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实验名称判零实验、缓冲输入/锁存输出实验、储存器和总线实验
实验室实验楼418实验日期2014-12-4、2014-14-4、2014-12-9
实验四判零实验
一、实验目的
熟悉判零线路的硬件。
二、实验原理
图4
74LS74为D触发器,零标志灯为Z,若实验结果为零,则Z亮。
Z连接着D触发器的Q1端,当Q1等于零时,控制它的D1也为零。
与D1相连的是两个181的输出的与非门,当181的输出全为零时,D1为零。
74LS74的有效脉冲为T4,只有当AR等于1时,通过一个或门到达与T4相连的与门,T4才有可能被传送给D触发器。
三、实验内容及结果分析
⑴本实验的连接请按图7-1-2所示。
⑵用二进制数据开关向DR1和DR2寄存器置数
首先关闭ALU输出三态门(CBA=000)、CE=0,开启输入三态门(SW-B=1),设置数据开关。
例如向DR1、DR2均存入00000001(01H)。
具体操作步骤如下:
注:
【单步】键的功能是启动时序电路产生T1~T4四拍单周期脉冲
结果分析:
当CBA=000,CE=0,SW-B=1时,开启了输入三态门,当LDDR1=1,LDDR2=0时,数据开关中输入的数据会通过三态门传送至数据总线,通过数据总线传送至运算单元储存到LDDR1中。
当LDDR1=0,LDDR2=1时,会将数据开关中的数传送到运算单元中储存到LDDR2中。
结果显示为:
R1=01,R2=01。
⑶读操作(运算寄存器内容送总线)
首先关闭数据输入三态控制端(SW-B=0),存储器控制端CE保持为0,令LDDR1=0、LDDR2=0,然后打开ALU输出三态门(CBA=010),置M、S0、S1、S2、S3为11111,再按【单步】键,数据总线单元显示DR1的内容00000001(01H),若把M、S0、S1、S2、S3置为10101,再按【单步】键,数据总线单元显示DR2的内容00000001(01H)。
CBA=010时,打开了输出三态门,当M、S0、S1、S2、S3为1111时表示将R1的数据通过三态门输出到数据总线单元。
当M、S0、S1、S2、S3为10101时表示将R2通过三态门输出到数据总线单元。
当M、S0、S1、S2、S3为11111时,显示:
01;
为10101时,显示:
01。
⑷带进位减法运算
令SW-B=0、CE=0,置CBA=010、AR=1,置CN、M、S0、S1、S2、S3为000110,按【单步】键,此时数据总线单元应显示00000000(00H)。
注:
181运算器作减法运算时,有借位CY=0,无借位CY=1。
CBA=101,AR=1,CN、M、S0、S1、S2、S3为000110时,表示为R1、R2的带进位减法。
由于R1-R2无需借位,所以CY的灯是亮的。
R1-R2=0,显示为00。
⑸寄存器判零
在保持带进位减法运算所设置的状态下,令AR=1,按【单步】键,若零标志灯“亮”,表示当前运算结果为零;
反之零标志灯“灭”,表示当前运算结果不为零。
AR=1表示74LS74接收到了T4的脉冲,按单步键后,表示零标志的灯Z亮。
五、实验总结
通过本次实验,以及实验中的输入、输出,熟悉了判零路线的硬件、完成了运算寄存器的判零。
实验五缓冲输入/锁存输出实验
一、实验目的
掌握输入/输出的硬件电路。
图5
图6
在输入设备单元,与74LS245触发器相连的时二进制开关单元的SW-B,当SW-B为高点平时,74LS245触发器会将由数据开关输入的数据传送至数据总线。
在输出设备中,74LS273为数据输出单元的核心,当A8、A9都为1时,与它相连的273会输出1,则139输出的Y3值为1,T4才会被传入,从而74LS273才会将从数据总线传入的数据输出。
三、实验内容及结果分析
输入设备缓冲输入经输出设备锁存输出的实验步骤如下:
令CE=0、CBA=000,置SW-B=1,置A9=1、A8=1(选中Y3,Y3由系统控制线LDED使用,详见P18页),然后将数据开关设置为00000001(01H),按【单步】键产生单周期4拍制脉冲,把数据开关所设定的00000001(01H)锁存输出至显示接口,8位输出数据灯应显示00000001(01H);
改变数据开关的设置,再按【单步】键,可把当前数据开关的内容锁存输出至8位显示单元显示。
CBA=000、CE=0、SW-B=1时,表示打开输入三态门,A8、A9都为1时,T4脉冲会被传入273,届时273将会将从数据开关输入的数据传入输出。
显示为:
四、实验总结
通过本次实验,了解了缓冲输入、锁存输出的硬件电路的使用,并对电路的传输有所了解。
实验六储存器和总线实验
熟悉存储器和总线组成的硬件电路。
图7
在缓冲输入单元中,控制三态门245的二进制开关为SW-B,当SW-B为1时,T2脉冲以及278的输出Q会传送至245,使得数据开关中的数据通过245传送至数据总线;
在地址总线单元中,当LDAR为高点平时,T3脉冲和273的输出0Q会通过与门传送至AR,此时AR会将从数据总线传送过来的数据传送至地址总线,显示在地址显示中;
在内存单元,当CE为1,WE也为1时,脉冲T3和273的输出3Q通过与非门传送至6116,273的输出2Q通过非门传送至6116,从而数据总线会将数据开关输入的数据传送至内存中,当CE为1,WE为0时,内存6116中储存的数据会通过数据总线传送至数据显示,从而显示出来。
在闪动的“P.”状态下按动【增址】命令键,使LED显示器自左向右第4位显示提示符“L”,表示本装置已进入手动单元实验状态。
(若当前处“L”状态,本操作可略)。
(一)内部总线数据写入存储器
给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15,具体操作步骤如下(以向00地址单元写入数据11为例):
CBA=000、CE=0、SW-B=1时,表示打开输入三态门。
LDAR=1,表示将数据开关输入的数据传送到地址总线中。
CE=1、WE=1,将会将数据开关输入的数据通过数据总线传送至内存中。
(二)读存储器的数据到总线上
依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容,观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。
具体操作步骤如下(以从00地址单元读出数据11为例):
CE=1、WE=0,将会将数据开关输入的数据通过数据总线传送至数据显示,从而显示出来。
输入00000000时,地址寄存器显示00000000,输入00010001时,内存单元和数据总线单元显示00010001。
其他的00000001、00000002、00000003、00000004与一相同。
通过本次实验,熟悉了储存器和总线组成的硬件电路,利用了总线和储存器传输数据,明白了储存器的写入和读出操作步骤。
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