第1章 半导体器件习题及答案综述Word格式.docx

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（注:

在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论）

.1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数

2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对

3、半导体中的载流子为_________。

A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴

4、N型半导体中的多子是_________。

A.电子B.空穴C.正离子D.负离子

5、P型半导体中的多子是_________。

6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有

很大关系。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度C.晶体缺陷

7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

当PN结外加反向电压

时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变

8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。

（A1．15%B1．大于

15%C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。

（A2．增大B2．减小；

C2．基本不变）

9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。

（A1．上移B1．下移C1．不变）说明此时反向电流________。

（A2．减小B2．增大C2．不变）.

10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[]I=2mAB.I<

2mAC.I>

2mAD.不能确定

图1.10图1.11图1.13

11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。

当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。

当温

度上生到为40OC时,则UD的大小将是[]

A.仍等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7VD.不能确定

12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。

当温度上升

到40℃时，则I的大小将是。

A.I=2mAB.I<

2mAC.I>

2mA

13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1mA,反向击穿电压为5V,击

穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[]

A.0.1mAB.2.5mAC.5mAD.15mA

14、二极管的主要特性是[]

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性

15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮

的灯是_________。

A.bB.cC.a

16、二极管电路如下图1.16所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压Vo为______。

（设二极管的导通压降0）A.5.6VB.-4.3VC.-5VD.6V

图1.15图1.16图1.17图1.18

17、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压Vo为______（设二极管的导通压降为0.7V）A.0VB.-0.7VC.-1.7VD.1V

18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

（设二极管的导通压降为0.7V）A.-8.3VB.8VC.9VD.-9.3V

19、电路如下图1.19所示。

试估算A点的电位为_________。

（设二极管的正向压降为0.7V。

）

A.6.7VB.6VC.5.7VD.6.7V

20、已知如下图1.20所示电路中VA＝0V，VB＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定Vo

的值为_____。

）A.5VB.-4VC.4.3VD.0.7V

图1.19图1.20图1.21（a）图1.21（b）

21、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图1.21（a）

中电路的输出电压Vo为_______；

可求出图1.21（b）中电路的输出电压Vo为_______；

可

求出图1.21（c）中输出电压Vo为_______；

可求出图1.21（d）中输出电压Vo为_______。

A.0.7VB.1.4VC.5VD.7VE.8VG..13VH.17VF.11.6V

图1.21（c）图1.21（d）图1.22（a）图1.22（b）

22、已知DZ1、DZ2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22（a）路中，

输出电压为_________；

可求得图1.22（b）中输出电压为_________。

A.1VB.5VC.6VD.13VE.7V

23、二极管的双向限幅电路如右图所示。

设vi为幅值大于

直流电源VC1（=－VC2）值的正弦波，二极管为理想器件。

则可画出vo的波形为_________。

A.a）B.b）C.c）D.d）

24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。

二极管的性能

最好的是_________。

A.a）B.b）C.c

管号

加0.5V正向电压时的电流

加反向电压时的电流

a）

0.5mA

1μA

b）

5mA

0.1μA

c）

5μA

25、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。

若UD增大到0.66V（即增加10%），

则电流ID。

A.约为11mA（也增加10%）；

B.约为20mA（增大1倍）；

C.约为100mA（增大到原先的10倍）；

D.仍为10mA（基本不变）。

26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三

个电极时以测出最为方便。

A.中极间电阻B.各极对地电位C.各极电流

27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，正向结电压

UBE。

A.变大B.变小C.不变

28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性

曲线之间的间隔将。

A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变

29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。

A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏

C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏

30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30图所示，该晶体管的类型

是。

A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管

31、某三极管各个电极的对地电位如图1.37所示，可判断其工作状态是。

A.饱和B.放大

C.截止D.已损坏

2V6V

1.3V

图1.30图1.31

32、三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的倍.A.aB.1+βC.β

33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；

工作在放大区时，b-e

极间为，b-c极间为。

A.扩散电流B.漂移电流

34、某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。

若它的工作电压VCE=10V，

则工作电流IC不得超过mA（A.100maB.15mAC.1mA）；

若工作电压VCE=1V，

则工作电流不得超过mA（A.100mAB.15mAC.1mA）；

若工作电流IC=1mA，则

工作电压不得超过V（A.30VB.10VC.1V）。

三、计算题

1.写出图3.1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

图3.1

2.已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。

求图3.2所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

图3.2

3电路如图3.3所示，已知ui＝10sinωt（v），试画出ui与uO的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图3.3

4电路如图3.4所示，已知ui＝5sinωt（V），二极管导通电压UD＝0.7V。

试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

图3.4

5电路如图3.5（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。

试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。

图3.5

6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。

试问：

（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？

各为多少？

（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？

7已知图3.7所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。

（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；

（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?

为什么？

图3.7

8已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。

试求图3.8所示电路中电阻R的取值范围。

图3.8

9.在图3.9所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，

正向电流在5～15mA时才能正常工作。

（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？

（2）R的取值范围是多少？

图3.9

10电路如图3.10（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。

试分别画出uO1和uO2的波形。

图3.10

11.有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；

另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。

你认为应选用哪只管子？

12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图3.12所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图3.12

13.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图3.13所示。

分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

图3.13

14电路如图3.14所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。

试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

图3.14

15.电路如图3.15所示，试问β大于多少时晶体管饱和？

图3.15

16电路如图3.16所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；

稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。

当uI＝0V时uO＝？

当uI＝－5V时uO＝？

图3.16

17分别判断图3.17所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图3.17

第1章半导体器件习题答案

一、判断题

1．×

2．×

3．√4．×

5．×

6．×

7．√8．√9．√

10．×

11．√12．×

13．√14．×

15．×

16．×

17．√18．×

二、选择题

1．B2．D3．D4．A5．B6．CA7．AEBD8．B1B29．B1B2

10．C11．C12.C13.B14.C15.B16.C17.B18.D19.D20.C

21．GBCA22.AC23.A24.B25.C26.B27.AAB28.CAE29.B

30．A31.D32.B33.AAAB34.BAA

1.UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。

2.UO1＝6V，UO2＝5V。

3.ui和uo的波形如图T3.3

T3.3T3.4T3.5

4.波形如解图T3.4所示。

5.波形如图3.5所示

6.

（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

7.

（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故

当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以

UO＝UZ＝6V

同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。

（2）

29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。

8.稳压管的最大稳定电流：

IZM＝PZM/UZ＝25mA

电阻R的电流为IZM～IZmin,所以其取值范围为：

9.

（1）S闭合。

（2）R的范围为

10.解：

波形如解图T3.10所示

图T3.10图T3.13

11.选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较好。

12解：

晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表T3.12所示。

解表T3.12

T1

T2

T3

T4

T5

T6

上

e

c

b

中

下

管型

PNP

NPN

材料

Si

Ge

13.答案如解图T3.13所示。

14解：

（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。

（2）当VBB＝1V时，因为

μA

所以T处于放大状态。

（3）当VBB＝3V时，因为

μA

所以T处于饱和状态。

15解：

取UCES＝UBE，若管子饱和，则

所以，

时，管子饱和。

16解：

当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。

当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。

因为

17解：

（a）可能（b）可能（c）不能

（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。

（e）可能