传感器与检测技术试验指导书长春工业大学人文信息学院电子信息系Word文档格式.docx
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4、箔式应变片的基本结构
金属箔式应变片是在用苯酚、环氧树脂等绝缘材料的基板上,粘贴直径为0.025mm左右
的金属丝或金属箔制成,如图1—1所示。
(a)丝式应变片
(b)箔式应变片
图1—1应变片结构图
金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,与丝式应变片工作原理相同。
电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应,描述电阻应变效应的关系式为:
ΔR/R=Kε式中:
ΔR/R为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,ε=ΔL/L为电阻丝长度相对变化。
5、测量电路
为了将电阻应变式传感器的电阻变化转换成电压或电流信号,在应用中一般采用电桥电路作为其测量电路。
电桥电路具有结构简单、灵敏度高、测量范围宽、线性度好且易实现温度补偿等优点。
能较好地满足各种应变测量要求,因此在应变测量中得到了广泛的应用。
电桥电路按其工作方式分有单臂、双臂和全桥三种,单臂工作输出信号最小、线性、稳定性较差;
双臂输出是单臂的两倍,性能比单臂有所改善;
全桥工作时的输出是单臂时的四倍,性能最好。
因此,为了得到较大的输出电压信号一般都采用双臂或全桥工作。
基本电路如图(a)、(b)、(c)所示。
(a)单臂(b)半桥(c)全桥
6、箔式应变片单臂电桥实验原理图
图1—2应变片单臂电桥性能实验原理图
图1—3应变片半桥特性实验原理图
图1—4应变片全桥特性实验接线示意图
三、需用器件与单元:
主机箱中的±
2V~±
10V(步进可调)直流稳压电源、±
15V直流稳压电源、电压表;
应变式传感器实验模板、托盘、砝码;
4
位数显万用表(自备)。
四、实验步骤:
1、测量应变片的阻值:
当传感器的托盘上无重物时,分别测量应变片R1、R2、R3、R4
的阻值。
在传感器的托盘上放置10只砝码后再分别测量R1、R2、R3、R4的阻值变化,分析应变片的受力情况(受拉的应变片:
阻值变大,受压的应变片:
阻值变小)。
2、实验模板中的差动放大器调零:
按图1—5示意接线,将主机箱上的电压表量程切换
开关切换到2V档,检查接线无误后合上主机箱电源开关;
调节放大器的增益电位器RW3合适位置(先顺时针轻轻转到底,再逆时针回转1圈)后,再调节实验模板放大器的调零电位器RW4,使电压表显示为零。
1—5差动放在器调零接线示意图
3、应变片单臂电桥实验:
关闭主机箱电源,按图1—6示意图接线,将±
10V可调电源调节到±
4V档。
检查接线无误后合上主机箱电源开关,调节实验模板上的桥路平衡电位器RW1,使主机箱电压表显示为零;
在传感器的托盘上依次增加放置一只20g砝码(尽量靠近托盘的中心点放置),读取相应的数显表电压值,记下实验数据填入表1。
图1—6应变片单臂电桥实验接线示意图
表1应变片单臂电桥性能实验数据
重量(g)
电压(mV)
4、应变片半桥实验,除将图1—6改成图1—7示意图接线外,其它按单臂实验的步骤操作。
读取相应的数显表电压值,填入表2中。
图1—7应变片半桥实验接线示意图
表2应变片半桥实验数据
5、应变片全桥实验,除将图1—6改成图1—8示意图接线外,其它按单臂实验的步骤操作。
读取相应的数显表电压值,填入表3中。
图1—8应变片全桥性能实验接线示意图
表3全桥性能实验数据
6、根据表1、2、3数据作出曲线并计算系统灵敏度S=ΔV/ΔW(ΔV输出电压变化量,ΔW重量变化量)和非线性误差δ,δ=Δm/yFS×
100%式中Δm为输出值(多次测量时为平均值)与拟合直线的最大偏差:
