芯片测试规范Word格式文档下载.docx
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6.1:
如果替代料是FLASH的话,我们一般需要做10个循环的拷贝校验(我们测试工具APK设置:
500M/拷贝次数/重启10次)
6.2:
如果替代料是DDR的话,我们也需要验证DDR的运行稳定性,那么也需要做循环拷贝校验(测试工具APK设置:
500M/拷贝次数/重启5次)
PS:
1.拷贝次数=(FLASH可用容量*1024M/500M)-1
2.DDR验证只需要验证运行稳定性,所以一般做3-5个循环就OK了,FLASH要求比较严格,一般需要做10个循环以上;
3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响,故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。
7.常温老化:
PND我们一般跑模拟导航持续运行12H,安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H,老化后需要评估休眠唤醒是否正常;
8.高低温老化:
环境(60度,-10度)
基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响,DDR替代需要进行高低温老化,我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便,就运行MP4各持续老化12H。
从多年的经验来看,FLASH对于温度要求没有这么敏感。
输出精度
√
记录电源芯片所有可能的输出电压最大值、最小值,进行计算
纹波及噪声
如图2所示,测试时,在输入端磁片电容两侧焊接两“牛角”引线,示波器探头去掉负端夹子,将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容的两“牛角”上。
开关频率
测试纹波的同时,记录相应的纹波频率,即为开关频率
电压调整率
1)设置可调电子负载,使电源满载输出;
2)调节电源芯片输入端可调电源的电压,使输入电压为下限值,记录对应的输出电压U1;
3)增大输入电压到额定值,记录对应的输出电压U0;
4)调节输入电压为上限值,记录对应的输出电压U2;
5〕按下式计算:
电压调整率={(U-U0)/U0}×
100%
式中:
U为U1和U2中相对U0变化较大的值;
负载调整率
1)输入电压为额定值,输出电流取最小值,记录最小负载量的输出电压U1;
2)调节负载为50%满载,记录对应的输出电压U0;
3)调节负载为满载,记录对应的输出电压U2;
4)负载调整率按以下公式计算:
负载调整率={(U-U0)/U0}×
电源效率
电源效率随负载大小变化,如图3所示。
25℃、80%负载情况下电源效率测试方法如下:
1)调节电子负载,保证输出电流为80%满载情况;
此时对应的输出电压记为U0,电流记为I0;
2)调节输入端可调电源,保证给电源芯片提供额定输入电压U1,并记录此时可调电源的输出电流,记为I1;
3)电源效率按以下公式计算:
电源效率={(U0×
I0)/(U1×
I1)}×
输出最大功率
该参数与环境温度有关,如图4所示。
该测试可借助高温环境实验进行
空载对应芯片功耗
电源输出端为空载时,记录此时对应可调电源对应的电压、对应电流,分别记为U、I,则:
空载功耗=U×
I;
隔离电压
只针对隔离DC/DC
隔离电阻
芯片最大温升
(结温)
如果手册给出芯片结-壳之间热阻系数θJC:
1)将温度传感器或点温计贴于待测电源芯片壳体表面;
2)调节电子负载,保证满载输出,假定此时对应的输出功率为P0;
3)待电源芯片工作稳定后,读出对应芯片壳体表面温度,记为T0;
4)则芯片结温=T0+P0×
θJC;
如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA:
1)调节电子负载,保证满载输出,假定此时对应的输出功率为P0;
2)记录测试现场对应环境温度,记为T0;
3)则芯片结温=T0+P0×
θJA
比较计算所得芯片结温(T1)与该电源芯片所允许最大结温(T2),设公司要求的此类电源温度降额为T3,则验证T2-T1>
T3?
工作环境温度
借助高、低温实验进行,观察在高温、低温环境下,电源对应的输出是否满足相应精度要求
存储环境温度
借助环境实验进行,在进行存储之后,电源对应的输出是否满足相应精度要求
图2电源纹波测试
图3电源效率曲线
图4输出功率曲线
——以下无正文
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