模拟电子技术基础-清华大学-全套完整版.ppt

模拟电子技术基础-清华大学-全套完整版.ppt

《模拟电子技术基础-清华大学-全套完整版.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子技术基础-清华大学-全套完整版.ppt（518页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

模拟电子技术基础,清华大学华成英,绪论,一、电子技术的发展,二、模拟信号与模拟电路,三、电子信息系统的组成,四、模拟电子技术基础课的特点,五、如何学习这门课程,六、课程的目的,七、考查方法,一、电子技术的发展电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！

广播通信：

发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机网络：

路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器工业：

钢铁、石油化工、机加工、数控机床交通：

飞机、火车、轮船、汽车军事：

雷达、电子导航航空航天：

卫星定位、监测医学：

刀、CT、B超、微创手术消费类电子：

家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统,电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。

从电子管半导体管集成电路,1904年电子管问世,电子管、晶体管、集成电路比较,半导体元器件的发展,1947年贝尔实验室制成第一只晶体管1958年集成电路1969年大规模集成电路1975年超大规模集成电路,第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。

有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。

学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！

第一只晶体管的发明者（byJohnBardeen,WilliamSchockleyandWalterBrattaininBellLab）,第一个集成电路及其发明者（JackKilbyfromTI）,1958年9月12日，在德州仪器公司的实验室里，实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想。

42年以后，2000年获诺贝尔物理学奖。

“为现代信息技术奠定了基础”。

他们在1947年11月底发明了晶体管，并在12月16日正式宣布“晶体管”诞生。

1956年获诺贝尔物理学奖。

巴因所做的超导研究于1972年第二次获得诺贝尔物理学奖。

值得纪念的几位科学家！

二、模拟信号与模拟电路,1.电子电路中信号的分类数字信号：

离散性,模拟信号：

连续性。

大多数物理量为模拟信号。

2.模拟电路模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。

最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。

其它模拟电路多以放大电路为基础。

“1”的电压当量,介于K与K+1之间时需根据阈值确定为K或K+1,任何瞬间的任何值均是有意义的,三、电子信息系统的组成,模拟电子电路,数字电子电路（系统）,传感器接收器,隔离、滤波、放大,运算、转换、比较,功放,四、模拟电子技术基础课的特点,1、工程性实际工程需要证明其可行性。

强调定性分析。

实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存在一定的误差范围的。

定量分析为“估算”。

近似分析要“合理”。

抓主要矛盾和矛盾的主要方面。

电子电路归根结底是电路。

不同条件下构造不同模型。

2.实践性常用电子仪器的使用方法电子电路的测试方法故障的判断与排除方法EDA软件的应用方法,五、如何学习这门课程,1.掌握基本概念、基本电路和基本分析方法基本概念：

概念是不变的，应用是灵活的，“万变不离其宗”。

基本电路：

构成的原则是不变的，具体电路是多种多样的。

基本分析方法：

不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法，因而有不同的分析方法。

2.注意定性分析和近似分析的重要性3.学会辩证、全面地分析电子电路中的问题根据需求，最适用的电路才是最好的电路。

要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。

4.注意电路中常用定理在电子电路中的应用,六、课程的目的,1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。

2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。

本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。

注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识，学习科学的思维方法。

提倡快乐学习！

清华大学华成英,七、考查方法,1.会看：

读图，定性分析2.会算：

定量计算,考查分析问题的能力,3.会选：

电路形式、器件、参数,4.会调：

仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA,考查解决问题的能力设计能力,考查解决问题的能力实践能力,第一章半导体二极管和三极管,第一章半导体二极管和三极管,1.1半导体基础知识,1.2半导体二极管,1.3晶体三极管,1半导体基础知识,一、本征半导体,二、杂质半导体,三、PN结的形成及其单向导电性,四、PN结的电容效应,一、本征半导体,导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。

1、什么是半导体？

什么是本征半导体？

导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。

绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。

半导体硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。

2、本征半导体的结构,由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子,自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴,自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。

共价键,一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。

外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。

由于载流子数目很少，故导电性很差。

为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？

3、本征半导体中的两种载流子,运载电荷的粒子称为载流子。

温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。

热力学温度0K时不导电。

二、杂质半导体1.N型半导体,磷（P）,杂质半导体主要靠多数载流子导电。

掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。

多数载流子,空穴比未加杂质时的数目多了？

少了？

为什么？

2.P型半导体,硼（B）,多数载流子,P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，,在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？

少子与多子变化的数目相同吗？

少子与多子浓度的变化相同吗？

三、PN结的形成及其单向导电性,物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。

气体、液体、固体均有之。

P区空穴浓度远高于N区。

N区自由电子浓度远高于P区。

扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。

PN结的形成,因电场作用所产生的运动称为漂移运动。

参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。

内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。

PN结加正向电压导通：

耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。

PN结加反向电压截止：

耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。

由于电流很小，故可近似认为其截止。

PN结的单向导电性,必要吗？

清华大学华成英,四、PN结的电容效应,1.势垒电容,PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。

2.扩散电容,PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。

结电容：

结电容不是常量！

若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！

问题,为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？

为什么半导体器件的温度稳定性差？

是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？

为什么半导体器件有最高工作频率？

2半导体二极管,一、二极管的组成,二、二极管的伏安特性及电流方程,三、二极管的等效电路,四、二极管的主要参数,五、稳压二极管,一、二极管的组成,将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。

小功率二极管,大功率二极管,稳压二极管,发光二极管,一、二极管的组成,点接触型：

结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。

面接触型：

结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。

平面型：

结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。

二、二极管的伏安特性及电流方程,开启电压,反向饱和电流,击穿电压,温度的电压当量,二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

利用Multisim测试二极管伏安特性,从二极管的伏安特性可以反映出：

1.单向导电性,2.伏安特性受温度影响,T（）在电流不变情况下管压降u反向饱和电流IS，U（BR）T（）正向特性左移，反向特性下移,正向特性为指数曲线,反向特性为横轴的平行线,增大1倍/10,三、二极管的等效电路,理想二极管,近似分析中最常用,导通时i与u成线性关系,应根据不同情况选择不同的等效电路！

1.将伏安特性折线化,？

100V？

5V？

1V？

2.微变等效电路,Q越高，rd越小。

当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。

ui=0时直流电源作用,小信号作用,静态电流,四、二极管的主要参数,最大整流电流IF：

最大平均值最大反向工作电压UR：

最大瞬时值反向电流IR：

即IS最高工作频率fM：

因PN结有电容效应,第四版P20,讨论：

解决两个问题,如何判断二极管的工作状态？

什么情况下应选用二极管的什么等效电路？

uD=ViR,ID,UD,V与uD可比，则需图解：

实测特性,对V和Ui二极管的模型有什么不同？

五、稳压二极管,1.伏安特性,进入稳压区的最小电流,不至于损坏的最大电流,由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。

2.主要参数,稳定电压UZ、稳定电流IZ,最大功耗PZMIZMUZ,动态电阻rzUZ/IZ,若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！

限流电阻,斜率？

1.3晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。

中功率管,大功率管,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。

少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空穴的扩散,电流分配：

IEIBICIE扩散运动形成的电流IB复合运动形成的电流IC漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？

三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移？

对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。

为什么像PN结的伏安特性？

为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？

1.输入特性,2.输出特性,是常数吗？

什么是理想晶体管？

什么情况下?

对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。

为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？

为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？

饱和区,放大区,截止区,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。

四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数：

、ICBO