硅实习报告Word格式文档下载.docx
- 文档编号:21334115
- 上传时间:2023-01-29
- 格式:DOCX
- 页数:21
- 大小:133.98KB
硅实习报告Word格式文档下载.docx
《硅实习报告Word格式文档下载.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《硅实习报告Word格式文档下载.docx(21页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
目前生产多晶硅的流程大致分为以下几种方法:
西门子法:
改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl(或外购HCl),HCl和工业硅粉在一定的温度下合成SiHCl3,然后对SiHCl3进行分离精馏提纯,提纯后的SiHCl3在氢还原炉内进行化学气相沉积反应得到高纯多晶硅。
改良西门子法包括五个主要环节:
即SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。
改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺,国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。
改良西门子法生产多晶硅属高能耗的产业,其中电力成本约占总成本的70%左右。
硅烷热分解法:
1956年,英国标准电讯实验所成功研发出了硅烷(SiH4)热分解制备多晶硅的方法,即通常所说的硅烷法。
1959年,日本的石冢研究所也同样成功地开发出了该方法。
后来,美国联合碳化物公司采用歧化法制备SiH4,并综合上述工艺且加以改进,便诞生了生产多晶硅的新硅烷法。
硅烷法与改良西门子法接近,只是中间产品不同,改良西门子法的中间产品是SiHCl3,而硅烷法的中间产品是SiH4。
SiH4是以SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法来制取,然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅。
日本小松公司曾采用过此技术,但由于发生过严重的爆炸事故,后来就没有继续推广了。
流化床法流化床法:
美国联合碳化合物公司早年研发的多晶硅制备工艺技术。
流化床法流化床法是美国联合碳化合物公司早年研发的多晶硅制备工艺技术。
该方法是以SiCl4、H2、HCl和工业硅为原料,在高温高压流化床内(沸腾床)生成SiHCl3,将SiHCl3再进一步歧化加氢反应生成SiH2Cl2,继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应生成粒状多晶硅产品。
由于在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大,故该方法生产效率高、电耗低、成本低。
该方法的缺点是安全性较差,危险性较大,且产品的纯度也不高。
不过,它还是基本能满足太阳能电池生产的使用。
故该方法比较适合大规模生产太阳能级多晶硅。
目前采用该方法生产颗粒状多晶硅的公司主要有:
挪威可再生能源公司(REC)、德国瓦克公司(Wacker)、美国HemLock和MEMC公司等。
挪威REC公司是世界上惟一一家业务贯穿整个太阳能行业产业链的公司,是世界上最大的太阳能级多晶硅生产商。
该公司利用硅烷气为原料,采用流化床反应炉闭环工艺分解出颗粒状多晶硅,且基本上不产生副产品和废弃物。
这一特有专利技术使得REC在全球太阳能行业中处于独一无二的地位。
该方法生产效率高、电耗低、成本低。
冶金法:
1996年起,在日本新能源和产业技术开发组织的支持下,日本川崎制铁公司(KawasakiSteel)开发出了由冶金级硅生产太阳能级多晶硅的方法。
