半导体管特性图示仪的使用Word文档下载推荐.docx
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中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC,
用图4-2(b)所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐
点改变基极电流的可变电压EB,将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上,
这样一来,荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理
当显示如图4-3所示的NPN型晶体管共发射极输出特性曲线时,图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4所示.T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,
由它产生基极阶梯电流ib集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器
的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经
取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大
加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水
平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic平面.
图4-4输出特性曲线显示电路
输出特性曲线的显示过程如图4-5所示
当t=0时,iB=0ic=0UCE=0两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上
光点的位置为坐标原点。
在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS处于第一个正弦半波周期。
图4-5晶体管输出特性曲线的显示过程
UCE开始由零逐渐增大到最大值,然后再由最大值逐渐减少到零,它在水平方向上影
响电子束,由于这段时间内iB=IBO=0,ic=ICEO,其大小决定于被测晶体管本身的
特性,且随UCE而变,它在垂直方向上使电子束发生相应的偏转。
因为UCE在水平方
向上和ic在垂直方向上对电子束的作用是同时存在的,二者作用的结果,使光点从
坐标原点出发,沿着向右上方伸展的一条曲线逐渐移到最大,再由最大沿原路逐渐
回到坐标原点,这条曲线(光点移动的轨迹)就是iB=IBO=0所对应的那条输出特性曲
线。
在正弦半波的第一个周期刚刚结束,第二个周期刚开始的t1时,ib值从零跳变到IB1。
在t1-t2这段时间内,集电极扫描电压处于正弦半波的第二个周期,它在水平方
向上对电流束的影响与0-t1的一样,由于t1-t2这段时间内iB=IB1值恒定不变,所以ic
的大小仅取决于管子本身的特性和UCE的变化,并在垂直方向上使电子束发生
相应的偏转,UCE和ic对电子束作用的结果,使得荧光屏上的光点从坐标原点出发,沿
着向右上方伸展的另一条曲线逐渐移到最大,在由最大沿原路逐渐移回到坐标原点。
这条曲线就是ib=IB1所对应的输出特性曲线。
在第二个周期的正弦半波扫描电压刚刚结束,第三个周期刚开始的t2时刻,ib值从IB1跳
变到IB2。
在t2-t3这段时间内,由扫描电压的第三个正弦半波进行扫描,且ib=IB2,光点移动的轨迹ib=IB2所对应的那条输出特性曲线。
就这样,ib每取一个值,就有一个周期的正弦半波进行扫描,光点移动的轨迹就是
一条新的特性曲线,基极电流有几个取值(包括ib=0),光点就要依次扫过几条曲线,
例如图4-5中,光点要依次扫过七条曲线。
当最后一条曲线扫完后,光点回到原点,
ib值的跳变完成一个周期又跳回到ib=IB0=0的状态,以后便重复上述过程,光点开始第
