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thisdescriptionappliesonlywhentheemitterconnectioniscommontobothcircuits------knownascommonemitterconfiguration.)thisisthemostwidelyusedwayofconnectingtransistors,butthereare,ofcourse,twootheralternativeconfigurations----commonbaseandcommoncollector.But,thesameprinciplesapplyintheworkingofthetransistorineachcase.
Fig.1-2B-3Basecircuitandcollectorcircuit
Theparticularadvantageofferedbythiscircuitisthatarelativelysmallbasecurrentcancontrolandinstigateaverymuchlargercollectorcurrent(or,morecorrectly,asmallinputpoweriscapableofproducingamuchlargeroutputpower).Inotherwords,thetransistorworksasanamplifier.
Withthismodeofworkingthebase-emittercircuitistheinputside;
andtheemitterthroughbasetocollectorcircuittheoutputside.Althoughthesehaveacommonpaththroughbaseandemitter,thetwocircuitsareeffectivelyseparatedbythefactthatasfaraspolarityofthebasecircuitisconcerned,thebaseandupperhalfofthetransistorareconnectedasareversebiaseddiode.Hencethereisnocurrentflowfromthebasecircuitintothecollectorcircuit.
Forthecircuittowork,ofcourse,polaritiesofboththebaseandcollectorcircuitshavetobecorrect(forwardbiasappliedtothebasecircuit,andthecollectorsupplyconnectedsothatthepolarityofthecommonelement(theemitter)isthesamefrombothvoltagesources).Thisalsomeansthatthepolarityofthevoltagesmustbecorrectforthetypeoftransistor.InthecaseofaPNPtransistorasdescribed,theemittervoltagemustbepositive.Itfollowsthatboththebaseandcollectorarenegativelyconnectedwithrespecttotheemitter.ThesymbolforaPNPtransistorhasanarrowontheemitterindicatingthedirectionofcurrentflow,alwaystowardsthebase.(“P”forpositive,withaPNPtransistor).
InthecaseofanNPNtransistor,exactlythesameworkingprinciplesapplybutthepolaritiesofbothsuppliesarereversed(Fig.1-2b-4).Thatistosay,theemitterisalwaysmadenegativerelativetobaseandcollector(“N”fornegativeinthecaseofanNPNtransistor).ThisisalsoinferredbythereversedirectionofthearrowontheemitterinthesymbolforanNPNtransistor,i.e.,currentflowawayfromthebase.
Fig.1-2B-4NPNtransistorcircuit
Whiletransistorsaremadeinthousandsofdifferenttypes,thenumberofshapesinwhichtheyareproducedismorelimitedandmoreorless(或多或少)standardizedinasimplecode----TO(TransistorOutline)followedbyanumber.
TO1istheoriginaltransistorshape—acylindrical(adj.圆柱形的)“can”(n.密封外壳)withthethreeleadsemergingintriangular(adj.三角的)patternfromthebottom.Lookingatthebase,theupperleadinthe“triangle”isthebase,theonetotheright(markedbyacolorspot)thecollectorandtheonetothelefttheemitter.Thecollectorleadmayalsobemorewidelyspacedfromthebaseleadthantheemitterlead.
InotherTOshapesthethreeleadsmayemergeinsimilartriangularpattern(butnotnecessarilywiththesamepositionsforbase,collectorandemitter),orin-line.Justtoconfusetheissuetherearealsosub-typesofthesameTOnumbershapewithdifferentleaddesignations.TheTO92,forexample,hasthreeleadsemerginginlingparalleltoaflatsideonanotherwisecircular“can”reading1,2,3fromtoptobottomwiththeflatsidetotherightlookingatthebase.
WithTO92sub-typea(TO92a):
1=emitter
2=collector
3=base
WithTO92sub-typeb(TO92b):
2=base
3=collector
Tocomplicatethingsfurther,sometransistorsmayhaveonlytwoemergingleads(thethirdbeingconnectedtothecaseinternally(andsometransistoroutlineshapesarefoundwithmorethanthreeleadsemergingfromthebase.These,infact,areintegratedcircuits(ICs),packagedinthesameoutlineshapeasatransistor.MorecomplexICsarepackagedinquitedifferentform,e.g.,flatpackages.
Powertransistorsareeasilyidentifiedbyshape.Theyaremetalcasedwithanelongated(adj.延长的)bottomwithtwomountingholes.Therewillonlybetwoleads(theemitterandbase)andthesewillnormallybemarked.Thecollectorisconnectedinternallytothecan,andsoconnectiontothecollectorisviaoneofthemountingboltsorbottomofthecan.
