茂捷M5576兼容GR8830Word格式.docx
- 文档编号:19817936
- 上传时间:2023-01-10
- 格式:DOCX
- 页数:13
- 大小:309.74KB
茂捷M5576兼容GR8830Word格式.docx
《茂捷M5576兼容GR8830Word格式.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《茂捷M5576兼容GR8830Word格式.docx(13页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
编带3K/盘
M5576PR
DIP-8
管装50个/管2000个/盒
典型应用:
图1M5576SR应用图SOT-23-6
图2M5576PR应用图DIP-8
管脚排列图:
图3DIP-8(顶部视图)图4SOT-23-6(顶部视图)
管脚描述:
管脚号
管脚名称
管脚描述
6
1
DRV
输出PWM信号驱动外部功率MOSFET
5
2
VDD
芯片供电
3、6
NC
悬空
4
SEN
电流检测
3
RT
多功能引脚。
通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能,也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护
7
COMP
芯片内部电路的环路补偿
8
GND
接地
芯片使用时极限参数:
项目
参数值
单位
最小值
最大值
VDD直流供电电压
30
V
VDD齐纳钳位电压
10
VDD直流钳位电流
VDD_Clamp+0.1
mA
COMP输入电压
-0.3
SEN输入电压
OTP输入电压
最小/最大工作结温
-20
150
℃
最小/最大贮存温度
-55
165
最高温度(焊接,10秒)
260
注:
如果器件工作条件超出上述各项极限值,可能对器件造成永久性损坏。
上述参数是工作条件的极限值,不建议器件工作在推荐条件以外的情况。
器件长时间工作在极限工作条件下,其可靠性及寿命可能受到影响。
芯片内部框图:
图5M5576内部框图
电气参数(Ta=25oC):
参数
测试条件
最小
典型
最大
供电电压(VDD)
I_Startup
VDD启动电流
VDD=UVLO(OFF)-1V,测试流入VDD的电流
20
uA
I_VDD_Ops
工作电流
VCOMP=3V
1.4
2.5
VDD_OFF
欠压锁存开启
9
VDD_ON
欠压锁存结束(恢复)
14.5
15.5
16.5
Vpull_up
上拉PMOS启动
13
Vdd_Clamp
IVDD=10mA
32
34
OVP(ON)
过压保护电压
SEN=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV时钟关闭
26
28
反馈输入部分(COMPPin)
VCOMP_Open
VCOMP开环电压
最大占空比
Maxdutycycle@VDD=14V,COMP=3V,VSEN=0.3V
75
80
85
%
Vref_green
进入绿色模式的阈值
Vref_burst_H
进入跳周期模式的阈值
0.68
Vref_burst_L
离开跳周期模式的阈值
0.58
ICOMP_Short
COMP引脚短路电流
测量COMP短路到地的电流
0.4
VTH_PL
过载时的COMP电压
3.6
TD_PL
过载延迟时间
88
96
mS
ZCOMP_IN
输入阻抗
16
KΩ
电流检测输入(SENpin)
SST
软启动时间
ms
T_blanking
前沿消隐时间
220
ns
TD_OC
从过流产生到DRV引脚关闭
120
VTH_OC
内部电流限制阈值电压与零占空比
0.75
Vocp_clamping
SEN电压嵌位
0.9
振荡器
Fosc
振荡频率
VDD=14V,COMP=3V,SEN=0.3V
60
65
70
KHZ
Δf_OSC
频率抖动
+/-4
f_shuffling
抖频
Hz
F_Burst
跳周期模式频率
22
KHz
栅驱动
VOL
输出低电平
VDD=14V,IO=6mA
VOH
输出高电平
VDD=14V,IO=5mA
V_Clamping
输出钳位电压
12
T_r
输出上升时间
1V~12V@CL=1000pF
175
T_f
输出下降时间
12V~1V@CL=1000pF
过温保护
IOTP
OTP引脚输出电流
95
100
105
μA
VOTP
OTP阈值电压
0.95
1.05
VOTP_FL
OTP引脚悬空电压
2.8
Vth_OVP
外部OVP阈值电压
4.0
应用信息
扩展模式大大降低了待机功耗,方案设计适应国际节能的要求。
启动电流和启动控制
M5576上电后,通过整流后电压为连接到VDD脚的接地电容充电,当VDD脚的电压高于UVLO阈值时,芯片迅速启动。
M5576启动电流非常低,高阻值启动电阻可减少功率损耗,并能在应用中稳定可靠的启动。
M5576工作电流低至1.8mA。
扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流。
软启动
M5576上电后,在芯片启动期间,内部4ms的软启动来降低启动时的应力。
当VDD达到VDD_OFF,SEN尖峰电压由0.15V逐渐升高增至最大。
每次重启后都会重新软启动。
频率抖动干扰的改进
M5576集成了频率抖动(开关频率调制)功能进行扩频,最大限度地降低了EMI带宽,简化了系统设计。
跳周期模式操作
在轻载或空载状态,开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗,功率损耗的大小在于开关频率的比例。
较低的开关频率,能降低功率损耗,从而节约了能源。
开关频率在空载或轻载条件下自行调节,降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。
只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP电压处在适当状态的时候,DRV驱动才处于打开状态,否则,DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。
开关频率固定在65kHz,PCB设计简化。
电流检测和前沿消隐
M5576是电流模式PWM控制,提供逐周期电流限制。
开关电流是通过一个电阻接到SEN引脚来检测。
内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态,由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰,导致电流限制比较器被屏蔽,无法关断功率MOSFET。
PWM的占空比是由SEN电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。
内部同步斜坡补偿
内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入SEN引脚输入电压来帮忙生成PWM信号,它大大提高了在CCM下的闭环稳定性,防止次谐波振荡,从而降低输出纹波电压。
驱动
功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。
DRV驱动强度越弱,功率管的导通损耗和MOSFET开关损耗就越大;
而DRV驱动越强,直接影响EMI性能。
一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计,适当的驱动能力和DRV设计合适的死区时间来实现控制。
通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。
保护控制
好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能,包括逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP)和VDD的欠压保护(UVLO);
无锁存关闭功能还包括过温保护(OTP),固定或可调的VDD电压保护(OVP)。
在全电范围内,OCP被补偿后达到恒定输出功率。
在过载条件下,当COMP输入电压超过TD_PL功率极限阈值时,控制电路会关闭转换器。
只有在输入电压低于阈值功率极限后才重新启动。
SOT-23-6封装外形尺寸图丝印描述
型号
封装
描述
3000/Reel
尺寸(MM)
尺寸(英寸)
A
1.050
1.250
0.041
0.049
A1
0.000
0.100
0.004
A2
1.150
0.045
b
0.300
0.400
0.012
0.016
c
0.200
0.008
D
2.820
3.020
0.111
0.119
E
1.500
1.700
0.059
0.067
E1
2.650
2.950
0.104
0.116
e
0.950TYP
0.037TYP
e1
1.800
2.000
0.071
0.079
L
0.700REF
0.028REF
L1
0.600
0.024
θ
00
DIP8封装外形尺寸图
丝印描述
DIP8
2000PCS/盒,管装
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 茂捷 M5576 兼容 GR8830
![提示](https://static.bdocx.com/images/bang_tan.gif)