MOSFET降压斩波电路设计Word下载.docx

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其结构框图如图1所示。

图1电路结构图

在图1结构框图中，控制电路用来产生MOSFET降压斩波电路的控制信号，控制电路产生的控制信号传到驱动电路，驱动电路把控制信号转换为加在MOSFET控制端与公共端之间，可以使其开通或关断的信号。

通过控制MOSFET的开通和关断来控制MOSFET降压斩波电路工作。

控制电路中保护电路是用来保护电路，防止电路产生过电流、过电压现象而损坏电路设备。

2降压斩波电路设计方案

降压斩波电路原理图

降压斩波电路的原理图以及工作波形如图2所示。

该电路使用一个全控型器件V，图中为MOSFET。

为在MOSFET关断时给负载中电感电流提供通道，设置了续流二极管VD。

斩波电路主要用于电子电路的供电电源，也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等。

图2降压斩波电路原理图

降压斩波电路工作原理图

直流降压斩波电路使用一个全控型的电压驱动器件MOSFET，用控制电路和驱动电路来控制MOSFET的导通或关断。

当t=0时MOSFET管被激励导通电源U向负载供电，负载电压为Uo=U,负载电流io按指数曲线上升，当t=t1时控制MOSFET关断负载电流经二极管VD续流负载电压Uo近似为零，负载电流呈指数曲线下降。

为了使负载电流连续且脉动小通常使串联的电感L较大。

电路工作时的波形图如图3所示。

图3降压斩波电路的工作波形

至一个周期T结束，再驱动MOSFET导通，重复上一周期的过程。

当电力电子系统工作处于稳态时，负载电流在一个周期的初值和终值相等，如图2所示。

负载电压平均值为

（）

（）

负载电流平均值为

式中，ton为MOSFET处于通态的时间；

toff为MOSFET处于断态的时间；

T为开关周期；

为导通占空比。

由式（）可知，输出到负载的电压平均值Uo最大为U，减小占空比

，Uo随之减小。

因此将该电路称为降压斩波电路。

也称buck变换器。

根据对输出电压平均值进行调试的方式不同，可分为三种工作方式：

1）保持开关导通时间

不变，改变开关T，称为频率调制工作方式；

2）保持开关周期T不变，调节开关导通时间

，称为脉冲宽调制工作方式；

3）开关导通时间

和开关周期T都可调，称为混合型。

3MOSFET驱动电路设计

驱动电路方案选择

该驱动部分是连接控制部分和主电路的桥梁，该部分主要完成以下几个功能：

（1）提供适当的正向和反向输出电压，使电力MOSFE管可靠的开通和关断；

（2）提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使MOSFET能迅速建立栅控电场而导通；

（3）尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率；

（4）足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘；

（5）具有灵敏的过流保护能力。

而电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，因此它的第一个显着特点是驱动电路简单，需要的驱动功率小；

第二个显着特点是开关速度快、工作频率高。

但是电力MOSFET电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10Kw的电力电子装置。

在功率变换装置中,根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。

根据设计要求、驱动要求及电力MOSFET管开关特性,选择驱动芯片IR2110来实现驱动。

芯片IR2110管脚及内部电路图如下图4所示。

图4IR2110管脚及内部电路图

驱动电路原理

IR2110内部功能由三部分组成：

逻辑输入、电平平移及输出保护。

IR2110驱动半桥的电路如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2为VCC的滤波电容。

假定在S关断期间C1已经充到足够的电压（VC1VCC）。

当HIN为高电平时如下图4-2，VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从而使S1导通。

由于LIN与HIN是一对互补输入信号，所以此时LIN为低电平，VM3关断，VM4导通，这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电，由于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。

图5IR2110驱动半桥电路

设计驱动电路如图6所示.

图6驱动电路图

4保护电路

过电压保护

当达到—定电压值时，自动开通保护电路，使过压通过保护电路形成通路，消耗过压储存的电磁能量，从而使过压的能量不会加到主开关器件上，保护了电力电子器件。

为了达到保护效果，可以使用阻容保护电路来实现。

将电容并联在回路中，当电路中出现电压尖峰电压时，电容两端电压不能突变的特性，可以有效地抑制电路中的过压。

与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量，同时抑制电路中的电感与电容产生振荡，过电压保护电路如图7

图7

过电流保护

当电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

当器件击穿或短路、触发电路或控制电路发生故障、出现过载、直流侧短路、可逆传动系统产生环流或逆变失败，以及交流电源电压过高或过低、缺相等，均可引起过流。

由于电力电子器件的电流过载能力相对较差，必须对变换器进行适当的过流保护。

采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种的过流保护措施。

5电路各元件的参数设定

MOSFET简介

MOSFET的原意是：

MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,简称功率MOSFET（PowerMOSFET）。

结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistor--SIT）。

其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

功率MOSFET的种类：

按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

按栅极电压幅值可分为；

耗尽型；

当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；

对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。

功率MOSFET的结构

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；

其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。

导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET,（VerticalMOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

MOSFET的结构与电气图形符号如图8所示。

图8MOSFET的结构与电气图形符号

按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。

功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（InternationalRectifier）的HEXFET采用了六边形单元；

