常用电子元器件的认识Word格式.docx
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金
银
数字
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-1
-2
四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍
数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.
例1:
有一电阻器,色环颜顺序为:
棕,黑,橙,银,则阻值为:
10X10±
10%(Ω)
6.误差代码
Tolerance
±
1%
±
2%
2.5%
3%
5%
10%
20%
Symbols
F
G
H
I
J
K
M
7.电阻的分类
(1).碳膜电阻
(2).金属膜电阻(保险丝电阻)
(3).金属氧化膜电阻
(4).绕线电阻
(5).保险丝
二:
电容器英文Capacitor
1.电路符号
(a)(b)
(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.
2.电容慨念
电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:
C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).
电容器可分为:
陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.
4.主要性能参数
(1)标准容量及允许偏差
(2)额定电压
(3)损耗系数DF值
DF=P耗/P总
P耗为充放电损耗功率,P总为充放电总能量.
(4)温度系数
5.标注方法
(2)色标法:
类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF
6.多层陶瓷电容器电介质分类
NPO(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒
X7R(2X1):
二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.
Y5V(2F4):
二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.
7.PlasticFilmCapacitors
(1).PolystyreneFilmCapacitor(聚苯乙烯膜電容器)
Highprecisionofcapacitance.
LowdissipationfactorandlowESR.
Highinsulationresistance
HighstabilityofcapacitanceandDFVStemperatureandfrequency.
(2)PolyesterFilmCapacitor(聚乙烯膜電容器)
Highmoistureresistance
Goodsolderability
Availableontapeandreelforautomaticinsertion
ESRisminimized.
(3)MetallizedPolyesterFilmCapacitor(金屬化聚乙烯膜電容器)
Highmoistureresistance.
Goodsolderability.
Non-inductiveconstructionandsell-healingproperty.
(4)PolypropyleneFilmCapacitor(聚丙烯膜電容器)
Lowdissipationfactorandhighinsulationresistance.
Lowequivalentseriesresistance.
Non-inductiveconstruction
8.X電容
9.Y電容
三.电感器(英文Choke即线圈)
1.电路符号
(普通电感无极性)
2.主要参数
(1)电感量及允许偏差
(2)品质因子(Q值)
感抗xL=WL=2πfLQ=2πfL/RQ即为品质因子
可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器
四.半导体二极管(英文Diode)
DIODE
Test#
Description
VF
Forwardvoltage
IR
Reversecurrentleakage
BVR
Breakdownvoltage
2.单向导电性
二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.
3.结构
是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,PN结具有单向导电性.
4.种类
(1)普通二极管
(2)发光二极管(3)稳压二极管(4)变容二极管(6)肖特基二极管
5.主要参数
(1)最大平均整流电流IF:
表征二极管所能流过的最大正向电流.在一
个周期内的平均电流值不能超过IF,否则二极管将会烧坏.
(2)最大反向工作电压VR
(3)反向电流IR:
是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值
(4)工作频率:
表示二极管在高频下的单向导电性能.
五.稳压二极管
ZENER
BVZ
MinimumZenervoltage.(Usetest#5)
MaximumZenervoltage.(Usetest#5)
BVzwithprogrammablesoak
ZZ
1KHzZenerImpedance(requiresZZ-1000orModel5310)
i
1.电路符号
(图一)(图二)
2.稳压原理
从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.
3.主要参数
(1)稳定电压
(2)稳定电流:
稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差
些.
(3)额定功率损耗
(4)电压温度系数
(5)动态电阻
六.半导体三极管(又称晶体三极管)
TRANSISTOR
hFE
Forward-currenttransferratio
VBE
Baseemittervoltage(seealsoAppendixF)
IEBO
Emittertobasecutoffcurrent
VCESAT
Saturationvoltage
ICBO
Collectortobasecutoffcurrent
ICEO
Collectortoemitercutoffcurrent
ICER,
withbasetoemiterload,
ICEX,
reversebias,or
ICES
short(seealsoAppendixF)
BVCEO
Breakdownvoltage,collectortoemitter,
BVCER
BVCEX
BVCES
BVCBO
Breakdownvoltage,collectortobase
BVEBO
Breakdownvoltage,emittertobase
10
VBESAT
Baseemittersaturationvoltage
(a)NPN(b)PNP
2.结构集电极
(a)NPN
结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个PN结,即集电结和发射结,基结3个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic,基极电流Ib,发射极电流Ie,Ie=Ib+IcIc=βIb,β为三极管电流放大倍数.
3.工作原理
(1)NPN
(2)PNP(3)共发射极输出特性曲线
(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>
E2,即NPN型三极管Vc>
Vb>
Ve,
PNP型三极管Vc<
Vb<
Ve.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)
(2)截止
Ib≦0的区域称截止区,UBE<
0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使UBE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.
(3)饱和区
当VCE<
VBE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.
饱和压降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,锗管UCE(sat)≒0.1V
4.