yFS满量程输出平均值,此处为200g。
实验完毕,关闭电源。
五、综合设计性实验:
应变片直流全桥的应用—电子秤实验
1、实验目的:
了解应变直流全桥的应用及电路的标定。
2、基本原理:
常用的称重传感器就是应用了箔式应变片及其全桥测量电路。
数字电子秤实验原理如图1—9。
本实验只做放大器输出Vo实验,通过对电路的标定使电路输出的电压值为重量对应值,电压量纲(V)改为重量量纲(g)即成为一台原始电子秤。
图1—9数字电子称原理框图
3、需用器件与单元:
应变式传感器实验模板、托盘、砝码。
4、实验步骤:
a、按实验单臂半桥实验中的1和2步骤实验。
b、关闭主机箱电源,按图1—8(应变片全桥性能实验接线示意图)示意接线,将
±
c、将10只砝码全部置于传感器的托盘上,调节电位器RW3(增益即满量程调节)使数显表显示为0.200V(2V档测量)。
d、拿去托盘上的所有砝码,调节电位器RW4(零位调节)使数显表显示为0.000V。
e、重复3、4步骤的标定过程,一直到精确为止,把电压量纲V改为重量纲g,将砝码依次放在托盘上称重;
放上笔、钥匙之类的小东西称一下重量。
实验二差动变压器的性能实验
了解差动变压器的工作原理和特性。
差动变压器的工作原理既电磁互感原理。
差动变压器的结构如图2—1所示,由一个一次绕组1和二个二次绕组2、3及一个衔铁4组成。
差动变压器一、二次绕组间的耦合能随衔铁的移动而变化,即绕组间的互感随被测位移改变而变化。
由于把二个二次绕组反向串接(*同名端相接),以差动电势输出,所以把这种传感器称为差动变压器式电感传感器,通常简称差动变压器。
当差动变压器工作在理想情况下(忽略涡流损耗、磁滞损耗和分布电容等影响),它的等效电路如图2—2所示。
图中U1为一次绕组激励电压;
M1、M2分别为一次绕组与两个二次绕组间的互感:
L1、R1分别为一次绕组的电感和有效电阻;
L21、L22分别为两个二次绕组的电感;
R21、R22分别为两个二次绕组的有效电阻。
对于差动变压器,当衔铁处于中间位置时,两个二次绕组互感相同,因而由一次侧激励引起的感应电动势相同。
由于两个二次绕组反向串接,所以差动输出电动势为零。
当衔铁移向二次绕组L21,这时互感M1大,M2小,因而二次绕组L21内感应电动势大于二次绕组L22内感应电动势,这时差动输出电动势不为零。
在传感器的量程内,衔铁位移越大,差动输出电动势就越大。
同样道理,当衔铁向二次绕组L22一边移动差动输出电动势仍不为零,但由于移动方向改变,所以输出电动势反相。
因此通过差动变压器输出电动势的大小和相位可以知道衔铁位移量的大小和方向。
图2—1差动变压器的结构示意图图2—2差动变压器的等效电路图
差动变压器的输出特性曲线如图2—3所示.图中E21、E22分别为两个二次绕组的输出感应电动势,E2为差动输出电动势,x表示衔铁偏离中心位置的距离。
其中E2的实线表示理想的输出特性,而虚线部分表示实际的输出特性。
E0为零点残余电动势,这是由于差动变压器制作上的不对称以及铁心位置等因素所造成的。
零点残余电动势的存在,使得传感器的输出特性在零点附近不灵敏,给测量带来误差,此值的大小是衡量差动变压器性能好坏的重要指标。
为了减小零点残余电动势可采取以下方法:
图2—3
差动变压器输出特性
1、尽可能保证传感器几何尺寸、线圈电气参数及磁路的对称。
磁性材料要经过处理,
消除内部的残余应力,使其性能均匀稳定。
2、选用合适的测量电路,如采用相敏整流电路。
既可判别衔铁移动方向又可改善输出特性,减小零点残余电动势。
3、采用补偿线路减小零点残余电动势。
图2—4是其中典型的几种减小零点残余电动势的补偿电路。
在差动变压器的线圈中串、并适当数值的电阻电容元件,当调整W1、W2时,可使零点残余电动势减小。
(a)(b)(c)
图2—4
减小零点残余电动势电路
15V直流稳压电源、音频振荡器;
