材料科学基础选择题.docx
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材料科学基础选择题.docx
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材料科学基础选择题
1、极化会对晶体结构产生显著影响,可使键性由(B)过渡,最终使晶体结构类型发生变化。
A:
共价键向离子键B:
离子键向共价键
C:
金属键向共价键D:
键金属向离子键
2、离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(B),离子配位数()。
A:
增大,降低B:
减小,降低
C:
减小,增大D:
增大,增大
3、氯化钠具有面心立方结构,其晶胞分子数是(C)。
A:
5B:
6
C:
4D:
3
4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的(B)空隙中。
A:
全部四面体B:
全部八面体
C:
1/2四面体D:
1/2八面体
5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的(C)空隙中。
A:
全部四面体B:
全部八面体
C:
全部立方体D:
1/2八面体
6、MgO晶体属NaCl型结构,由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成,其一个单位晶胞中有(B)个MgO分子。
A:
2B:
4
C:
6D:
8
7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积,F-填充了(D)。
A:
八面体空隙的半数B:
四面体空隙的半数
C:
全部八面体空隙D:
全部四面体空隙
8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8,F-配位数为(B)。
A:
2B:
4
C:
6D:
8
9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8,Cl-的配位数为(D)。
A:
2B:
4
C:
6D:
8
10、硅酸盐晶体的分类原则是(B)。
A:
正负离子的个数B:
结构中的硅氧比
C:
化学组成D:
离子半径
11、锆英石Zr[SiO4]是(A)。
A:
岛状结构B:
层状结构
C:
链状结构D:
架状结构
12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代,这种现象称为(C)。
A:
同质多晶B:
有序—无序转变
C:
同晶置换D:
马氏体转变
13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是(A)。
A:
岛状结构B:
层状结构
C:
链状结构D:
架状结构
14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较,其由大到小的顺序为(A)。
A:
沸石>萤石>MgOB:
沸石>MgO>萤石
C:
萤石>沸石>MgOD:
萤石>MgO>沸石
15、根据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价阴离子的配位数为(B)。
A:
2 B:
4
C:
6 D:
8
16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体,两个相邻的[SiO4]四面体之间只能(A)连接。
A:
共顶 B:
共面
C:
共棱 D:
A+B+C
17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关,以下点缺陷中属于本征缺陷的是(D)。
A:
弗仑克尔缺陷B:
肖特基缺陷
C:
杂质缺陷D:
A+B
18、位错的(A)是指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
A:
攀移B:
攀移
C:
增值D:
减少
19、对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷,为了保持电中性,会产生(D)。
A:
负离子空位B:
间隙正离子
C:
间隙负离子D:
A或B
20、对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷,为了保持电中性,会产生(D)。
A:
正离子空位B:
间隙负离子
C:
负离子空位D:
A或B
21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为(D)。
A:
稳定晶格B:
活化晶格
C:
固溶强化D:
A+B+C
22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变,但点阵畸变,性能变化。
固溶体有有限和无限之分,其中(B)。
A:
结构相同是无限固溶的充要条件
B:
结构相同是无限固溶的必要条件,不是充分条件
C:
结构相同是有限固溶的必要条件
D:
结构相同不是形成固溶体的条件
23、缺陷对晶体的性能有重要影响,常见的缺陷为(D)。
A:
点缺陷B:
线缺陷
C:
面缺陷D:
A+B+C
24、按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为(D)。
A:
热缺陷B:
杂质缺陷
C:
非化学计量缺陷D:
A+B+C
25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加,其变化规律是(B)。
A:
线性增加B:
呈指数规律增加
C:
无规律D:
线性减少
26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体,其溶质原子位于点阵的间隙中。
讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑(D)。
A:
杂质质点大小B:
晶体(基质)结构
C:
电价因素D:
A+B+C
27、位错的滑移是指位错在(A)作用下,在滑移面上的运动,结果导致永久形变。
A:
外力B:
热应力
C:
化学力D:
结构应力
28、柏格斯矢量(BurgersVector)与位错线垂直的位错称为(A),其符号表示为()。
A:
刃位错;⊥B:
刃位错;VXC:
螺位错;D:
刃位错;
29、热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。
当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,(B)。
A:
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小
B:
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
C:
正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
D:
正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
30、热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。
生成弗仑克尔缺陷(Frenkeldefect)时,(A)。
A:
间隙和空位质点同时成对出现
B:
正离子空位和负离子空位同时成对出现
C:
正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
D:
正离子间隙和位错同时成对出现
31、位错的具有重要的性质,下列说法不正确的是(C)。
A:
位错不一定是直线B:
位错是已滑移区和未滑移区的边界
C:
位错可以中断于晶体内部D:
位错不能中断于晶体内部
32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移,其中(A)。
A:
螺位错只作滑移,刃位错既可滑移又可攀移
B:
刃位错只作滑移,螺位错只作攀移
C:
螺位错只作攀移,刃位错既可滑移又可滑移
D:
螺位错只作滑移,刃位错只作攀移
33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度(数量)受(D)因素的影响。
A:
组成B:
温度
C:
时间D:
A+B+C
34、当熔体组成不变时,随温度升高,低聚物数量(C),粘度()。
A:
降低;增加B:
不变;降低
C:
增加;降低D:
增加;不变
35、当温度不变时,熔体组成的O/Si比高,低聚物(C),粘度()。
A:
降低;增加B:
不变;降低
C:
增加;降低D:
增加;不变
36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而(B),随温度下降而()。
A:
增大,降低B:
降低,增大
C:
增大,增大D:
降低,降低
37、由结晶化学观点知,具有(A)的氧化物容易形成玻璃。
A:
极性共价键 B:
离子键
C:
共价键 D:
金属键
38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为(D)。
A:
1B:
2
C:
3D:
4
39、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为(B)。
A:
2.5B:
3
C:
3.5D:
4
40、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时,粘度比等量的一种R2O高,这种现象为(B)。
A:
加和效应B:
混合碱效应
C:
中和效应D:
交叉效应
41、对普通硅酸盐熔体,随温度升高,表面张力将(A)。
A:
降低B:
升高
C:
不变D:
A或B
42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响,一般情况下,O/Si减小,表面张力将(A)。
A:
降低B:
升高
C:
不变D:
A或B
43、由熔融态向玻璃态转变的过程是(C)的过程。
A:
可逆与突变B:
不可逆与渐变
C:
可逆与渐变D:
不可逆与突变
44、当组成变化时,玻璃的物理、化学性质随成分变化具有(C)。
A:
突变性B:
不变性
C:
连续性D:
A或B
45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响,一般情况下,O/Si减小,表面张力将(A)。
(A)降低(B)升高(C)不变(D)A或B
46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值(Tg/TM)接近(B)易形成玻璃。
A:
二分之一B:
三分之二
C:
四分之一D:
五分之一
47、可用三T(Time-Temperature-Transformation)曲线来讨论玻璃形成的动力学条件,三T曲线前端即鼻尖对应析出10-6体积分数的晶体的时间是最少的,由此可得出形成玻璃的临界冷却速率,通常,该临界冷却速率愈大,则系统形成玻璃(A)。
A:
愈困难B:
愈容易
C:
质量愈好D:
质量愈差
48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构,形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。
聚合程度越低,形成玻璃(A)。
A:
越不容易B:
越容易
C:
质量愈好D:
质量愈差
49、当熔体中负离子集团以(C)的歪曲链状或环状方式存在时,对形成玻璃有利。
A:
低聚合B:
不聚合
C:
高聚合D:
A或C
25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数,玻璃的很多性质取决于Y值。
在形成玻璃范围内,随Y的增大,粘度(D),膨胀系数()。
A:
增大;不变B:
降低;增大
C:
不变;降低D:
增大;降低
50、对于实际晶体和玻璃体,处于物体表面的质点,其境遇和内部是不同的,表面的质点处于(A)的能阶,所以导致材料呈现一系列特殊的性质。
A:
较高B:
较低
C:
相同D:
A或C
51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断,表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移,称为(B)。
A:
表面收缩B:
表面弛豫
C:
表面滑移D:
表面扩张
52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等,一般说来,同一种物质,其固体的表面能(B)液体的表面能。
A:
小于B:
大于
C:
小于等于D:
等于
53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内(),垂直方向的层间距与体内(A)。
A:
不同;相同B:
相同;相同
C:
相同;不同D:
不同;不同
54、粘附剂与被粘附体间相溶性(C),粘附界面的强度()。
A:
越差;越牢固B:
越好;越差
C:
越好;越牢固D:
越好;不变
55、离子晶体MX在表面力作用下,极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置,易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动,从而形成表面(C,这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。
A:
收缩B:
弛豫
C:
双电层D:
B+C
56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生,微裂纹同样会强烈地影响表面性质,对于脆性材
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- 材料科学 基础 选择题