运算机组成原理习题答案第六篇.docx
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运算机组成原理习题答案第六篇
1.如何区别存储器和寄放器?
二者是一回事的说法对吗?
解:
存储器和寄放器不是一回事。
存储器在CPU的外边,专门用来寄存程序和数据,访问存储器的速度较慢。
寄放器属于CPU的一部份,访问寄放器的速度专门快。
2.存储器的主要功能是什么?
为何要把存储系统分成若干个不同层次?
主要有
哪些层次?
解:
存储器的主要功能是用来保留程序和数据。
存储系统是由几个容量、速度和价存储系统和结构各不相同的存储器用硬件、软件、硬件与软件相结合的方式连接起来的系统。
把存储系统分成若干个不同层次的目的是为了解决存储容量、存取速度和价钱之间的矛盾。
由高速缓冲存储器、主存储器、辅助存储器组成的三级存储系统能够分为两个层次,其中高速缓存和主存间称为Cache-主存存储层次(Cache存储系统);主存和辅存间称为主存—辅存存储层次(虚拟存储系统)。
3.什么是半导体存储器?
它有什么特点?
解:
采用半导体器件制造的存储器,主要有MOS型存储器和双极型存储器两大类。
半导体存储器具有容量大、速度快、体积小、靠得住性高等特点。
半导体随机存储器存储的信息会因为断电而丢失。
4.SRAM记忆单元电路的工作原理是什么?
它和DRAM记忆单元电路相较有何异
同点?
解:
SRAM记忆单元由6个MOS管组成,利用双稳态触发器来存储信息,能够对其进行读或写,只要电源不断电,信息将可保留。
DRAM记忆单元能够由4个和单个MOS管组成,利用栅极电容存储信息,需要按时刷新。
5.动态RAM为何要刷新?
一般有几种刷新方式?
各有什么优缺点?
解:
DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的,由于电容上的电荷会随着时刻的推移被逐渐泄放掉,因此每隔必然的时刻必需向栅极电容补充一次电荷,那个进程就叫做刷新。
常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。
集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响,系统的存取速度比较高;但有死区,而且存储容量越大,死区就越长。
分散方式的特点是没有死区;但它加长了系统的存取周期,降低了整机的速度,且刷新过于频繁,没有充分利用所允许的最大刷新距离。
异步方式虽然也有死区,但比集中方式的死区小得多,而且减少了刷新次数,是比较实用的一种刷新方式。
6.一般存储芯片都设有片选端CS,它有什么用途?
解:
片选线CS用来决定该芯片是不是被选中。
CS=0,芯片被选中;CS=1,芯片不选中。
7.DRAM芯片和SRAM芯片通常有何不同?
解:
主要区别有:
①DRAM记忆单元是利用栅极电容存储信息;SRAM记忆单元利用双稳态触发器来存储信息。
②DRAM集成度高,功耗小,但存取速度慢,一般用来组成大容量主存系统;SRAM的存取速度快,但集成度低,功耗也较大,所以一般用来组成高速缓冲存储器和小容量主存系统。
③SRAM芯片需要有片选端CS,DRAM芯片能够不设CS,而用行选通信号RAS、列选通CAS兼作片选信号。
④SRAM芯片的地址线直接与容量相关,而DRAM芯片常采用了地址复用技术,以减少地址线的数量。
8.有哪几种只读存储器?
它们各自有何特点?
解:
MROM:
靠得住性高,集成度高,形成批量以后价钱廉价,但用户对制造厂的依赖性过大,灵活性差。
PROM:
允许用户利用专门的设备(编程器)写入自己的程序,但一旦写入后,其内容将无法改变。
写入都是不可逆的,所以只能进行一次性写入。
EPROM:
不仅能够由用户利用编程器写入信息,而且能够对其内容进行多次改写。
EPROM又可分为两种:
紫外线擦除(UVEPROM)和电擦除(EEPROM)。
闪速存储器:
既可在不加电的情形下长期保留信息,又能在线进行快速擦除与重写,兼备了EEPROM和RAM的长处。
9.说明存取周期和存取时刻的区别。
解:
存取周期是指主存进行一次完整的读写操作所需的全数时刻,即持续两次访问存储器操作之间所需要的最短时刻。
存取时刻是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时刻。
存取周期必然大于存取时刻。
10.一个1K×8的存储芯片需要多少根地址线、数据输入线和输出线?
解:
需要10根地址线,8根数据输入和输出线。
11.某机字长为32位,其存储容量是64KB,按字编址的寻址范围是多少?
若主存以字节编址,试画出主存字地址和字节地址的分派情形。
解:
某机字长为32位,其存储容量是64KB,按字编址的寻址范围是16KW。
若主存以字节编址,每一个存储字包括4个单独编址的存储字节。
假设采用大端方案,即字地址等于最高有效字节地址,且字地址老是等于4的整数倍,正好用地址码的最末两位来区分同一个字中的4个字节。
12.一个容量为16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?
被选用下列不同规格的存储芯片时,各需要多少片?
1K×4位,2K×8位,4K×4位,16K×1位,4K×8位,8K×8位。
解:
地址线14根,数据线32根,共46根。
若选用不同规格的存储芯片,则需要:
1K×4位芯片128片,2K×8位芯片32片,4K×4位芯片32片,16K×1位芯片32片,4K×8位芯片16片,8K×8位芯片8片。
13.现有1024×1的存储芯片,若用它组成容量为16K×8的存储器。
试求:
(1)实现该存储器所需的芯片数量?
