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台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。
初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此,又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型二极管
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。
由于半导体表面被制作得平整,故而得名。
并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型二极管
它是合金型的一种。
合金材料是容易被扩散的材料。
把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
外延型二极管
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。
制造时需要非常高超的技术。
因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
肖特基二极管
基本原理是:
在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是:
开关速度非常快:
反向恢复时间trr特别地短。
因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
二、根据用途分类
检波用二极管
就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
整流用二极管
就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。
以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。
面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。
分类如下:
①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
限幅用二极管
大多数二极管能作为限幅使用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。
也有这样的组件出售:
依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。
就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。
即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。
混频用二极管
使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。
放大用二极管
用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大。
因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
开关用二极管
有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。
小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。
开关二极管的特长是开关速度快。
而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。
2AK型点接触为中速开关电路用;
2CK型平面接触为高速开关电路用;
用于开关、限幅、钳位或检波等电路;
肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。
变容二极管
用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
日本厂商方面也有其它许多叫法。
通过施加反向电压,使其PN结的静电容量发生变化。
因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。
通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。
结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。
频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。
阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。
如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。
稳压二极管
是代替稳压电子二极管的产品。
被制作成为硅的扩散型或合金型。
是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。
作为控制电压和标准电压使用而制作的。
二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级。
在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品。
工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;
将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
PIN型二极管(PINDiode)
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。
PIN中的I是“本征”意义的英文略语。
当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时,“本征”区的阻抗很高;
在直流正向偏置时,由于载流子注入“本征”区,而使“本征”区呈现出低阻抗状态。
因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。
它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
雪崩二极管(AvalancheDiode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的工作原理是栾的:
利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。
它常被应用于微波领域的振荡电路中。
江崎二极管(TunnelDiode)
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。
其基底材料是砷化镓和锗。
其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。
隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。
发生隧道效应具备如下三个条件:
①费米能级位于导带和满带内;
②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);
简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
江崎二极管为双端子有源器件。
其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标“P”代表“峰”;
而下标“V”代表“谷”。
江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
快速关断(阶跃恢复)二极管(StepRecovaryDiode)
它也是一种具有PN结的二极管。
其结构上的特点是:
在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成“自助电场”。
由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值(反向饱和电流值)。
阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量。
利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。
快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
阻尼二极管
具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
瞬变电压抑制二极管
TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类。
双基极二极管(单结晶体管)
两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。
工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
三、根据特性分类
点接触型二极管,按正向和反向特性分类如下。
一般用点接触型二极管
这种二极管正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品。
如:
SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
高反向耐压点接触型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。
使用于高压电路的检波和整流。
这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。
在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等。
这种锗材料二极管,其耐压受到限制。
要求更高时有硅合金和扩散型。
高反向电阻点接触型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同。
虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高。
使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管。
高传导点接触型二极管
它与高反向电阻型相反。
其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小。
对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A等等。
对高传导键型二极管而言,能够得到更优良的特性。
这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高。
常用二极管参数
二极管参数:
05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
05Z7.5Y硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
05Z15Y硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,
1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002硅整流二极管100V,1A,
1N4003硅整流二极管200V,1A,
1N4004硅整流二极管400V,1A,
1N4005硅整流二极管600V,1A,
1N4006硅整流二极管800V,1A,
1N4007硅整流二极管1000V,1A,
1N4148二极管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391硅整流二极管50V,1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)1N5392硅整流二极管100V,1.5A,
1N5393硅整流二极管200V,1.5A,
1N5394硅整流二极管300V,1.5A,
1N5395硅整流二极管400V,1.5A,
1N5396硅整流二极管500V,1.5A,
1N5397硅整流二极管600V,1.5A,
1N5398硅整流二极管800V,1.5A,
1N5399硅整流二极管1000V,1.5A,
1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,
1N5402硅整流二极管200V,3A,
1N5403硅整流二极管300V,3A,
1N5404硅整流二极管400V,3A,
1N5405硅整流二极管500V,3A,
1N5406硅整流二极管600V,3A,
1N5407硅整流二极管800V,3A,
1N5408硅整流二极管1000V,3A,
1N系列稳压二极管参数
型号稳定电压型号稳定电压型号稳定电压型号稳定电压
1N46781.81N4735A1W6.21N52390.5W9.11N57500.4W39
1N467921N4736A6.81N5240101N59850.5W2.4
1N46802.21N4737A7.51N5241111N59862.7
1N46812.41N4738A8.21N5242121N59873
1N46822.71N4739A9.11N5243131N59883.3
1N468331N4740A101N5244141N59893.6
1N46843.31N4741A111N5245151N59903.9
1N46853.61N4742A121N5246161N59914.3
1N46863.91N4743A131N5247171N59924.7
1N46874.31N4744A151N5248181N59935.1
1N46884.71N4745A161N5249191N59945.6
1N46895.11N4746A181N5250201N59956.2
2.建设项目环境影响评价文件的报批时限1N46905.61N4747A201N5251221N59966.8
2.规划环境影响评价的内容1N46916.21N4748A221N5252241N59977.5
1N46926.81N4749A241N5253251N59988.2
1N46937.51N4750A271N5254271N59999.1
1N46948.21N4751A301N5255281N600010
1N46958.71N4752A331N5256301N600111
1N46969.11N4753A361N5257331N600212
1N4697101N4754A391N5258361N600313
1N4698111N4755A431N5259391N600415
2)购买环境替代品。
1N4699121N4756A471N5260431N600516
1N4700131N4757A511N5261471N600618
1N4701141N4758A561N52620.5W511N600720
1N4702151N4759A621N600822
1N4703161N4760A681N600924
3.评估环境影响的价值(最重要的一步):
采用环境经济学的环境经济损益分析方法,对量化后的环境功能损害后果进行货币化估价,即对建设项目的环境费用或环境效益进行估价。
1N4704171N4761A751N601027
第五章 环境影响评价与安全预评价1N4705181N4762A821N601130
1N4706191N4763A911N57300.4W5.61N601233
1)直接使用价值。
直接使用价值(DUV)是由环境资源对目前的生产或消费的直接贡献来决定的。
1N4707201N4764A1W1001N57316.21N601336
1N4708221N52210.5W2.41N57326.81N601439
1N4709241N52222.51N57337.51N601543
1N4710251N52232.71N57348.21N601647
1N4711271N52242.81N57359.11N601751
1N4712281N522531N5736101N601856
(二)环境影响经济损益分析的步骤1N4713301N52263.31N5737111N601962
1N4714331N52273.61N5738121N602068
1N4715361N52283.91N5739131N602175
1N4716391N52294.31N5740151N602282
(五)安全预评价方法1N4717431N52304.71N5741161N602391
1N52315.11N5742181N6024100
1N4728A1W3.31N52325.61N5743201N6025110
1N4729A3.61N523361N5744221N6026120
1N4730A3.91N52346.21N5745241N6027130
1N4731A4.31N52356.81N5746271N6028150
1N4732A4.71N52367.51N5747301N6029160
环境敏感区,是指依法设立的各级各类自然、文化保护地,以及对建设项目的某类污染因子或者生态影响因子特别敏感的区域。
1N4733A5.11N52378.21N5748331N6030180
3)迁移。
1N4734A5.61N52388.71N5749361N6031200
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