投资成本低于传统工艺——改良西门子法的2/3区域熔化提纯法的最大优点是其能源消耗比传统方法减少60%以上,最大的缺点是难以达到高纯度的电子级多晶硅的要求。
目前,区域熔化提纯法是最有可能取代传统工艺的太阳能级多晶硅材料的生产方法。
无氯技术(ChlorineFreeTechnology)是一种很有发展前途的太阳能级多晶硅制备技术,其原料为冶金基硅。
工艺流程包括在催化剂作用下硅原料与C2H5OH反应生成Si(OC2H5)3H,反应温度为280℃,Si(OC2H5)3H在催化剂作用下又分解为SiH4和Si(OC2H5)4,Si(OC2H5)4水解得到高纯SiO2或硅溶胶,SiH4在850℃~900℃的高温下热解生成多晶硅和氢气。
该技术属俄罗斯INTERSOLAR中心和美国国家可再生能源实验室的专利技术。
改良西门子法、硅烷热分解法、流化床法既可用于太阳能级多晶硅的生产,也可用于电子级多晶硅的生产,目前各生产厂家主要采用这三种技术工艺或其改进技术工艺。
随着光伏产业对多晶硅需求的迅速增长,近来不断涌现出多种专门用于太阳能级多晶硅生产的低成本新技术工艺,如冶金法、汽-液沉积法、区域熔化提纯法、无氯技术、碳热还原反应法、铝热还原法、以及常压碘化学气相传输净化法等。
目前,太阳能级多晶硅制备技术与工艺主要掌握在美国、日本、德国以及挪威等国家的几个主要生产厂商中,形成技术封锁和垄断。
我国的多晶硅生产厂家大多采用的是改良西门子技术工艺,为满足社会经济日益发展的需求,急需进一步扩大多晶硅生产的规模和加强低成本新技术与新工艺的研究。
2.1硅的物理化学性质;
1、硅的物理性质:
硅是周期表中的四族元素,在自然界中含量非常丰富,仅次于氧而居二位。
由于硅氧键很稳定,在自然界中硅无自由状态,主要以SiO2及硅酸盐的形式存在。
硅有结晶型和无定型两种,结晶硅是一种有灰色金属光泽的晶体,与金刚石具有类似的晶格,性质硬而脆,有微弱的导电性,属于半导体,
2.硅的化学性质:
硅一般呈四价状态,其正电性较金属低,在某些硅化合物中硅呈阴离子状态,硅的许多化合物及在许多化学反应中的行为与磷很相似。
硅极易与卤素化合,生成SiX4型的化合物,硅在红热温度下与氧反应生成SiO2,在1000℃以上与氮反应,生成氮化硅。
晶体硅的化学性质很不活泼,在常温下很稳定,不溶于所有的酸(包括氢氟酸在内)。
但能溶于HNO3~HF的混合溶液中。
其反应如下:
Si+4HNO3→SiO2+4NO2↑+2H2O
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O
综合反应式为
Si+4HNO3+6HF=H2SiF6+4NO2+4H2O
硅和烧碱反应则生成偏硅酸钠和氢。
Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑
硅在高温下,化学活泼性大大增加。
硅和熔融的金属如Mg、Cu、Fe、N2等化合形成硅化物。
2.2气体的净化
硅材料生产中常常用气体作为载流气体及利用氢气做还原剂,如果氢中含有CO2、CO时,会使衬底氧化,硅在氧化的衬底上沉积生长成多晶硅。
在硅材料生产中,常用氮气和氩气作保护气体或载流气体。
其工业气体的纯度比较低,这些气体中的的杂质存在,同样会造成硅材料的氧化。
2.2.1氢气净化流程
工业上获得氢气的方法很多,来源很丰富,各种来源氢气经过净化均可以作为高纯金属冶炼(如作为SiCL4或SiHCl3还原法生产多晶硅和硅外延)技术的使用,一般认为电解氢的纯度高,易于净化。
常用的净化有两种,一种是催化脱氧及吸附干燥法;
另一种是钯合金扩散法。
钯合金扩散法是目前国内外净化氢气比较先进的方法。
但是钯合金膜设备和材料较稀少,而且使用钯合金膜时,氢气仍需预先净化,因此这种方法的应用还不十分广泛,催化脱氧吸附干燥法是比较经济的,是一种被广泛应用的方法。