差动变压器、差动变压器实验模板、测微头、双踪示波器。
1、差动变压器、测微头及实验模板按图2—5示意安装、接线。
实验模板中的L1为差动变压器的初级线圈,L2、L3为次级线圈,*号为同名端;
L1的激励电压必须从主机箱中音频振荡器的Lv端子引入。
检查接线无误后合上主机箱电源开关,调节音频振荡器的频率为4kHz~5kHz、幅度为峰峰值Vp-p=2V作为差动变压器初级线圈的激励电压(示波器设置提示:
触发源选择内触发CH1、水平扫描速度TIME/DIV在0.1mS~10µ
S范围内选择、触发方式选择AUTO。
垂直显示方式为双踪显示DUAL、垂直输入耦合方式选择交流耦合AC、CH1灵敏度VOLTS/DIV在0.5V~1V范围内选择、CH2灵敏度VOLTS/DIV在0.1V~50mV范围内选择)。
图2—5差动变压器性能实验安装、接线示意图
2、差动变压器的性能实验:
使用测微头时,当来回调节微分筒使测杆产生位移的过程中本身存在机械回程差,为消除这种机械回差可用如下方法实验,可以检测到差动变压器零点残余电压附近的死区范围。
调节测微头的微分筒(0.01mm/每小格),使微分筒的0刻度线对准轴套的10mm刻度线。
松开安装测微头的紧固螺钉,移动测微头的安装套使示波器第二通道显示的波形Vp-p(峰峰值)为较小值(越小越好,变压器铁芯大约处在中间位置)时,拧紧紧固螺钉,再顺时针方向转动测微头的微分筒12圈,记录此时的测微头读数和示波器CH2通道显示的波形Vp-p(峰峰值)值为实验起点值。
以后,反方向(逆时针方向)调节测微头的微分筒,每隔
△X=0.2mm(可取60~70点值)从示波器上读出输出电压Vp-p值,填入表11(这样单行程位移方向做实验可以消除测微头的机械回差)。
3、根据表1数据画出X-Vp-p曲线并找出差动变压器的零点残余电压。
表1差动变压器性能实验数据
△X(mm)
Vp-p(mV)
五、激励频率对差动变压器特性的影响:
差动变压器的输出电压的有效值可以近似用关系式:
=
表示,式中Lp、Rp为初级线圈电感和损耗电阻,
、ω为激励电压和频率,M1、M2为初级与两次级间互感系数,由关系式可以看出,当初级线圈激励频率太低时,若RP2>ω2LP2,则输出电压Uo受频率变动影响较大,且灵敏度较低,只有当ω2LP2>>RP2时输出Uo与ω无关,当然ω过高会使线圈寄生电容增大,对性能稳定不利。
1、差动变压器及测微头的安装、接线同实验十一,参见图2—5。
2、检查接线无误后,合上主机箱电源开关,调节主机箱音频振荡器LV输出频率为1kHz、幅度Vp-p=2V(示波器监测)。
调节测微头微分筒使差动变压器的铁芯处于线圈中心位置即输出信号最小时(示波器监测Vp-p最小时)的位置。
3、调节测微头位移量△X为2.50mm,差动变压器有某个较大的Vp-p输出。
4、在保持位移量不变的情况下改变激励电压(音频振荡器)的频率从1kHZ~9kHZ(激励电压幅值2V不变)时差动变压器的相应输出的Vp-p值填入表2。
表2
F(kHz)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Vp—p
5、作出幅频(F—Vp-p)特性曲线。
六、综合设计性实验:
差动变压器零点残余电压补偿实验:
了解差动变压器零点残余电压概念及补偿方法。
由于差动变压器次级两线圈的等效参数不对称,初级线圈的纵向排列的不均匀性,铁芯B-H特性的非线性等,造成铁芯(衔铁)无论处于线圈的什么位置其输出电压并不为零,其最小输出值称为零点残余电压。
在实验(差动变压器的性能实验)中已经得到了零点残余电压,用差动变压器测量位移应用时一般要对其零点残余电压进行补偿。
本实验采用实验二基本原理中(c)补偿线路减小零点残余电压。
测微头、差动变压器、差动变压器实验模板、双踪示波器(自备)。