主要参数
(1)共发射极直流电流放大系数β,即Hfe,β=IC/IB
(2)共发射极交流电流放大系数β.β=ΔIC/ΔIB
(3)集电极,基极反向饱和电流ICBO
(4)集电极,发射极反向饱和电流ICEO,即穿透电流
(5)集电极最大允许功耗PCM
(6)集电极最大允许电流ICM
(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO
(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO
(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO
七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)
SCR
IGT
Gate-triggercurrent
IGKO
Reversegatecurrent
VGT
Gate-triggervoltage
BVGKO
Reversegaetbreakdownvoltage
IDRM
ForwardBlockingcurrent
IRRM
ReverseBlockingcurrent
IL
Latchingcurrent
11
IH
Holdingcurrent(seealsoAppendixF)
13
VTM
Forwardonvoltage
15
VDRM
Forwardblockingvoltage
16
VRRM
Reverseblockingvoltage
电路符号
AK
阳极G控制极阴极
2.工作原理
(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.
(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.
(3)导通后,UAK=0.6~1.2V
(4)要使导通的可控硅截止,得降低UAK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流IH时,可控硅仍能截止.
(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压
(2)通态平均电压UF,约为0.6~1.2V
(3)擎住电流Ica—由断态至通态的临界电流.
(4)维持电流IH:
从通态至断态的临界电流
(5)控制极触发电压UG,一般1~5V
(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.
八.变压器
变压器是变换电压的器件
..
L1L2
(a)
(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.
1.结构
构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的.3.工作原理
当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.
4.主要参数
(1)变匝比:
变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:
U2/U1=N2/N1=NN为变压器的变压比
(2)效率
是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,
即η=Po/Pi*100%
(3)电压,电流的关系
若η=100%,则有P2=P1,式中:
P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:
U2/U1=I1/I2=N2/N1=N
九.光电藕合器(英文PHOTOCOUPLE)
OPTOCOUPLER
(RequiresOptoAdapter)
LCOFF
Collectortoemitterdarkcurrent
LCBO
Collectortobasedarkcurrent
Breakdownvoltage,collectortoemitter
HFE
Forwardcurrenttransferratio,transistor
Saturationvoltage,basedriven
Reversecurrent
CTR
Currenttransferratio,coupled
VSAT
Saturationvoltage,coupled
光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光
敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.
2.
当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.
IF
ICIC/IF=CTR
十.场效应管
JEFT
VGSOFF
Gatetosourcecutoffvoltage.
lDss
Zerogatevoltagedraincurrent.
BVDGO
Draintogatebreakdownvoltage.
IGSS
Gatereversecurrent.
IDGO
Draintogateleakage.
IDOFF
Draincut-offcurrent.
BVGSS
Gatetosourcebreakdownvoltage.
VDSON
Draintosourceon-statevoltage.
场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体
三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.
场效应管分为:
结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGFET)两
大类.
结型应管
结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下
dd结型场效应管有三极:
珊极
gg源极
N型sP型s漏极
二.工作原理
结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.
三.结型场效应管的主要参数
1.夹断电压UDS(off),当UDS等于某一个定值(10v),使Id等于某一
个微小电流(如50uA)时,源极间所加的UGS即为夹断电压.
UDS(off)一般为1~10V
2.饱和漏极电流IDS:
当UGS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电
流.
3.直流输入电阻RGS
4.低频跨导GM
5.漏源击穿电压U(BR)DS
6.珊源击穿电压U(BR)GS
7.最大耗散功率PDM
绝缘珊场效应管
MOSFET
VGSTH
Thresholdvoltag
IDss
lDSx
withgatetoSourcereversebias.
BVDss
DraintoSourcebreakdownvoltage.
DraintoSourceon-statevoltage.
IGSSF
GatetoSourceleakagecurrentforward.
IGSSR
GatetoSourceleakagecurrentreverse.
VF
Diodeforwardvoltage.
VGSF
GatetoSourcevoltage(forward)
requiredforspecifiedInatspecifiedVos.
(seeSISQAppendixF)
VGSR
GatetoSourcevoltage(reverse)
requiredforspecifiedIDatspecifiedVDS.
(seealsoAppendixF)
On-statedraincurrent
VGSON
On-stategatevoltage
一.结构和符号
它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS管,其工作原理类似于结型场效应管.
符号和极性
diDiD
gb
ss
(1)增强型NMOS
(2)增强型PMOS
iDiD
g
(3)耗尽型NMOS(4)耗尽型PMOS
二.主要参数
1.漏源击穿电压BVDS
2.最大漏极电流IDMSX
3.阀值电压VGS(开启电压)
4.导通电阻RON
5.跨导(互导)(GM)
6.最高工作濒率
7.导通时间TON和关断时间
十一.集成电路(英文IntegraedCircuit缩写为IC)
集成电路按引脚分别为:
单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成电路,四列集成电路,反向分布集成电路.
下列介绍几种IC
(一).TL431它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:
阴极(K)
参考输入端®
(a)阳极(A)
TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V的基准电压,当UR>
2.5时,
K,A极处于导通状态,当UR<
2.5V时,K,A极截止.
+K
R-
A
(b)
(二).PWM开关电源的集成电路(IC)片
1.DNA1001DP
共16Pin,各Pin功能如下:
1).CS
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