二次依次扫过iB=0,iB=IB1,iB=IB2所对应的输出特性曲线。
以上的讨论可以看到,在基极阶梯电流的每一个周期内,光点要依次扫过每条输出
特性曲线一个往返。
当基极阶梯电流的频率足够高(周期足够短),即单位时间内光点
扫过的每条曲线得次数足够多时,借助于示波管的余辉时间和人眼的视觉暂留,我们就
能看到输出特性曲线,完整、清晰而稳定地显示在荧光屏上。
需要说明的是:
图4-5中每条曲线分成两条来画,只是为了表明光点的移动方向,
实际上它们是重合在一起的。
另外ib=IB0=0的一条输出特性曲线离横轴较远,这是夸大
了的情况,实际上由于ICEO很小,此曲线基本上和横轴叠合,对硅管更是如此。
2、共射输入特性曲线的显示原理
当显示如图4-6所示的NPN型晶体管的共发射极输入特性曲线时,图示仪内
部和被测晶体管之间的接线方式如图4-7所示。
图4-7输入特性曲线显示电路
从图4-7中可以看到,此时Y轴(垂直偏转板)加的是反映基极阶梯电流iB大
小的信号电压iBR0,X轴(水平偏转版)加的是与iB相对应的不均匀的变化电压UBE,
荧光屏平面就被模拟成UBE-iB平面。
当集电极扫描电压和基极阶梯电流有如图4-2所示的对应关心时,图4-7电
路的工作过程(即输入特性曲线的显示过程)将如图4-8所示。
在0-t1-t2这段时间内,集电极扫描电压uCS处在第一个正弦半波周期,随之变化的集
电极电压UCE按正弦半波规律将从零逐渐增大到最大值,再由最大值逐渐减小到零,此
时iB=IBO=0,uBE也为零,而对偏转板上的信号电压均为零,电子束打到荧光屏上的0点,
设此点为坐标点。
当光点由E’返回到E点的t12时刻,UCE=0,iB值的调变完成一个周期,立刻从IB5跳回
到IB0=0与iB相对应的UBE值的跳变也必然完成一个周期,在iB变化的同时跳回到零。
IB和
UBE对电子束的合作用,使得光点从最高的E点跳回到坐标原点0。
再t12以后的时间里,0-t12的情况完全相同,。
就这样,在基极阶梯电流的频率足够高,
即单位时间内扫过上述路径的次数足够多时,借助于示波管的余晖时间和人烟的视觉暂
留,光点扫过的整个路径便清楚而稳定的显示在荧光屏上,这就是我们所要得到的晶体
管共发射极输入特性曲线。
其中,左面的一条是对应着UCE=0的输入特性曲线,而各水
平亮线右短的光迹,也就是连接A’、B’、C’、D’……诸点所得到的曲线为UCE=UCEM所
对应的输入特性曲线。
但在共射极输入特性曲线中,UCE≥1V以后,曲线不再随UCE的
增大而向右移,说明UCE≥1V后的各曲线基本上是重合在一起的。
(二)XJ4810型半导体管图示仪各开关旋钮的作用
JT-1型晶体管图示仪各旋钮、开关的作用蚕茧本书附录五,这里介绍XJ4810的使
用],图示仪前面板上的开关和旋钮较多,但按其功能可以分为以下七部分:
示波管控
制电路,集电极扫描电压,X轴作用、Y轴作用,先是部分,基极阶梯信号盒测试台。
1、示波管控制电路
⑴电源开关与辉度调整旋钮。
拉该旋钮电源接通,电流指示灯,推该旋钮为关,该旋钮拉出后为辉度调整,使用
时使辉度适中。
⑵聚焦:
Θ为主聚焦旋钮,0为辅助聚焦旋钮,四勇士调节主聚焦和辅助聚焦使光
点截面最小。
2、Y轴作用:
Y轴作用是使集电极电流ic或基极阶梯电流ib通过各自取样电阻得到
的电压及Y轴放大器放大,加到垂直偏板使电子束垂直偏转。
(1)电流/度开关:
它是具有22档四种偏转作用的开关。
a.集电极电流Ic:
10μA/div-0.5μA/div共15档,测量晶体管输出特性曲线时Y轴
作用为Ic,Ic=mA/度×
度
b.二极管漏电流IR:
0.2μA/div-5μA/div共5档用来测量二极管的漏电流。
c.极电流或基极源电压:
阶梯电流通过取样电阻得的基极电流的偏转量。
用于阶梯
波校正和晶体管输入特性曲线的测量。
(2)垂直位移与倍率:
调节该旋钮可使光点,扫描线或曲线上下位移,拉出该旋
钮是电流/度×
0.1倍率开关。
3、X轴作用:
X轴作用是集电极电压VCE或基极电压VBE经X轴放大器放大到水平偏
转板使电子束水平运动。
(1)电压/度开关:
它是具有17档,四种偏转作用的开关。
a、集电极电压:
0.05V/度-50V/度共10档,测量晶体管输出特性曲线时
该开关置于。
CEV
b、基极电压:
0.05V/度-1V/度共5档,测量晶体管输入特性曲线时该开关
置于。
BEV
c、基极电流或基极源电压:
阶梯电流通过取样电阻得到的基极电流的偏转量,测
量晶体管的电流放大倍数fe时,该开关置于该档。
h
d、X轴位移:
调节该旋钮时光点,扫描线或曲线左右移动。
4、显示部分
(1)显示开关:
使曲线在Ⅰ、Ⅱ象限内相互转换,简化NPN管转测PNP管时的
操作。
(2)放大器输入端接地⊥:
表示输入为零的基准点。
(3)校准:
用以校准X、Y轴放大器增益,按下此开关光点垂直向上,水平向右
偏转10度,即当光点位于左下角原点时,按下此开关光点跳到右上角。
5、集电极扫描电压:
(1)极性选择开关:
用以转换集电极扫描电压的极性,按下为负极性扫描电压,
适于测量PNP管,放开正极性扫描电压,等于测量NPN管。
(2)集电极峰值电压范围:
分10V、50V、100V、500V四档,它是集电极峰值电
压的调节范围,当由低档转换为高档时,需将峰值电压调到“0”,否则易击穿晶体管,
AC档是专为测量二极管的正、反向特性设置的,它提供双向扫描电压,能方便的将二
极管的正、反向特性显示在示波器上。
(3)峰值电压旋钮:
调该旋钮可使峰值电压在0-10V、0-50V、0-100V和0
-500V之间连续变化,该旋钮的标称值是近似的,准确读数由X轴V/度X度来确定。
(4)功耗电阻开关:
该开关是集电极负载电阻,调节可改变输出特性曲线的
斜率。
CR
(5)电容平衡:
由于集电极各种开关,功耗电阻,被测管输出电容的存在,使集
电极电流中存在着容性电流,造成测量误差,使用时调节电容平衡和辅助电容平衡使容
性电流最小。
6、基极阶梯信号:
(1)阶梯信号选择开关:
是一个具有基极电流,基极电压的22档开关,基极电流
为0.2μA/级-50mA/级,共17档,基极电压为0.05V/级-1V/级共5档,基极
电流与基极电压的选择根据被测半导体器件的特性来决定。
(2)串联电阻:
阶梯选择开关置于V/级时串联于被测管输入电路中的电阻。
(3)级/旋旋钮:
用以调节阶梯信号的级数,在0-10级范围内连续变化。
(4)极性开关:
基极阶梯信号的极性,按下为负极性,适于测量PNP管,放开为
正极性,适于测量NPN管。
(5)阶梯调零:
阶梯调零是调整阶梯波的起始级与零电压重合,调整方法见实验
内容中的阶梯波校正
(2)。
(6)重复开关:
重复开关处于重复位置时,阶梯信号重复出现,处于正常测试状
态,该开关处于关时阶梯信号停止工作,处于待触发状态,与单次开关配合,按下单次,
阶梯波出现一次。
7、测试台:
测试选择开关:
左右开关可任意选择左右测试插座,以分别观察左右两管的特性曲
当置于二族时,可通过电子开关交替地显示左右二族特性曲线。
“零电压”与阶梯
调零旋钮配合,校正阶梯信号的零电压。
“零电流”是使被测晶体管的基极处于开路,
用来测量晶体管的CEO和。
ICEOBV
(三)使用半导体特性图示仪应注意的事项
1、峰值电压范围要根据被测晶体管的反相击穿电压来确定,在不知被测晶体管的
反相击穿电压时,应置于0-10V或0-50V档。
2、测试完毕应将峰值电压调回0V。
3、测量前要区分开被测管的E、B、C后方可插入管座。
4、基极阶梯电流开关,要从低逐渐升高,否则基极阶梯电流过大时会损坏小功率
管。
5、集电极功耗电阻,不能太小,对一般晶体管C在50RΩ-1kΩ。
(四)怎样从晶体管的特性曲线上求参数。
因为变化量的每一瞬间值可以看作直流量,变化量随时间的变化可以看作直流量的
改变,所以我们可以将晶体管特性曲线的坐标轴标以直流量的符号。
从晶体管特性曲线上求四个h参数的方法示于图4-9中。
在图4-9所示的特性曲线中
BEΔV=V/度×
ΔX
BΔI=μA/级×
2
CΔI=mA/度×
ΔY
CEΔV=V/度×
图4-9从特性曲线上求h参数的方法
在晶体管测试的构成中测试条件是很重要的,在不同的测试条件下,尽管测试方法
相同,测出的参数值很可能不一样,测试条件的确定,一般有两种方法,一种是按产品
技术指标的参数表所列的测试条件进行测量,另一种是将晶体管的实际工作条件作为测