催化脱氧吸附干燥法的工艺流程:
电解氢→回火器→除油器→Ni-Cr接触剂→水冷器→深冷器→(两套)→粗氢↑→Ni-Cr接触剂→水冷→硅胶→硅胶→分子筛→分子筛→粗过滤→精过滤→纯氢
2.2.2氩气、氮气的净化
在高纯金属和半导体生产工艺过程中,常常利用氮气来赶尽系统中的空气(或用来做保护气体)。
因此使用前要进行净化,氮气的净化比较简单,因为氮气中的杂质主要是水和二氧化碳,所以通常用干燥吸附的方法来进行净化。
净化的方法;
氮气→加热器→干燥器→硅胶→活性炭→过滤器即可使用。
氩气的净化:
氩气→5A分子筛→AgX分子筛→送给用户。
2.3三氯氢硅原料的制备
一、工业硅(粗硅)
工业硅的制备方法很多,通常是用还原剂将SiO2还原成单质硅,还原剂有碳、镁、铝等。
用镁或铝还原的SiO2如果还原剂的纯度较高的话,那么所得的硅可达3~4个“9”。
在一般的工业生产中常常采用在电炉中用焦炭还原SiO2来制取单质硅,即把碳电极插入焦炭(或木炭)和石英组成的炉料中,温度为1600℃~1800℃还原出硅和CO,反应如下:
SiO2+2C→(1600℃~1800℃)Si+CO
在产品中存在杂质有Fe、C、B、P等,其中以铁含量为最多,因此又称工业硅为硅铁。
用此法还原制得的硅铁,纯度约为95~99%可以直接用来氯化制备卤化物,但是为了提高生产纯度需要进一步提纯用酸浸法。
当硅凝固时,多数杂质(Fe、Al、C、B、P、Cu等)离析在晶粒的周围,这些杂质呈硅化物或硅酸盐状态,一般都可以用酸溶(除少数杂质如SiC、Fe2O3不溶外)而硅则不溶于酸中。
酸浸法所用的酸有HCl、HNO3、FH、王水以及不同组合的混合酸,在酸中加入三价铁(氧化剂)将加速杂质的溶液解,升高温度和采用小粒硅粉,对提纯更是有利。
(有时会发爆鸣声,这是由于SiH4存在的原因)用此法可将硅的纯度提2~4个“9”。
我厂使用的工业硅(硅铁)是抚顺301厂二级块状硅,其纯度为98.4%,Fe0.6%,Al0.5%,Ca0.5%。
将硅铁破碎球磨至60~120目的硅粉是灰色固体,以待合成时使用。
二、氯气
分子量为71,呈黄绿色气体,常温时在将近6个大气压下变为液体,液体比重1.57g/l,标准状态下,1升氯气重3.21克,氯气具有刺激性,窒息性,在使用氯气时必须采取有效防护措施。
氯气是由电解食盐水溶液而制得的
2NaCl+2H2O→2NaOH+2H++2Cl-
纯度可达95%以上。
氯气在-34.5℃也可变成液体,含量为99.5%,氯气是一种化学性质很活泼的元素,它能跟氢气、金属、非金属直接化合,也能跟许多化合物发生反应(除碳、氧外)。
2Na+Cl2→(黄色火焰)2NaCl
2Sb+3Cl2→(放出火花)2SbCl3
Cl2+Cu→(棕黄色)CuCl2
三、三氯氢硅物理化学性质
常温下,纯净的SiHCl3,是无色、透明、挥发性、可燃的液体,有较SiCl4更强的刺鼻气味,其化学特性如下:
1、易水解、潮解,在空气中强烈发烟。
SiHCl3+1/2O2+H2O→SiO2+3HCl↑
2、易挥发、气化、沸点较低。
3、易制备、易还原。
4、易着火、易爆炸、发火点为28℃,着火温度为220℃,燃烧时产生氯化氢和氯气:
SiHCl3+O2→SiO2+HCl↑+Cl2↑
5、对金属极稳定,甚至对金属钠也不起反应。
6、其蒸汽具有弱毒性,与无水醋酸及二氮乙烯毒性程度相同。
在研究原料特性时,应尽量利用为生产所用,对其有害之特性也应予以充分重视,搞好安全生产。
三氯氢硅还原制备超纯硅的方法,在生产中之所以被广泛的应用和迅速发展,就是由于三氯氢硅的特性在生产中大放光彩,如它容易制得,解决了原料问题,容易还原成元素,沉积速度快,解决了产量中的问题;
它的沸点低,化学结构的弱极性,使得容易提纯,产品质量高;
利用它对金属的稳定特性,在确定精馏塔,贮料槽,还原炉等设备材料时,就可采用不锈钢作为材质,如此等等。