西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；

摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。

功率MOSFET的工作原理

截止：

漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

导电：

在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。

但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子-电子吸引到栅极下面的P区表面

当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

各元件参数计算

根据设计要求可选大小为

的直流电压源，如果选取降压斩波电路的占空比为

，则输出电压

，输出功率

，要求输出功率为600W，可计算出负载电阻R=Ω。

电压控制电压源和脉冲电压源可组成MOSFET功率开关的驱动电路。

计算

：

由式

，周期

可由开关频率

得出为

，把

、

代入上式得出

。

虽说电感L的值越大，得到的图形越稳定，但在此电路中，需要看到文波，因此按计算值设置参数就可以啦。

，要求脉动率

，取

，计算

，代入上式计算出

虽说电容C的值越大，得到的图形越稳定，但在此电路中，需要看到文波，因此按计算值设置参数就可以啦。

若取其他占空比时各参数值的计算方法与此一致，不同占空比时各个参数的值如表1所示。

表1不同占空比时各个参数的值

占空比

输出电压U0（V）

脉动电压

（V）

负载R（Ω）

电感值

（H）

电容值C（F）

20%

20

2

×

10-4

40%

40

4

50%

50

5

80%

80

8

10-5

90%

90

9

6系统仿真及结论

仿真电路及其仿真结果

在MATLAB里的Model画出仿真的图形。

仿真电路图如图9所示。

图9仿真电路图

各个参数的设置方法：

用鼠标左键双击图标，会出现一个对话框，然后再相应的位置修改参数，就可完成参数的设置。

在不同的占空比时，其他参数也不一样，修改的方式都有一样。

完成参数的设置，就可以开始仿真。

仿真时可能会出现问题，这就得在仿真的过程中去解决，解决好问题后，最终得到的仿真波形如下。

在波形图中，从上到下的波形依次是输入电压、占空比、输出电流、输出电压。

Simulink仿真结果如图10所示

图10

=时的仿真波形图

由仿真结果图10得到的波形可以看出在输入电压为100V时，在纯电阻负载情况下，占空比选择20%时，得到的输出电压的平均值近似20V，输出电流的平均值近似30A。

得到的输出功率的平均值近似为600W，这满足电路所需的要求。

且从波形图中可以看出，输出的电压电流波形的形状是一致的，这满足纯电阻的要求。

并且波形是连续的，符合理论要求。

Simulink仿真结果如图11所示。

图11

由仿真结果图11得到的波形可以看出在输入电压为100V时，在纯电阻负载情况下，占空比选择40%时，得到的输出电压的平均值近似40V，输出电流的平均值近似15A。

Simulink仿真结果如图12所示。

图12

由仿真结果图12得到的波形可以看出在输入电压为100V时，在纯电阻负载情况下，占空比选择50%时，得到的输出电压的平均值近似50V，输出电流的平均值近似12A。

Simulink仿真结果如图13所示。

图13

由仿真结果图13得到的波形可以看出在输入电压为100V时，在纯电阻负载情况下，占空比选择80%时，得到的输出电压的平均值近似80V，输出电流的平均值近似。

Simulink仿真结果如图14所示。

图14

由仿真结果图14得到的波形可以看出在输入电压为100V时，在纯电阻负载情况下，占空比选择90%时，得到的输出电压的平均值近似90V，输出电流的平均值近似。

仿真结果分析

由仿真得到的波形可以看出在输入电压为100V时，在纯电阻负载情况下，不同占空比时，得到的输出电压的平均值，输出电流的平均值都不一样。

但是得到的输出功率的平均值近似为600W，这点满足电路设计所需的要求。

且从波形图中可以看出，无论占空比有怎么变化，输出电压、输出电流的波形的形状始终是一致的，这满足纯电阻的要求。

由仿真图可以看得到，当占空比

=输出电压为20V；

当占空比

=输出电压为40V；

当占空比

=输出电压为50V；

=输出电压为80V；

=输出电压为90V。

这与理论计算的结果是一致的，说明这此仿真结果是正确的，符合要求。

总结

做课程设计我们都感觉入手比较困难，因为它首先要求你对所学的知识都要弄懂，并且能将其联系贯穿起来，因此课程设计是综合性比较强的。

这次的电力电子课程设计是我做的最辛苦的一次，主要的原因是这次试验要求我们学习很不熟悉的软件。

首先把设计任务搞清，接下来就是找相关资料，可以通过上图书馆和上网，然后对资料进行整理。

找资料说起来好像很简单，但真正做起来是需要耐心的，不是你所找的就一定是有用的，要进行筛选甄别，所以这个过程中是要花费一些时间的，但这其中也拓展了你的知识面。

书上原理性的东西与真正的动手操作还是有很大的区别的，要考虑很多因素，比如说，参数的选取和设定，这些对实验结果是有很大的影响的。

通过重温教材知识和翻阅相应的资料，当然还有一部分要归功于我的同学的帮助。

通过这次课程设计我们掌握了一定的文档的编排格式，这对于以后的毕业设计及工作需要都有很大的帮助，在完成课程设计的同时我们也再复习了一遍电力电子这门课程，对于以前一知半解的问题有了更深刻的认识。

通过这次课程设计，使我明白了自身的不足，还有就是学习上存在的以应试为目的的陋习，自己真正学到的知识还是相当有限的，而且都是很死板的知识，并没有做到活学活用。

而且，在专业软件学习方面还要有很大的提升的需要。

参考文献

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机械工业出版社，2004

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