半导体物理试验兰州大学物理学院Word文件下载.docx

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教材：

《半导体物理实验讲义》,自编教材

参考书：

1.半导体器件物理与工艺（第三版），施敏，苏州大学出版社，

2.[美]A.S.格罗夫编,齐健译.《半导体器件物理与工艺》.科学出版社，1976

二、课程内容与安排

实验一绪论

1、介绍半导体物理实验的主要内容

2、学生上课要求，分组情况等

实验二 

四探针法测量电阻率

一、实验目的或实验原理

1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理；

2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法；

3、能对给定的薄膜和块体材料进行电阻率测量，并对实验结果进行分析、处理。

二、实验内容

1、测量单晶硅样品的电阻率；

2、测量FTO导电层的方块电阻；

3、对测量结果进行必要的修正。

三、实验仪器与材料

四探针测试仪、P型或N型硅片、FTO导电玻璃。

实验三 

椭圆偏振法测量薄膜的厚度和折射率

1、了解椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理；

2、掌握椭圆偏振仪的使用方法，并对薄膜厚度和折射率进行测量。

1、测量硅衬底上二氧化硅膜的折射率和厚度；

三、实验主要仪器设备及材料

椭圆偏振仪、硅衬底二氧化硅薄膜。

实验四 

激光测定硅单晶的晶向

1、理解激光测量Si单晶晶面取向的原理；

2、学会利用激光测量单晶Si的晶面取向。

1、单晶Si的磨片与腐蚀；

2、测量处理Si片的晶面取向。

He-Ne激光器、光具座、光屏、NaOH、电炉、烧杯、单晶Si片等。

实验五紫外可见分光光度计

1、了解紫外可见分光光度计的结构、性能及使用方法；

2、熟悉常见样品透过、吸收光谱的测量方法。

1、分别测量红、蓝墨水的吸收光谱；

2、测量半导体薄膜的透射/吸收光谱，并计算材料的光学带隙。

紫外可见分光光度计、红墨水、蓝墨水、比色皿、半导体薄膜。

实验六太阳电池参数的测定

1、了解太阳能电池的基本结构与光电特性；

2、掌握太阳能电池电学性能测试的基本方法。

1、无光照时，测量太阳能电池的伏安特性曲线；

2、有光照时，测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子。

太阳能电池板、电压表、电流表、滑线变阻器、直流电流源。

实验七荧光分光光度计测量半导体光致发光

1、理解半导体光致发光的动力学过程；

2、学会利用荧光分光光度计测量半导体的光致发光，确定半导体的带隙与带间能级；

3、分析不同激发波长对半导体发光的影响。

1、测量不同带隙宽度半导体的光致发光；

2、利用不同激发波长测量同一样品的光致发光；

3、测量光致发光的激发谱。

荧光分光光度计、ZnO、GaN及稀土掺杂GaN等。

实验八MOS结构高频C-V特性测量

1、了解MOS结构的C-V特性；

2、理解高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度的原理；

3、学会用高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度。

1、测量MOS结构的高频C-V特性曲线。

2、通过数据确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度。

加热装置、高频C-V测试仪、x-y函数记录仪；

MOS电容等。

实验九霍尔效应法测量半导体参数

1、了解霍尔效应的基本原理；

2、学会用变温霍尔效应测量仪来测量样品的霍尔系数和电导率，确定半导体载流子浓度和迁移率。

1、常温下测量样品的霍尔系数和电导率；

2、变温下测量样品的霍尔系数和电导率；

变温霍尔效应测量仪、P及N型硅片、液氮。

实验十 

射频溅射法沉积半导体薄膜

1、了解真空的获得、制备和测量的一般知识；

2、理解超高真空射频磁控溅射设备的结构、工作原理等；

3、学会利用射频磁控溅射设备制备薄膜。

1、硅片的清洗处理；

2、真空的获得与测量；

3、ZnO薄膜的溅射沉积。

超声波清洗机、超高真空射频磁控溅射设备；

1号和2号清洗液、酒精、ZnO靶、O2、氩气等。

实验十一等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备半导体薄膜材料

1、了解PECVD制备薄膜的基本原理，掌握PECVD设备的结构；

2、学会利用PECVD制备薄膜材料。

1、衬底的清洗和预处理；

2、掌握PECVD设备的结构和操作规程；

3、操作PECVD进行薄膜的制备。

超声波清洗机、PECVD；

酒精、1号和2号清洗液、硅片等。

实验十二场效应晶体管的性能测定

1、理解场效应晶体管的工作原理；

2、学会利用特性曲线获得场效应管主要参数。