简单地说,半导体是这样一种物质,它能够通过“掺杂”来
产生多余的电子,又称自由电子(N型);
或者产生“空穴”,
又称正电荷(P型)。
由N型掺杂和P型掺杂处理的锗或硅的单
晶体可形成半导体二极管,它具有我们描述过的工作特性。
晶
体管以类似的方式形成,就象带有公共中间层、背靠背的两个
二极管,公共中间层是以对等的方式向两个边缘层渗入而得,
因此中间层比两个边缘层或边缘区要薄的多。
PNP或NPN(图1-2B-1)这两种结构显然是可行的。
PNP或NPN被用于描述晶体管的两个基本类型。
因为晶体管
包含两个不同极性的区域(例如“P”区和“N”区),所以晶体
管被叫作双向器件,或双向晶体管
因此晶体管有三个区域,并从这三个区域引出三个管脚。
要使工作电路运行,晶体管需与两个外部电压或极性连接。
其中一个外部电压工作方式类似于二极管。
事实上,保留这个外部电压并去掉上半部分,晶体管将会象二极管一样工作。
例如在简易收音机中用晶体管代替二极管作为检波器。
在这种情况下,其所起的作用和二极管所起的作用一模一样。
可以给二极管电路加正向偏置电压或反向偏置电压。
在加正向偏置电压的情况下,如图1-2B-2所示的PNP晶体管,电流从底部的P极流到中间的N极。
如果第二个电压被加到晶体管的顶部和底部两个极之间,并且底部电压极性相同,那么,流过中间层N区的电子将激发出从晶体管底部到顶部流过的电流。
1-2B-2PNP晶体管电路
在生产晶体管的过程中,通过控制不同层的掺杂度,经过负载电阻流过第二个电路电流的导电能力非常显著。
实际上,当晶体管下半部为正向偏置时,底部的P区就像一个取之不竭的自由电子源(因为底部的P区发射电子,所以它被称为发射极)。
这些电子被顶部P区接收,因此它被称为集电极,但是流过这个特定电路实际电流的大小由加到中间层的偏置电压控制,所以中间层被称为基极。
因此,当晶体管外加电压接连正确(图1-2B-3)后工作时,实际上存在两个独立的“工作”电路。
一个是由偏置电压源、发射极和基极形成的回路,它被称为基极电路或输入电路;
第二个是由集电极电压源和晶体管的三个区共同形成的电路,它被称为集电极电路或输出电路。
(注意:
本定义仅适用于发射极是两个电路的公共端时——被称为共发射极连接。
)
图1-2B-3基极电路和集电极电路
这是晶体管最常见的连接方式,但是,当然也存在其它两
种连接方法——共基极连接和共集电极连接。
但是在每一种情况下晶体管的工作原理是相同的。
本电路的特色是相对小的基极电流能控制和激发出一个比
它大得多的集电极电流(或更恰当地说,一个小的输入功率能
够产生一个比它大得多的输出功率)。
换句话说,晶体管的作
用相当于一个放大器。
在这种工作方式中,基极-发射极电路是输入侧;
通过基极
的发射极和集电极电路是输出侧。
虽然基极和发射极是公共路
径,但这两个电路实际上是独立的,就基极电路的极性而言,
基极和晶体管的集电极之间相当于一个反向偏置二极管,因此
没有电流从基极电路流到集电极电路。
要让电路正常工作,当然,加在基极电路和集电极电路的电压极性必须正确(基极电路加正向偏置电压,集电极电源的连接要保证公共端(发射极)的极性与两个电压源的极性相同)。
这也就是说电压极性必须和晶体管的类型相匹配。
在上述的PNP型晶体管中,发射极电压必须为
正。
因此,基极和集电极相对于发射极的极性为负。
PNP型晶体管的符号在发射极上有一个指示电流方向的箭头,总是指向基极。
(在PNP型晶体管中,“P”代表正)
图1-2B-4NPN晶体管电路
在NPN型晶体管中,工作原理完全相同,但是两个电源的极性正好相反(图1-2B-4)。
也就是说,发射极相对于基极和集电极来说极性总是负的(在NPN型晶体管中,“N”代表负)。
这一点也可以从NPN型晶体管符号中发射极上相反方向的箭头看出来,即,电流从基极流出。
虽然现在生产的晶体管有上千种不同的型号,但晶体
管各种外壳形状的数量相对有限,并尽量用一种简单码—
—TO(晶体管外形)后跟一个数字为统一标准。
TO1是一种最早的晶体管外壳——即一个在底部带有三个引脚的圆柱体“外罩”,这三个引脚在底部形成三角状。
观看底部时,“三角形”上面的管脚是基极,其右面的管脚(由一个彩色点标出)为集电极,其左面的管脚为发射极。
集电极引脚到基集引脚的间距也许比发射极到基集引脚的间距要大。
在其它TO外壳中,三个引脚可能有类似的三角形形状(但
是基极、集电极和发射极的位置不一定相同),或三个引脚排
成一条直线。
使人容易搞乱的问题是同一TO号码的子系列产
品其管脚位置是不一样的。
例如,TO92的三个管脚排成一条直线,这条直线与半圆型“外罩”的切面平行,观看TO92的底部时,将切面冲右,从上往下读,管脚的排序为1,2,3。
(注otherwisecircular“can”中的otherwise译为不同的,特殊的。
在这里“特殊的圆形外罩”指的应该是普通的圆柱体“外罩”在圆平面上画一条小于等于直径的弦,沿轴线方向切入后形成的半或大半圆柱体,切入后形成的剖面就是文中说的aflatside,这也是现在很常见的一种晶体管外壳。
)
对TO92子系列a(TO92a):
1=发射极
2=集电极
3=基极
对TO92子系列b(TO92b):
2=基极
3=集电极
更容易使人搞乱的是一些晶体管只有两个管脚(第三个管脚已在里边和外壳连接);
一些和晶体管的外形很像的外壳底部有三个以上的管脚。
实际上,这些都是集成电路(ICs),用和晶体管相同的外壳包装的,只是看起来像晶体管。
更复杂的集成电路(ICs)用不同形状的外壳包装,例如平面包装。
根据外壳形状非常
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