最新半导体物理综合练习题3参考答案Word文件下载.docx
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3、如图所示,解释一下n0~T关系曲线。
4、若费米能EF=5eV,利用费米分布函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的概率为1%。
并计算在该温度下电子分布概率0.9~0.1所对应的能量区间。
5、两块n型硅材料,在某一温度T时,第一块与第二块的电子密度之比为n1/n2=e(e是自然对数的底)
(1)如果第一块材料的费米能级在导带底之下3k0T,试求出第二块材料中费米能级的位置;
(2)求出两块材料中空穴密度之比p1/p2。
6、硼的密度分别为NA1和NA2(NA1>
NA2)的两个硅样品,在室温条件下:
(1)哪个样品的少子密度低?
(2)哪个样品的EF离价带顶近?
(3)如果再掺入少量的磷(磷的密度N`D<
NA2),它们的EF如何变化?
7、现有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为p01=2.25×
1016cm-3、p02=1.5×
1010cm-3、p03=2.25×
104cm-3。
(1)分别计算这三块材料的电子浓度n01、n02、n03;
(2)判别这三块材料的导电类型;
(3)分别计算这三块材料的费米能级的位置。
8、室温下,本征锗的电阻率为47Ω·
cm,试求本征载流子浓度。
若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。
设杂质全部电离。
锗原子的浓度为4.4×
1022/cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。
设µ
n=3600cm2/(V·
s),µ
p=1700cm2/(V·
s)且认为不随掺杂而变化。
ni=2.5×
1013cm-3。
9、在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度ND=1014cm-3,受主杂质浓度NA=7×
1013cm-3,设室温本下本征锗材料的电阻率为ρi=60Ω·
cm,假设电子和空穴的迁移率分别为µ
n=3800cm2/(V·
p=1800cm2/(V·
s),若流过样品的电流密度为52.3mA/cm2,求所施加的电场强度。
10、某n型半导体硅,其掺杂浓度ND=1015cm-3,少子寿命τp=5µ
s,若由于外界作用,使其少子载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近),试求此时电子-空穴的产生率是多大(设ni=1.5×
1010cm-3)?
11、某p型半导体中的掺杂浓度NA=1016cm-3,少子寿命τn=10µ
s,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=1018cm-3·
s,试计算室温时光照射情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。
(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)
12、下图为p型半导体在光照射前后的三组能带图,问哪一组简图能正确地反映这一变化情况。
13、平衡pn结有什么特点,画出势垒区中载流子飘移运动和扩散运动的方向。
14、如图所示,p型和n型半导体材料接触结,试画出热平衡时的能带图,并标出势垒高度和势垒宽度。
15、推导pn结自建电动势方程
16、有锗pn结,设p区的掺杂浓度为NA,n区的掺杂浓度为ND,已知ND=102NA,而NA相当于108个锗原子中有一个受主原子,计算室温下接触电位差VD。
若NA浓度保持不变,而ND增加102倍,试接触电位差的改变。
《Lesson7》教学反思
1、导入部分新颖自然,学生容易接受。
课堂的导入,是教师在新的教学内容活动开始时引导学生进入学习的行为方式。
导入是课堂教学的一个有机组成部分,是实际教学的前奏,起着“引子”的作用。
在本课中我首先播放恐龙片段,激发学生的学习兴趣,同时引出本课所学话题:
dinosaurs,从而进行教学。
2、教学思路清晰,活动形式多样。
坚持以情景话题为核心,以功能、结构为主线,以任务型活动贯穿教学始终,运用直观教学法,情景教学法,全身反应法等教学方法,帮助学生在听、说、读、唱、玩、演等富有趣味活动中,相互合作,体验参与,自主的、愉快的学习英语,发展能力,维持兴趣。
3、对话如何教学成为我一直思考的问题,在教学中我不断进行改进和调整,寻找适合学生的教学方法,适合高年级的学习。
4、今天的教学中学生的练习还不够,单词过去式的形式如果在丰富一些,本课的教学效果会更好。
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