常用半导体器件习题解答Word文档下载推荐.docx
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A.ISeUB.C.(3)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(5)UGS0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解:
(1)A
(2)C(3)C(4)B(5)AC三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD0.7V。
解:
UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V,UO62V。
四、已知稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的最小值IZmin5mA。
求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
UO16V,UO25V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率PCM200mW,试画出它的过损耗区。
根据PCM200mW可得:
UCE40V时IC5mA,UCE30V时IC6.67mA,UCE20V时IC10mA,UCE10V时IC20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。
临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图T1.6所示,VCC15V,100,UBE0.7V。
试问:
(1)Rb50k时,uO?
(2)若T临界饱和,则Rb?
(1)Rb50k时,基极电流、集电极电流和管压降分别为A所以输出电压UOUCE2V。
(2)设临界饱和时UCESUBE0.7V,所以七测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
表T1.7管号UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14513T243310T34605解:
因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示。
解表T1.7管号UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14513恒流区T243310截止区T34605可变电阻区习题1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小解:
(1)A,C
(2)A(3)C(4)A1.2能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?
为什么?
不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。
1.3电路如图所示,已知ui10sint(v),试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
ui和uo的波形如解图所示。
1.4电路如图所示,已知ui5sint(V),二极管导通电压UD0.7V。
试画出ui与uO的波形,并标出幅值。
波形如解上图所示。
1.5电路如图5(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD0.7V。
试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。
uO的波形如解图P1.5所示。
1.6电路如图所示,二极管导通电压UD0.7V,常温下UT26mV,电容C对交流信号可视为短路;
ui为正弦波,有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?
二极管的直流电流ID(VUD)/R2.6mA其动态电阻rDUT/ID10故动态电流有效值IdUi/rD1mA1.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?
各为多少?
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?
(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8已知稳压管的稳定电压UZ6V,稳定电流的最小值IZmin5mA,最大功耗PZM150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
稳压管的最大稳定电流IZMPZM/UZ25mA电阻R的电流为IZMIZmin,所以其取值范围为1.9已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V,最小稳定电流IZmin5mA,最大稳定电流IZmax25mA。
(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;
(2)若UI35V时负载开路,则会出现什么现象?
(1)当UI10V时,若UOUZ6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故当UI15V时,稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin,所以UOUZ6V同理,当UI35V时,UOUZ6V。
(2)29mAIZM25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10在图所示电路中,发光二极管导通电压UD1.5V,正向电流在515mA时才能正常工作。
(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?
(2)R的取值范围是多少?
(1)S闭合。
(2)R的范围为1.11电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。
试分别画出uO1和uO2的波形。
波形如解图所示1.12在温度20时某晶体管的ICBO2A,试问温度是60时ICBO?
60时ICBO32A。
1.13有两只晶体管,一只的200,ICEO200A;
另一只的100,ICEO10A,其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子?
选用100、ICBO10A的管子,因其适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
答案如解图所示。
1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。
解表P1.15管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16电路如图所示,晶体管导通时UBE0.7V,=50。
试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
(1)当VBB0时,T截止,uO12V。
(2)当VBB1V时,因为A所以T处于放大状态。
(3)当VBB3V时,因为A所以T处于饱和状态。
1.17电路如图所示,试问大于多少时晶体管饱和?
取UCESUBE,若管子饱和,则所以,时,管子饱和。
1.18电路如图所示,晶体管的50,|UBE|0.2V,饱和管压降|UCES|0.1V;
稳压管的稳定电压UZ5V,正向导通电压UD0.5V。
当uI0V时uO?
当uI5V时uO?
当uI0时,晶体管截止,稳压管击穿,uOUZ5V。
当uI5V时,晶体管饱和,uO0.1V。
因为1.19分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能1.20已知某结型场效应管的IDSS2mA,UGS(off)4V,试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出予夹断轨迹。
根据方程逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性;
在输出特性中,将各条曲线上uGDUGS(off)的点连接起来,便为予夹断线;
如解图所示。
1.21已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极、的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明、与G、S、D的对应关系。
管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极、与G、S、D的对应关系如解图所示。
1.22已知场效应管的输出特性曲线如图所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
在场效应管的恒流区作横坐标的垂线如解图(a)所示,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值,建立iDf(uGS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图(b)所示。
1.23电路如图所示,T的输出特性如图所示,分析当uI4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
根据图所示T的输出特性可知,其开启电压为5V,根据图所示电路可知所以uGSuI。
当uI4V时,uGS小于开启电压,故T截止。
当uI8V时,设T工作在恒流区,根据输出特性可知iD0.6mA,管压降uDSVDDiDRd10V因此,uGDuGSuDS2V,小于开启电压,说明假设成立,即T工作在恒流区。
当uI12V时,由于VDD12V,必然使T工作在可变电阻区1.24分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能
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