半导体芯片制造中级工Word文档格式.docx

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A

4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

A.盐酸

B.硫酸

C.硝酸

D.氢氟酸

D

5、下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：

（）

A.单基极条图形

B.双基极条图形

C.基极和集电极引线孔都是马蹄形结构

D.梳状结构

6、硅外延生长工艺包括（）。

A.衬底制备

B.原位HCl腐蚀

C.生长温度，生长压力，生长速度

D.尾气的处理

A,B,C,D

7、硅外延片的应用包括（）。

A.二极管和三极管

B.电力电子器件

C.大规模集成电路

D.超大规模集成电路

8、离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量

B.剂量

9、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

10、从离子源引出的是：

A.原子束

B.分子束

C.中子束

D.离子束

11、在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？

A.干氧

B.湿氧

C.水汽氧化

D.不能确定哪个使用的时间长

12、Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.

A.碱性

B.酸性

C.中性

13、二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

A.预

B.再

C.选择

C

14、介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。

常用的电介质是（）层。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

15、光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A.刻制图形

B.绘制图形

C.制作图形

16、按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：

（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。

A.电阻加热

B.电子束

C.蒸气原子

A,B

17、单相3线插座接线有严格规定（）

A.“左零”“右火”

B.“左火”“右零”

18、人们规定：

（）电压为安全电压.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

[填空题]

19在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：

恒定表面源扩散

20对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：

（）、和（）、（）、（）。

逻辑单元符号库；

功能单元库；

拓扑单元库；

版图单元库

21大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

复杂可编程逻辑器件；

现场可编程门阵列

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22全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。

符号图；

抽象图；

线路图；

版图

23半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。

一种是（），另一种是（）。

电子；

空穴

24半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。

比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。

半导体；

化合物

25半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。

金刚石；

纤锌矿

26外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

化学气相；

液相；

原子束外延

27离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

动能；

非平衡

28半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

离子；

能量；

退火处理

29白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。

干涉色

30在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

光刻胶；

洗液

31化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

酸性；

氧化性

32腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。

各向异性

33光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

前烘；

显影；

去胶

34工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。

真实；

完整；

数据准确

35衬底清洗过程包括哪几个步骤？

（1）擦洗表面的大块污物；

（2）浸泡；

（3）化学腐蚀；

（4）水清洗；

（5）干燥。

36操作人员的质量职责是什么？

操作人员的质量职责是：

（1）按规定接受培训考核，以达到所要求的技能、能力和知识；

（2）严格按工艺规范和工艺文件进行操作，对工艺质量负责；

（3）按规定填写质量记录，对其准确性、完整性负责；

（4）做好所使用的仪器、设备、工具的日常维护保养工作；

（6）对违章作业造成的质量事故负直接责任。

37对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？

简述原因。

（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。

同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

38集成电路封装有哪些作用？

（1）机械支撑和机械保护作用。

（2）传输信号和分配电源的作用。

（3）热耗散的作用。

（4）环境保护的作用。

39什么叫光刻？

光刻工艺质量的基本要求是什么？

光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。

对光刻工艺质量的基本要求是：

刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；

图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；

图形套合十分准确；

介质膜或金属膜上无针孔；

硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

40叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；

接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。

化学方程式如下：

41集成电容主要有哪几种结构？

①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；

②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；

③金属叉指结构；

④PN结电容；

⑤MOS电容。

[判断题]

42、逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。

对

43、门阵列的基本结构形式有两种：

一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）

44、晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。

错

45、目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。

46、退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。

47、钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。

48、厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。

49、厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。

50、厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。

51、丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。

52、可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。

53、硅MOSFET和硅JFET结构相同。

54、场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。

55、片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。

56、值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。

57、低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。

58、迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。

掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。

同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。

59、点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。

60、位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。