电炉,R1>
R2,因为P=I2R,所以电阻大的功率大。
81.39.锗二极管的死区电压约0.3V。
82.晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
83.晶体二极管具有单向导电性。
84.PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。
85.硅二极管导通时的正向压降0.7V。
86.PN结正偏时,P区接电源的正极,N区接电源的负极。
87.二极管的N区引出端叫负极。
88.半导体随温度的升高,电阻会减小。
89.PN结反偏时,P区接电源的正极,N区接电源的负极。
90.按晶体二极管所用的材料可分为锗二极管和硅二极管两类。
91.二极管的主要特性是双向导电性。
92.半导体按导电类型分为P型半导体和N型半导体。
93.PN结正偏时,P区接电源的极负,N区接电源的正极。
94.无论是哪能种类型号的晶体二极管,其正向电压都为0.3V左右。
95.锗二极管导通时的正向压降为0.3V。
96.在电源电压一定的情况下,电阻大的负载是大负载。
97.硅二极管导通时的正向压降0.5V。
98.当电路开路时,电源电动势的大小为零。
99.硅二极管的死区电压约0.5V。
100.在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常低于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较好。
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