a、根据图2—6接线,差动变压器原边激励电压从音频振荡器的LV插口引入,实验模板中的R1、C1、RW1、RW2为交流电桥调平衡网络。
b、检查接线无误后合上主机箱电源开关,用示波器CH1通道监测并调节主机箱音频振荡器LV输出频率为4kHz~5kHz左右、幅值为2V峰峰值的激励电压。
c、调整测微头,使放大器输出电压(用示波器CH2通道监测)最小。
d、依次交替调节RW1、RW2,使放大器输出电压进一步降至最小。
e、从示波器上观察,(注:
这时的零点残余电压是经放大后的零点残余电压,所以经补偿后的零点残余电压:
V零点p-p=
,K是放大倍数约为7倍左右。
)差动变压器的零点残余电压值(峰峰值)与实验(差动变压器的性能实验)中的零点残余电压比较是否小很多。
图2--6零点残余电压补偿实验接线示意图
实验三电容式传感器的位移实验
了解电容式传感器结构及其特点。
1、原理简述:
电容传感器是以各种类型的电容器为传感元件,将被测物理量转换成电容量的变化来实现测量的。
电容传感器的输出是电容的变化量。
利用电容C=εA/d关系式通过相应的结构和测量电路可以选择ε、A、d中三个参数中,保持二个参数不变,而只改变其中一个参数,则可以有测干燥度(ε变)、测位移(d变)和测液位(A变)等多种电容传感器。
电容传感器极板形状分成平板、圆板形和圆柱(圆筒)形,虽还有球面形和锯齿形等其它的形状,但一般很少用。
本实验采用的传感器为圆筒式变面积差动结构的电容式位移传感器,差动式一般优于单组(单边)式的传感器。
它灵敏度高、线性范围宽、稳定性高。
如图3—1所示:
它是有二个圆筒和一个圆柱组成的。
设圆筒的半径为R;
圆柱的半径为r;
圆柱的长为x,则电容量为C=ε2x/ln(R/r)。
图中C1、C2是差动连接,当图中的圆柱产生∆X位移时,电容量的变化量为∆C=C1-C2=ε22∆X/ln(R/r),式中ε2、ln(R/r)为常数,说明∆C与∆X位移成正比,配上配套测量电路就能测量位移。
图3—1实验电容传感器结构
1、测量电路(电容变换器):
测量电路画在实验模板的面板上。
其电路的核心部分是图
3—2的二极管环路充放电电路。
图3—2二极管环形充放电电路
在图3—2中,环形充放电电路由D3、D4、D5、D6二极管、C4电容、L1电感和CX1、CX2(实验差动电容位移传感器)组成。
当高频激励电压(f>
100kHz)输入到a点,由低电平E1跃到高电平E2时,电容CX1和
CX2两端电压均由E1充到E2。
充电电荷一路由a点经D3到b点,再对CX1充电到O点(地);
另一路由由a点经C4到c点,再经D5到d点对CX2充电到O点。
此时,D4和D6由于反偏置而截止。
在t1充电时间内,由a到c点的电荷量为:
Q1=CX2(E2-E1)(3—1)
当高频激励电压由高电平E2返回到低电平E1时,电容CX1和CX2均放电。
CX1经b点、D4、c点、C4、a点、L1放电到O点;
CX2经d点、D6、L1放电到O点。
在t2放电时间内由c点到a点的电荷量为:
Q2=CX1(E2-E1)(3—2)
当然,(16—1)式和(16—2)式是在C4电容值远远大于传感器的CX1和CX2电容值的前提下得到的结果。
电容C4的充放电回路由图16—2中实线、虚线箭头所示。
在一个充放电周期内(T=t1+t2),由c点到a点的电荷量为:
Q=Q2-Q1=(CX1-CX2)(E2-E1)=△CX△E(3—3)
式中:
CX1与CX2的变化趋势是相反的(传感器的结构决定的,是差动式)。
设激励电压频率f=1/T,则流过ac支路输出的平均电流i为:
i=fQ=f△CX△E(3—4)
△E—激励电压幅值;
△CX—传感器的电容变化量。
由(3—4)式可看出:
f、△E一定时,输出平均电流i与△CX成正比,此输出平均电流i经电路中的电感L2、电容C5滤波变为直流I输出,再经Rw转换成电压输出Vo1=IRw。