试条件进行测量,对于使用者来说,以实际的工作条件作为测试条件更为合理些。
四、实验仪器
1.晶体管特性图示仪一台
2、万用表一块
五、试验内容
1、X轴、Y轴增益校正
(1)开启电源在Y轴作用为IC,X轴作用为Vce,峰值电压范围10V,集电极扫描电
压为0V时,调节X轴、Y轴位移使光点显示在荧光屏上,再调节辉度,聚焦和辅助聚焦
旋钮,使光点清晰,辉度适中。
(2)、调节X轴、Y轴位移使光点位于左下角坐标原点,按下校正按键,光点应
向上,向右跳10度,即光点跳到右上角原点,说明X、Y轴增益正常否则应调整X轴
或Y轴增益,(对于JT1型图示仪,应将光点调到右上角,Y轴板键扳向-10度时,光
点向下跳10度,X轴板键扳向-10度时,光点向左跳10度)。
2、梯形波校正
(1)释放校正按键,将Y轴作用开关置于基极电流基极源电压的位置,X轴作用
开关置于1V/度,集电极扫描信号极性为“+”调节峰值电压旋钮,阶梯波校正图便可
出现在示波管屏幕上,观察各级扫描线是否与标尺上的刻度线重合,转角是否垂直,若
不满足要求应打开机盖调整。
(2)、阶梯调零:
阶梯波起始级为IB=0应与零电压的位置重合,校正方法是将阶
梯信号极性置于“-”,(JT1中的PNP),阶梯信号起始级(第一级)的位置不变,若
有变化调节阶梯调零旋钮,使阶梯信号的起始级在阶梯信号是正极性或向是负极性是时
重合。
阶梯调零调好后,使用中阶梯调零旋钮就不要再动了。
3、用万用表Ω档判断二极管的正负极,三极管的极性与e、b、c
用万用表的Ω档测量二极管、三极管,首先应明确:
万用表Ω档的负表笔接的是
表内电池的正极,正表笔接的是内部电池的负极,正负表笔接在二极管、三极管道电压
上实质是给两个电极加的偏压,表针的摆动是通过两个电极的电流(用阻值表示)。
判
断时一般用R×
100Ω或R×
1kΩ的档进行。
(1)用万用表判断二极管道负极和性能
二极管的管壳上一般都有正负极的标记,但有时无标记或不知标记的表示方法时,
应用下面的方法判断:
将万用表的正负表笔分别接二极管的两个电极,若测得的电阻比
较小;
而将正负表笔对换后得的电阻很大,说明二极管的单向导电性能良好,而第一次
测量的阻值小时,负表笔接的是二极管的正极,正表笔接的是二极管的负极。
如正反向
电阻均无穷大,表示二极管内部已断路。
(2)用万用表判断三极管的极性(NPN还是PNP)与e、b、c
a、判断基极b与极性
因为三极管的b与e、c分别是两个PN结,用万用表测量时b极与e、c极均应有正、反向特性,若将负表笔接某一电极,正表笔分别接其它两极时阻值都很大或者都很
小,则负表笔所接的是基极。
若负表笔接基极b,正表笔分别接其它两个电极时,阻值都很小,该管为NPN管,
反之,若阻值都很大,则该管为PNP管。
b、判定集电极c,发射极e和β值大小
首先假设一个电极(b极除外)为集电极,如果被测管是NPN管则万用表的负表
笔接假设的集电极C,正表笔接的假设的e,如图4-10所示,当开关断开时(=0),
此时,c、e间的电阻,实际上是,开关k闭合后,万用表内的电池通过给基极
注入了,使集电极则有了一个较大的电流,因此表针向右偏转、偏转角越大,表示
BI
ceoIbR
bIcI
β值越高,然后再假设另一个极为C,用上述同样的方法测量,比较两个测量的结果,
万用表指针偏转较大(β值高)的一次,假设的集电极是正确的。
一般简易测量时,可用人体电阻代替,方法是用手同时捏住c、b(但不能使c、
b短路),比较两次测量指针偏转的角度,指针摆动较大的一次黑表笔接的是C极,表
针偏转越大
bR
β值越高。
对于PNP管,将正负表笔对换位置,测量方法与NPN管相同。
4、测量稳压二极管2CW的特性曲线:
(1)旋钮位置
峰值电压范围:
AC、0-10V
集电极功耗电阻:
5kΩ
X轴:
集电极电压5V/dir
Y轴:
集电极电流1mA/dir
(2)稳压管的正极接测试台上管座C,负极接E,缓慢调节峰值电压,稳压管的正反特性曲线便显示在屏幕上,在坐标纸上画出曲线,测量正向导通电压Ucm
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- 半导体 特性 图示 使用