而另一方面,由于三氯氢硅有较大爆炸危险,因此在具体操作时应认真细心,思想上也应充分重视,做到安全生产。
在操作过程中,根据三氯氢硅的性质,应保持设备的干燥性和管道的密封性,如果发现微量漏气者而不知是什么地方时,可用浸有氨水的棉球接近待查处,视有浓厚烟雾,就可以断定漏气的地方。
反应如下:
2HCl+2NH4OH→2NH4Cl(白色烟雾)+2H2O
物理性质见下表
性能名称
SiCl4
SiHCl3
SiH4
分子量
169.2
135.4
32.092
密度(液体)g/㎝3
1.49
1.318
0.68
沸点℃
57.6
31.5
-111.8
密度(蒸汽)g/㎝3
0.0063
0.0055
/
熔点℃
-70
-128
-185
标准生成热千卡/克分子
-1540
-105.7
-148
蒸发热千卡/克分子
0.96
6.36
92.2
标准生成自由能千卡/克分子
-136.9
-96.58
-9.4
发火点℃
28
空气中自燃爆炸
化合物中硅的含量百分比%
16.6
20.9
87.5
物理状态常温
无色透明液体
爆发性无色气体
2.3.1氯化氢的性质及合成原理
氯化氯(HCl)分子量36。
5,是无色具有刺激性臭味的气体,易溶于水而成盐酸,在标准状态下1体积的水溶解约500体积的HCl,比重1.19(液体),在有水存在的情况下,氯化氢具有强烈的腐蚀性。
合成炉内,氯气与氢气反应按下式进行
H2+Cl2→2HCl+43.83卡
氢气火焰温度在1000℃以上。
生成的氯化氢含有少量的水份,需要分离除去,由于水份与氯化氢之间不是一种简单混和物的形式存在,而是一种化合亲合状态,若用硅胶作吸附剂来进行分离则效果不佳,实践表明,采用冷冻脱水干燥的方法来除去氯化氢中水份效果较好。
合成反应必须在高温或光线的作用下进行,当氯分子吸收能量后,其中少数氯分子成为活化原子
Cl2+能量(hr)→2Cl
Cl+H2→HCl+H+
H++Cl2→HCl-Cl-
如此反应反复进行多次——连串的反应,这种反应称链所反应,这种反应速度特别快,有时会引起爆炸事故,因此在生产过程中必须严格控制一定的操作条件。
2.3.2三氯氢硅制备原理
在沸腾床中硅粉和氯化氢按下列反应生成SiHCl3.
Si+3HCl→(280~320℃)SiHCl3+H2+50千卡/克分子
此反应为放热反应,为保持炉内稳定的反应温度在上述范围内变化以提高产品质量和实收率,必须将反应热实时带出,随着温度增高,SiCl4的生成量不断增大当温度超过350℃后,按下列反应生成大量的SiCl4。
Si+4HCl→(>350℃)SiCl4+2H2+54.6千卡/克分子
若温度控制不当,有时产生的SiCl4甚至高达50%以上,此反应还产生各种氯硅烷,硅、碳、磷、硼的聚卤化合物,CaCl2、AgCl2、MnCl3、AlCl3、ZnCl2、TiCl4、PbCl3、FeCl3、NiCl3、BCl3、CCl3、CuCl2、PCl3等。
从反应方程式看出,在合成三氯氢硅过程中,反应是复杂的,因此我们要严格地控制一定的操作条件。
23.3三氯氢硅合成工艺流程及设备
1、合成工艺:
皮带运输机辊宽500带长20M(电机2.8KW),干式球球磨机MQC型Φ900×
1800mm,所用电机28KW,鄂式破碎机进料口250×
120㎜(电机3KW),硅粉(120目)由料池被真空泵吸入旆风分离器后落入蒸气干革命燥炉,经电感干燥炉,再经硅粉计量罐计量后,加入沸腾炉内,沸腾炉送电升温330℃±
20℃,切断加热电源,转入自动控制。
由沸腾炉中反应生成SiHCl3气体进入旆风除尘器除去,经布袋过滤器过滤,经水冷器预冷,再经-40℃冷凝器冷嘲热讽凝,生成SiHCl3液体,流入产品计量罐计算后放入产品贮罐,列管冷凝器的余气进入水洗塔处理后放入大气。
2、SiHCl3合成设备:
①沸腾炉:
由炉筒、扩大部分和气体分布板、下锥部构成。
沸腾炉由A3钢(碳钢)制成,高4米Φ300㎜,扩大部分高1500㎜、Φ800㎜,分布板有83个泡罩式风冒,每个风帽有4个小孔,孔径Φ3㎜,底孔Φ5㎜均系不锈钢(1Cr18Ni9Ti)材料制成。
炉筒内设置3个高度不等的倒置U形不锈钢冷却水管,供降温所用。
②除尘器:
规格Φ600×
850㎜(外壳高1200㎜)两个除尘器并列使用,固定于每个除尘器法兰盘中心封底的过滤,规格为Φ300×
638㎜共有3960个,Φ6㎜的小孔,沿园周法兰向均匀分布72行,每行55孔,过滤筒外依次用6层玻璃布和5层120目的钢丝网包裸,除尘器法兰盖上附有测温装置(仅开炉时加热,一般情况下只保温)碳钢制造。
③预冷器:
两个串联使用,自来水冷却,冷凝面积1.85㎡碳钢(A3)制造。
④冷凝器:
列管式冷凝器,两个串联使用,用-40℃盐水冷凝,冷凝面积8㎡,碳钢(A3)制造。
2.3.4三氯氢硅合成的技术条件
1.反应温度:
反应温度对三氯氢硅的生成影响较大,温度过低则反应缓慢,过高(大于450℃)则反应生成的SiHCl3量降低SiCl4量增加,这是因为SiCl4结构具有高度的对称性,硅原子与氯原子是以共价键结合的,所以生成SiCl4时反应温度高达600℃时也不会引起热分解,而SiHCl3的分子结构是不对称的,硅原子和氢原子结合近于离子键,所以不稳定,由于SiHCl3的热稳定较差,在400℃时就开始分解,550℃剧烈分解,因此在生产过程中用适当的反应温度(280~320℃)是提高SiHCl3含量的有效途径。
2.氧和水份:
游离氧和水份,对合成反应极为有害,因为Si—O键比Si—Cl键更为稳定,反应产物极易发出氧化和水解,使SiHCl3的产率降低,水解生成的硅胶会堵塞管道,使操作发生困难,水解产生的盐酸对设备有强烈的腐蚀作用。
游离氧或水份,还能在硅表面逐渐形成一层致密地氧化膜,影响正常反应的进行,如果硅粉和HCl中含水量愈大,则产物中SiHCl3的含量愈。
当HCl的含水量0.1%时则SiHCl3含量小于80%,当HCl含量为0.05%则SiHCl3含量增加到接近90%,因此Si粉及HCl必须预先干燥脱水。
3.催化剂:
制备SiHCl3时使用催化剂能降低硅和HCl反应温度,提高SiHCl3的反应速度和产率;
同时还能避免少量氧和水份的有害影响。
如加入Cu5%的硅合金能降低反应温度240~250℃并能提高SiHCl3含量,还有加入氯化亚铜(Cu2Cl2)粉其比例Si:
Cu2Cl2=100:
0.4~1,当温度控制在280℃时,SiHCl3含量可达85~95%。
4.硅粉的粒度:
硅粉与HCl气体的反应是在硅表面上进行的,因此硅粉的表面积大(颗粒度小)有利于反应。
但是粒度过大,在“沸腾”过程中互相碰击,易磨擦起电,在电场作用下聚集成团,使沸腾订出现沟流现象,影响反应正常进行,而且颗粒过小,被气流挟带出合成炉的可能性变大,既浪费原料也易造成阻塞。
实践表明,采用80~120目的硅粉对获得高含量的SiHCl3且维持正常操作是合适的。
5.硅粉料层高度及HCl流量:
硅粉料层高度及HCl流量,也是影响SiHCl3产量和质量的重要因素,一般根据沸腾床面积及高度的大小。
由实践确定,如果料层过高,为了保持沸腾状态,则要求过高的HCl压力,但这会造成合成炉中硅粉易被气流带出的缺点,也造成后面系统产生阻塞,给生产带来困难;
如果料层过低,沸腾的不均匀性增大,反应温度不易控制。
HCl流量过小,沸腾情况变差,HCl往往沿着“短路”通过料层,反应不充分,SiHCl3产率降低。
2.4四氯化硅处理方法
冷氢化以洛阳中硅为代表,在氢化炉内通过高压加入活化干燥后的硅粉和催化剂,控制450-500℃的温度和15-20Kgf的压力进行反应,将SiCl4转化为SiHCl3,一次性转化率在22-25%左右。
该工艺总反应方程式为:
3SiCl4+2H2+Si→4SiHCl3
SiCl4“催化氢化”主生产工艺由催化氢化工序、氯硅烷提纯工序组成:
催化氢化工序:
SiCl4催化氢化工序工业级硅粉同特定催化剂混合均匀后,装入干燥炉;
氢气经加热后,进入干燥炉干燥硅粉、还原催化剂;
从干燥炉出来的氢气进入氢气净化装置处理后,返回系统;
干燥之后的硅粉、催化剂混合料,暂存于干燥炉,以备反应之用;
原料氢(来自多晶硅系统)经压缩机升压到后进入混合器与四氯化硅混合、配比,氢气-四氯化硅混合气体经加热后通入反应炉与来自混合料加入装置的混合料反应生成三氯氢硅(SiHCl3);
生成物三氯氢硅(SiHCl3)和未反应的四氯化硅(SiCl4)、氢气(H2)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)及少量氯化氢(HCl),经高效过滤器过滤后进入冷凝装置,被冷凝下来三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)混合液进入氯硅烷提纯塔,得到三氯氢硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4);
四氯化硅(SiCl4)返回系统再次循环转化,三氯氢硅(SiHCl3)三氯氢硅进入多晶硅生产系统生产多晶硅;
未被冷凝的氢气(H2)和少量二氯二氢硅(SiH2Cl2)及氯化氢(HCl)返回系统。
氯硅烷提纯工序:
氯硅烷冷凝料经过提纯1#塔、提纯2#塔两塔连续提纯,控制一定的温度、压力、回流比,提纯1#塔塔顶采出轻组分,塔釜物料进入提纯2#塔,提纯2#塔塔顶采出三氯氢硅(SiHCl3),中层塔板采出四氯化硅(SiCl4)返回催化氢化工序,塔釜采出重组分连同提纯1#塔塔顶采出的轻组分水解或外卖。
2.5多晶硅生产工艺流程
多晶硅最主要的工艺包括,三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化(有的采用氯氢化),精馏,还原,尾气回收,还有一些小的主项,制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。
2.7气体中微量O2的分析
1、原理
1本方法适用于半导体生产中保护性气体的监测,钢瓶及管道H2、N2、Ar中微量氧浓度的测定。
2 本指导书的仪器的测量元件是一个对氧敏感的Ag-Pb碱性原电池。
3
(阴极) Ag O2 |KOH溶液| Pb (阳极)
4 i
5其反应式如下:
阴极Ag:
O2+2H2O+4e→4OH-
6 阳极Pb:
2Pb+2KOH+4OH--4e→2KHPbO2+2H2O
7氧在银阴极上还原为氢氧根离子(OH-),并从外电路取得电子,铅阳极为氢氧化钾溶液所腐蚀,生成铅酸钾(KHPbO2),同时向外电路输出电子,接通外电路便有电流流过,电流的大小随氧含量而变化,一定的氧含量对应着一定的电流,故测得原电池电路中的电流,即可知气体中的氧含量。
82、原辅材料
92.1烧杯500ml
102.2容量瓶1000ml
112.3氢氧化钾分析纯或优级纯
123、设备和仪器
133.1DH—3型电化学式微量氧分析器
143.1.1运行基本条件:
12V直流电源。
153.1.2维护和保养:
设备保持通风干燥,无腐蚀性气体,碱液不能外泄,设备保持清洁卫生。
163.2天平
173.3环境要求:
环境温度5~40℃环境相对湿度:
≤85%,环境中无爆炸性气体以及强烈的腐蚀性气体,无显著的机械振动。
进入传送器的气样成份中无硫磷化学合物,油份等有害杂质。
184、产品形成过程控制
194.1工艺流程图
20
进气校对测量读数发报告
214.2过程控制
224.2.1 仪器启动前的准备
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 实习 报告