由传感器原理已知∆C与∆X位移成正比,所以通过测量电路的输出电压Vo1就可知∆X位移。
2、电容式位移传感器实验原理方块图如图3—3
图3—3电容式位移传感器实验方块图
主机箱±
电容传感器、电容传感器实验模板、测微头。
1、按图3—4示意安装、接线。
图3—4电容传感器位移实验安装、接线示意图
2、将实验模板上的Rw调节到中间位置(方法:
逆时针转到底再顺时传3圈)。
3、将主机箱上的电压表量程切换开关打到2V档,检查接线无误后合上主机箱电源开关,旋转测微头改变电容传感器的动极板位置使电压表显示0V,再转动测微头(同一个方向)6圈,记录此时的测微头读数和电压表显示值为实验起点值。
以后,反方向每转动测微头1圈即△X=0.5mm位移读取电压表读数(这样转12圈读取相应的电压表读数),将数据填入表16(这样单行程位移方向做实验可以消除测微头的回差)。
表1电容传感器位移实验数据
X(mm)
V(mV)
4、根据表1数据作出△X—V实验曲线并截取线性比较好的线段计算灵敏度S=△V/△X和非线性误差δ及测量范围。
实验完毕关闭电源开关。
实验四线性霍尔传感器位移特性实验
了解霍尔式传感器原理与应用。
霍尔式传感器是一种磁敏传感器,基于霍尔效应原理工作。
它将被测量的磁场变化(或以磁场为媒体)转换成电动势输出。
霍尔效应是具有载流子的半导体同时处在电场和磁场中而产生电势的一种现象。
如图4—1(带正电的载流子)所示,把一块宽为b,厚为d的导电板放在磁感应强度为B的磁场中,并在导电板中通以纵向电流I,此时在板
图4—1霍尔效应原理
的横向两侧面
之间就呈现出一定的电势差,这一现象称为霍尔效应(霍尔效应可以用洛伦兹力来解释),所产生的电势差UH称霍尔电压。
霍尔效应的数学表达式为:
UH=RH
=KHIB
RH=-1/(ne)是由半导体本身载流子迁移率决定的物理常数,称为霍尔系数;
KH=RH/d灵敏度系数,与材料的物理性质和几何尺寸有关。
具有上述霍尔效应的元件称为霍尔元件,霍尔元件大多采用N型半导体材料(金属材料中自由电子浓度n很高,因此RH很小,使输出UH极小,不宜作霍尔元件),厚度d只有1µ
m左右。
霍尔传感器有霍尔元件和集成霍尔传感器两种类型。
集成霍尔传感器是把霍尔元件、放大器等做在一个芯片上的集成电路型结构,与霍尔元件相比,它具有微型化、灵敏度高、可靠性高、寿命长、功耗低、负载能力强以及使用方便等等优点。
本实验采用的霍尔式位移(小位移1mm~2mm)传感器是由线性霍尔元件、永久磁钢组成,其它很多物理量如:
力、压力、机械振动等本质上都可转变成位移的变化来测量。
霍尔式位移传感器的工作原理和实验电路原理如图4—2(a)、(b)所示。
将磁场强度相同的两块永久磁钢同极性相对放置着,线性霍尔元件置于两块磁钢间的中点,其磁感应强度为0,
(a)工作原理(b)实验电路原理
图4—2霍尔式位移传感器工作原理图
设这个位置为位移的零点,即X=0,因磁感应强度B=0,故输出电压UH=0。
当霍尔
元件沿X轴有位移时,由于B≠0,则有一电压UH输出,UH经差动放大器放大输出为V。
V与X有一一对应的特性关系。
*注意:
线性霍尔元件有四个引线端。
涂黑二端是电源输入激励端,另外二端是输出端。
接线时,电源输入激励端与输出端千万不能颠倒,否则霍尔元件就损坏。
霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头。
1、调节测微头的微分筒(0.01mm/每小格),使微分筒的0刻度线对准轴套的10mm刻度
线。
按图4—3示意图安装、接线,将主机箱上的电压表量程切换开关打到2V档,±
10V(步进可调)直流稳压电源调节到±
2、检查接线无误后,开启主机箱电源,松开安装测微头的紧固螺钉,移动测微头的安装套,使传感器的PCB板(
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