(2)若将这些芯片分装在若干块板上,每块板的容量为4K×8,该存储器所需的地址线总位数是多少?
其中几位用于选板?
几位用于选片?
几位用作片内地址?
解:
(1)需1024×1的芯片128片。
(2)该存储器所需的地址线总位数是14位,其中2位用于选板,2位用于选片,10位
用作片内地址。
14.已知某机字长8位,现采用半导体存储器作主存,其地址线为16位,若利用1K×4的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并采用存储模板结构形式。
(1)若每块模板容量为4K×8,共需多少块存储模板?
(2)画出一个模板内各芯片的连接逻辑图。
解:
(1)按照题干可知存储器容量为216=64KB,故共需16块存储模板。
15.某半导体存储器容量16K×8,可选SRAM芯片的容量为4K×4;地址总线A15~A0(低),双向数据总线D7~D0(低),由R/W线控制读/写。
请设计并画出该存储器的逻辑图,并注明地址分派、片选逻辑及片选信号的极性。
解:
存储器的逻辑图与图5唱20很相似,区别仅在于地址线的连接上,故省略。
地址分派如下:
A15A14A13A12A11~A0
XX00———第一组
XX01———第二组
XX10———第三组
XX11———第四组
假设采用部份译码方式,片选逻辑为:
CS0=A13?
A12
CS1=A13?
A12
CS2=A13?
A12
CS3=A13?
A12
16.现有如下存储芯片:
2K×1的ROM、4K×1的RAM、8K×1的ROM。
若用它们组成容量为16KB的存储器,前4KB为ROM,后12KB为RAM,CPU的地址总线16位。
(1)各类存储芯片别离用多少片?
(2)正确选用译码器及门电路,并画出相应的逻辑结构图。
(3)指出有无地址重叠现象。
解:
(1)需要用2K×1的ROM芯片16片,4K×1的RAM芯片24片。
不能利用8K×1的ROM芯片,因为它大于ROM应有的空间。
(2)各存储芯片的地址分派如下:
相应的逻辑结构图如图5唱21所示。
(3)有地址重叠现象。
因为地址线A15、A14没有参加译码。
17.用容量为16K×1的DRAM芯片组成64KB的存储器。
(1)画出该存储器的结构框图。
(2)设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪一种刷新方式比较合理?
相邻两行之间的刷新距离是多少?
对全数存储单元刷新一遍所需的实际刷新时刻是多少?
解:
(1)存_______储器的结构框图如图5唱22所示。
(2)因为要求CPU在1μs内至少要访存一次,所以不能利用集中刷新方式,分散和
异步刷新方式都能够利用,但异步刷新方式比较合理。
相邻两行之间的刷新距离=最大刷新距离时刻÷行数=2ms÷128=15.625μs。
取15.5μs,即进行读或写操作31次以后刷新一行。
对全数存储单元刷新一遍所需的实际刷新时刻=0.5μs×128=64μs
18.有一个8位机,采用单总线结构,地址总线16位(A15~A0),数据总线8位(D7~D0),控制总线中与主存有关的信号有MREQ(低电平有效允许访存)和R/W(高电平为读命令,低电平为写命令)。
主存地址分派如下:
从0~8191为系统程序区,由ROM芯片组成;从8192~32767为用户程序区;最后(最大地址)2K地址空间为系统程序工作区。
(上述地址均用十进制表示,按字节编址。
)现有如下存储芯片:
8K×8的ROM,16K×1、2K×8、4K×8、8K×8的SRAM。
请从上述规格当选用芯片设计该机主存储器,画出主存的连接框图,并请注意画出片选逻辑及与CPU的连接。
解:
按照CPU的地址线、数据线,可肯定整个主存空间为64K×8。
系统程序区由ROM芯片组成;用户程序区和系统程序工作区均由RAM芯片组成。
共需:
8K×8的ROM芯片1片,8K×8的SRAM芯片3片,2K×8的SRAM芯片1片。
主存地址分派如图5唱23所示,主存的连接框图如图5唱24所示。
A15A14A13A12 A11 A10~A0
000———————————————8KBROM
001———————————————8KBRAM
010———————————————8KBRAM
011———————————————8KBRAM
1111 1 ———2KBRAM
19.某半导体存储器容量15KB,其中固化区8KB,可选EPROM芯片为4K×8;可随机读_______/写区7KB,可选SRAM芯片有:
4K×4、2K×4、1K×4。
地址总线A15~A0(A0为最低位),双向数据总线D7~D0(D0为最低位),R/W控制读/写,MREQ为低电平时允许存储器工作信号。
请设计并画出该存储器逻辑图,注明地址分派、片选逻辑、片选信号极性等。
解:
该存储器的地址分派如下:
4K×8EPROM 0000H~0FFFH
4K×8EPROM 1000H~1FFFH8KBROM
4K×4RAM(2片) 2000H~2FFFH
2K×4RAM(2片) 3000H~37FFH
1K×4RAM(2片) 3800H~3BFFH
7KBRAM
假设采用部份译码方式,片选逻辑为:
CS0=A13?
A12
CS1=A13?
A12
CS2=A13?
A12
CS3=A13?
A12?
A11
CS4=A13?
A12?
A11?
A10
20.某机地址总线16位A15~A0(A0为最低位)
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