模拟电子技术基本练习题解Word文件下载.docx
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其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区,截止区,饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区,饱和区,截止区。
10.场效应管又称单极型管,是因为只有一种载流子参与导电;
半导体三极管又称双极型管,是因为有两种载流子参与导电。
11.串联式直流稳压电源是由组成取样电路;
比较放大器;
基准电压和调整管。
12.集成运算放大器的内部电路是由偏置电路,中间放大器,输入级和
输出级四部分组成。
13.在一个三级放大电路中,已知Av1=20;
Av2=-100;
Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是共基极组态;
A2是共射极组态;
A3是共集电极组态。
14.正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器;
反馈网络;
稳幅电路和选频网络。
15.为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入电流串联负反馈。
16.PNP三极管基区中的多数载流子是电子。
少数载流子是空穴。
17.对于放大电路,所谓开环是指放大电路没有反馈支路。
18.为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入电压串联负反馈。
19.单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为0.9V2。
20.差动放大电路中,共模抑制比KCMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。
二.选择题
1.电路如图所示,设二极管的正向压降VD=0.6V,则流过二极管的电流ID为(B)。
(A)0.775mA
(B)1.31mA
(C)0.55mA
(D)1mA
2.电路如图所示,设二极管具有理想特性,已知vi=1.0Sinωt(V),V=2V,则输出vo的波形如图(a)所示。
3.由稳压管组成的稳压电路如图所示,已知Vi=18V,稳压管DZ1的稳压值为7V,稳压管DZ2的稳压值为6V,稳压管具有理想特性,则输出Vo为(B)。
(A)13V
(B)1V
(C)6V
(D)7V
4.电路如图(a)~(b)所示,已知vi=20Sinωt(V),稳压管DZ1稳定电压VZ1=10V,稳压管DZ2稳定电压VZ2=6V,稳压管的正向压降忽略不计。
图(e)所示波形为电路图(b)的输出波形。
5.电路如图所示,该电路的静态电流表达式ICQ=(C)。
6.电路如图所示,已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V,RC=RL=2kΩ,静态工作点ICQ=2mA,VCEQ=6V。
该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为
B。
(A)6V
(B)5.7V
(C)6.6V
(D)2V
7.电路如图(a)所示,其等效电路如图(b)所示。
该电路的电压放大倍数表达式为B。
8.电路如图所示,已知晶体管的β=50,VBE=0.6V,rbe=1.5kΩ。
该电路的输入电阻Ri为C。
(A)1.36kΩ(B)15kΩ
(C)13.4kΩ(D)1.5kΩ
9.电路如图所示,C1、C2可视为交流短路,该电路的输出电阻为D。
(A)
(B)
(C)
(D)
10.如图所示为一深度负反馈放大电路,所有电容认为对交流短路。
该电路的闭环电压放大倍数Avf=Vo/Vi=(C)。
(A)10(B)-11(C)11(D)-10
11.电路如图所示,要引入电压并联负反馈,正确的接法是(D)。
(A)C1接N,C2接P,F接B1;
(B)C1接N,C2接P,F接B2;
(C)C1接P,C2接N,F接B1;
(D)C1接P,C2接N,F接B2。
*12.某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示,其下限频率fL、上限频率fH及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益Av是(B)。
(A)fL=100HZ,fH=100kHZ,Av=60dB
(B)fL=100HZ,fH=100kHZ,Av=57dB
(C)fL<
100HZ,fH<
100kHZ,Av=60dB
(D)fL>
100HZ,fH>
100kHZ,Av=57dB
13.差动放大电路如图所示,已知|Avd|=100,Avc=0,vi1=10mV,vi2=5mV,则输出电压|vo|为(A)。
(A)500mV(B)200mV(C)250mV(D)125mV
14.带有调零电路的差动放大电路如图所示,若输入电压vi1=vi2=0时,输出电压vo=vo1-vo2<
0,欲使此时输出电压为0,则应该(D)。
(A)减小Re
(B)增加Re
(C)向左移动RW的滑动端
(D)向右移动RW的滑动端
15.电路如图所示,已知电路参数:
RS=1kΩ,RC1=RC2=RL=10kΩ,晶体管的β=50,rbe=1.5kΩ。
该电路的共模抑制比KCMR=(A)。
(A)2000
(B)-2000
(C)1000
(D)-1000
16.由运算放大器组成的电路如图所示,则电流I2=(D)。
(A)0.5mA
(B)1mA
(C)1.5mA
(D)-0.5mA
17.电路如图所示,设A1、A均为理想运算放大器,则输出电压vo=(A)。
(A)1V
(B)-1.5V
(C)-1V
(D)1.5V
18.由理想运算放大器组成的电路如图所示,该电路的电压放大倍数
Av=vo/vi=(B).
