一次清洗工艺说明.docx
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一次清洗工艺说明.docx
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一次清洗工艺说明
一次清洗工艺说明
SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数
第1张共8张
流向
KS
1.目的
确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态
2.使用范围
适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序
3.责任
本工艺说明由技术部负责
4.硅片检验
4.1将包装箱打开,查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求;
4.2检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕;(见附图一、二)
4.3将不合格品放置规定碎片盒子内,作统一处理。
5.装片(见附图三)
5.1片盒保持干净,片盒底部衬以海绵,将硅片插入片盒中,每盒最多插25片硅片。
5.2禁止手与片盒、硅片直接接触,必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。
每插100张硅片,需更换手套。
5.3操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。
6.上料(见附图四)
6.1硅片插完后,取出片盒底部的海绵,扣好压条。
6.2将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中,每篮12个片盒,片盒之间有适当的间隔。
7化学腐蚀液的配制
7.1准备:
将各槽中破损硅片等杂质清除,用去离子水将各槽壁冲洗干净。
7.2配制:
向5、6、8、10#槽中注满去离子水,1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水,按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品,再注去离子水达到指定的高度。
更改标记
数量
更改单号
签名
日期
签名
日期
第1页
拟制
审核
共8页
标准化
批准
旧底图总号
底图总号
日期签名
SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数
第2张共8张
流向
KS
7.3化学腐蚀液的配制比例
槽号
1#槽
2-4#槽
7#
9#槽
功能
去损伤层
制绒
去Na2SiO3
去金属离子
清洗液组成
氢氧化钠
氢氧化钠
异丙醇
硅酸钠
氢氟酸
盐酸
NaOH
NaOH
IPA
Na2SiO3·9H2O
HF
HCl
标准浓度(克/升)
40±5
18±5
5±2
3±1
53±5
84±5
加入试剂
9千克
2千克
12升
6千克
16升
32升
加入试剂(瓶)
18
4
3
12
4
8
液面高度(厘米)
42
32
32
32
30
30
7.4配制溶液要求:
7.4.1配料顺序:
1#槽按水、氢氧化钠的顺序;2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。
7#槽按水、氢氟酸、水的顺序;9#槽按水、盐酸、水的顺序。
7.4.2时间要求:
2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后,需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后,才能加异丙醇。
1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后,同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后,才可进硅片。
7.4.3异丙醇加液要求:
需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部,在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇,减少异丙醇的挥发。
8.各化学药品规格及要求
8.1氢氧化钠:
电子纯,容量500克/瓶,浓度≥98%。
8.2异丙醇:
电子纯,容量4升/瓶,浓度≥99.9%,密度0.78克/毫升。
8.3硅酸钠:
电子纯,容量500克/瓶。
8.4盐酸:
MOS级,容量4升/瓶,浓度36%~38%,密度1.18克/毫升。
8.5氢氟酸:
MOS级,容量4升/瓶,浓度≥49%,密度1.13克/毫升。
9.工艺过程化学药品的补加(同附表二)
9.1工艺过程7、9#槽不需补加化学药品,1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加:
槽号
1#槽
2~4#槽
每清洗一篮硅片
排液(cm)
补加NaOH
补加NaOH
补加IPA
1.5±0.5
25±10g
25±10g
4升(一瓶)
备注
清洗停止1小时以上,每停1小时,需补加2升IPA,最多补加6升(1.5瓶)。
更改标记
数量
更改单号
签名
日期
签名
日期
第2页
拟制
审核
共8页
标准化
批准
旧底图总号
底图总号
日期签名
SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数
第3张共8张
流向
KS
10.各槽化学液更换频率(同附表三)
工艺正常操作时(不允许全部排液、重新配液)
槽号
1#槽
2~4#槽
7#槽
9#槽
更换周期
24小时
24小时
12小时
12小时
更换时间
早班交接班
早班交接班
交接班
交接班
工艺不正常时(1~4号槽)更换条件
工艺不正常状态1
连续停机8小时以上,要求全部换液重配
工艺不正常状态2
2~4#槽,其中一槽连续3篮硅片出现白斑,可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态3
2~4#槽,其中一槽硅片出现白斑超过50%,可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态4
2~4#槽,连续都出现白斑,可以对1#槽单独重新配液。
11.清洗腐蚀工艺参数的设置(同附表四)
11.1小片盒放置硅片
11.1.1使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置(同附表四)
槽位
1#槽
2-4#槽
5#槽
6#槽
7#槽
功能
去损伤
制绒
漂洗
喷淋
去Na2SiO3
时间
270±30um
240±30um
230±30um
30min
5min
5min
1min
4min
2min
1min
温度℃
65±2
83±2
常温
常温
常温
槽位
8#槽
9#槽
10#槽
11#槽
12#槽
13、14#槽
功能
漂洗
去金属离子
漂洗
喷淋
慢拉
烘干
时间
5min
5min
5min
5min
不使用
不使用
温度℃
常温
常温
常温
常温
不使用
不使用
注意:
使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。
干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。
11.1.2离心甩干工艺(同附表五)
项目
主轴低速
主轴高速
喷水时间
吹气时间
开门时间
蜂鸣器延时
参数
205rpm
430rpm
30秒
180秒
10秒
10秒
更改标记
数量
更改单号
签名
日期
签名
日期
第3页
拟制
审核
共8页
标准化
批准
旧底图总号
底图总号
日期签名
SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数
第4张共8张
流向
KS
11.2大片盒放置硅片(同附表六)
11.2.1使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
1~11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同
11.2.212~14#槽工艺参数的设置:
槽位
12#槽
13、14#槽
功能
慢拉
烘干
时间
2min
17min
温度℃
常温
170±2℃
11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置(同附表七)
11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”,对清洗后的硅片进行表面检查,重量、厚度检验和绒面质量分类。
检验不合格的硅片,根据其厚度,按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。
11.3.2不合格的硅片,厚度≤200µm直接转至扩散工序;200µm<厚度≤230µm,按以下工艺返工:
槽位
1#槽
2-4#槽
功能
去损伤层
制绒
时间
0min
20min
温度℃
65±2
83±2
12.运行
12.1根据《一次清洗工艺操作规程》,在手动工作状态下,按照“11清洗腐蚀工艺参数的设置”,设定各槽时间,及相关的温度;
12.2根据《一次清洗工艺操作规程》,打到自动工作状态,运行清洗设备,对硅片进行清洗腐蚀。
13工艺安全及注意事项
13.1工艺安全:
盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性,在配液过程中,操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
13.2硅片在检测过程中,操作人员不能用手直接接触硅片和片盒,必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套,防止钠离子、油类沾污硅片。
13.3硅片易碎,在操作过程中,操作人员要轻拿轻放,以减少碎片。
14引用文件
SF/QD-工艺-01一次清洗工艺操作规程
SF/QD–工艺-12一次清洗检验工艺规程
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数量
更改单号
签名
日期
签名
日期
第4页
拟制
审核
共8页
标准化
批准
旧底图总号
底图总号
日期签名
SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
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- 一次 清洗 工艺 说明