1、测量场效应晶体管的输出特性；

2、测量场效应晶体管的转移特性。

半导体特性测试仪、探针台、场效应管等。

实验十三 

半导体材料的赛贝克系数测定

1、了解并掌握几类不同热电效应原理；

2、了解并掌握半导体材料热电系数的测量原理及测量方法；

3、了解并掌握如何通过热电系数判断半导体材料的导电类型。

1、测量单晶硅样品的热电系数及判断导电类型；

2、测量金属铝样品热电系数；

3、测量金属铜样品热电系数。

热电系数测定仪、P型或N型硅片、ITO导电玻璃、金属铝颗粒、金属铜颗粒。

实验十四 

半导体材料的光刻工艺

1、了解并掌握光刻机的基本原理；

2、熟悉光刻胶的类型、曝光的原理及方法；

3、掌握光刻法制备图形的基本技术。

1、在硅片上光刻法制备简单图形；

2、显微镜观察测量图形尺寸；

光刻机、暗室、显微镜、光刻胶、显影液、刻蚀液、不同晶向N型硅片。

（一）教学方法与学时分配

本课程属于实验教学，共72学时。

序号

实验名称

学时

必做/选做

1

绪论

6

必做

2

四探针法测量电阻率

3

选做

4

5

紫外可见分光光度计

太阳能电池参数的测定

7

荧光分光光度计测量半导体的光致发光

8

MOS结构高频C-V特性测量

9

霍尔效应法测量半导体参数

10

射频溅射法沉积半导体薄膜

11

PECVD制备半导体薄膜材料

12

场效应晶体管的性能测定

13

半导体材料的赛贝克系数测定

必做

14

半导体材料的光刻工艺

（2）内容及基本要求

实验一绪论

主要内容：

实验二 

【重点掌握】：

1、单晶硅样品的电阻率测量方法

2、FTO导电层的方块电阻测量方法；

实验三 

1、了解椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理

2、测量硅衬底上二氧化硅膜的折射率和厚度

1、二氧化硅薄膜的折射率、厚度的测量方法。

实验四 

1、单晶Si的磨片与腐蚀；

2、测量处理Si片的晶面取向。

1、利用激光测量单晶Si的晶面取向

实验五紫外可见分光光度计

1、测量红、蓝墨水的吸收光谱；

2、半导体薄膜的透射/吸收光谱，并计算材料的光学带隙。

1、液体和薄膜样品透过、吸收光谱的测量方法

实验六太阳电池参数的测定

1、无光照时，测量太阳能电池的伏安特性曲线；

2、有光照时，测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子。

1、太阳能电池电学性能测试的基本方法

【掌握】：

1、太阳能电池的基本结构与光电特性

实验七荧光分光光度计测量半导体光致发光

1、测量不同带隙宽度半导体的光致发光；

2、利用不同激发波长测量同一样品的光致发光；

3、测量光致发光的激发谱。

1、利用荧光分光光度计测量半导体的光致发光，确定半导体的带隙与带间能级

1、半导体光致发光的动力学过程

2、不同激发波长对半导体发光的影响

实验八MOS结构高频C-V特性测量

1、测量MOS结构的高频C-V特性曲线。

2、通过数据确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度。

1、用高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度

1、高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度的原理

实验九霍尔效应法测量半导体参数

1、常温下测量样品的霍尔系数和电导率；

2、变温下测量样品的霍尔系数和电导率；

1、变温霍尔效应测量仪来测量样品的霍尔系数和电导率，确定半导体载流子浓度和迁移率

实验十 

1、硅片的清洗处理；

2、真空的获得与测量；

3、ZnO薄膜的溅射沉积。

1、超高真空射频磁控溅射设备的结构、工作原理

2、利用射频磁控溅射设备制备薄膜

实验十一等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备半导体薄膜材料

1、衬底的清洗和预处理；

2、掌握PECVD设备的结构和操作规程；

3、操作PECVD进行薄膜的制备。

1、PECVD制备薄膜的基本原理，掌握PECVD设备的结构；

2、学会利用PECVD制备薄膜材料。

实验十二场效应晶体管的性能测定

1、测量场效应晶体管的输出特性；

2、测量场效应晶体管的转移特性。

1、理解场效应晶体管的工作原理

2、利用特性曲线获得场效应管主要参数

实验十三 

1、测量单晶硅样品的热电系数及判断导电类型；

2、测量金属铝样品热电系数；

3、测量金属铜样品热电系数。

1、半导体材料热电系数的测量原理及测量方法；

2、如何通过热电系数判断半导体材料的导电类型。

实验十四 

1、在硅片上光刻法制备简单图形；

2、显微镜观察测量图形尺寸；

1、光刻法制备图形的基本技术。

1、熟悉光刻胶的类型、曝光的原理及方法

制定人：

兰伟

审定人：

批准人：

日期：

2016年11月