(A)1
(B)21
(C)-21
(D)20
19.积分电路如图所示,运放是理想的。
已知:
vi1=1V,vi2=-2V。
在t=0时开关断开,试问当vo达到6V时,所需的时间t=(A)秒。
(A)2
(B)1.2
(C)3
(D)1.5
20.运算放大器组成的放大电路如图所示,运放的饱和电压为±
12V。
其电压传输特性如图(b)所示,则电路中的电阻R1应为(B)。
(A)3kΩ
(B)5kΩ
(C)10kΩ
(D)15kΩ
*21.输入失调电流补偿电路如图所示,已知:
IBN=100nA,IBP=75nA,R1=10kΩ,Rf=30kΩ。
要求没有输入时,输出为0,则平衡电阻R2的数值约为(D)。
(A)5kΩ
(B)40kΩ
(C)30kΩ
(D)10kΩ
22.由模拟乘法器和运算放大器组成大电路如图所示,已知vi1>
0,则电路的输出与输入关系为(D)。
23.由运算放大器组成的比较器电路如图所示,设VREF>
0,则该电路的电压传输特性为图中的图(C)所示。
(A)(B)(C)(D)
24.比较器电路如图所示,已知Vi1=2V,Vi2=1V,则输出电压VO=(C)。
(A)+12V
(B)-12V
(C)-6V
(D)+6V
25.具有RC串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示,已知Rf=120kΩ,为保证电路起振,R1应满足(D)。
(A)R1>
120kΩ
(B)R1<
(C)R1>
60kΩ
(D)R1<
26.试用相位平衡条件判断如下电路中有可能产生振荡的图是(C)。
(A)a(B)b(C)c(D)a、b、d
27.电路如图所示,设运算放大器为理想的,热敏电阻Rt具有正温度系数。
为能起振和稳定振幅,Rf和Rt在电路中的位置以及Rt的最大值分别为(A)。
(A)Rf接虚框1,Rt接虚框2,500Ω(B)Rf接虚框1,Rt接虚框2,2kΩ
(C)Rf接虚框2,Rt接虚框1,500Ω(D)Rf接虚框2,Rt接虚框1,2kΩ
28.信号发生器电路如图所示,试指出v01、vo2、vo3的波形是(D)。
(A)v01方波、vo2方波、vo3三角波(B)v01方波、vo2锯齿波、vo3三角波
(C)v01三角波、vo2方波、vo3锯齿波(D)v01方波、vo2三角波、vo3锯齿波
29.如图所示功率放大电路,已知VCC=20V,RL=8Ω。
功率管的参数应满足的条件是(A)。
(A)PCM>
5W,ICM>
2.5A,V(BR)CEO>
40V
(B)PCM>
20V
(C)PCM>
25W,ICM>
(D)PCM>
30.带电容滤波的桥式整流电路如图所示,设变压器副边电压v2=24Sinωt(V),负载电阻RL=10Ω。
则流过二极管的平均电流ID和二极管承受的最大反向电压VRM约为(B)。
(A)ID=2A,VRM=17V(B)ID=1A,VRM=24V
(C)ID=2A,VRM=24V(D)ID=1A,VRM=17V
31.串联式稳压电路如图所示,已知T1的VCE1=5V,T2的VBE2=0.6V,稳压管VZ=5.4V,R1=R2=2kΩ,RW=1kΩ,则变压器的副边电压有效值V2为(B)。
(A)15V(B)16.7V
(C)20V(D)12.5V
32.并联式稳压电路如图所示,已知稳压管稳定电压VZ=8V,最小稳定法电流Izmin=5mA,最大允许电流Izmax=30mA,Vi=22V,RL的变化范围为400~800Ω。
限流电阻R的取值范围约为(A)。
(A)350~560Ω(B)280~933Ω
(C)560~933Ω(D)280~560Ω
33.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为(B)。
(A)增强型N沟道MOS管
(B)耗尽型N沟道MOS管
(C)增强型P沟道MOS管
(D)耗尽型P沟道MOS管
34.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为(A)。
36.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为(C)。
37.甲乙类互补功率放大电路如图所示,图中D1、D2的作用是消除(C)。
(A)饱和失真
(B)截止失真
(C)交越失真
(D)频率失真
38.如图所示功率放大电路,已知VCC=20V,RL=8Ω。
该功率放大器的最大输出功率为(D)。
(E)Pom=25W
(F)Pom=50W
(G)Pom=15W
(H)Pom=6.25W
39.LC振荡电路如图所示。
试判断那个电路满足相位平衡条件(C)。
(A)(B)(C)(D)
40.RC振荡电路如图所示。
试判断那个电路满足相位平衡条件(A、D)。
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