内存的指标Word文档格式.docx
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2/8=3.2GB/s(如果是两条内存组成的双通道,那带宽则为6.4GB/s)。
很明显,在现有技术水准下,运行频率很难成倍提升,此时数据总线位数与倍增系数是技术突破点。
DDR2与DDR的区别:
在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题:
从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。
换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题:
在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。
举例来说,DDR200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。
实际上,DDR2-400和DDR400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量:
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。
不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术:
除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和PostCAS。
OCD(Off-ChipDriver):
也就是所谓的离线驱动调整,DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。
DDRII通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。
使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;
通过控制电压来提高信号品质。
ODT:
ODT是内建核心的终结电阻器。
我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。
它大大增加了主板的制造成本。
实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;
终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。
因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。
DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。
使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。
PostCAS:
它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。
在PostCAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(AdditiveLatency)后面保持有效。
原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(AdditiveLatency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。
由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。
普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器,而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器,在双通道模式下具有128bit的内存位宽,从而在理论上把内存带宽提高一倍。
虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽,但是二者所达到效果却是不同的。
双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器,理论上来说,两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。
比如说两个内存控制器,一个为A、另一个为B。
当控制器B准备进行下一次存取内存的时候,控制器A就在读/写主内存,反之亦然。
两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。
双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的,并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。
这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条,此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽,允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。
看编号识内存
一、现代(Hyundai)内存颗粒编号1.SDRAM内存(老版本)
第1字段由HY组成,代表现代产品。
第2字段代表产品类型,57代表DRAM;
5D代表DDRSDRAM。
第3字段代表电压,V代表3.3V;
U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新,4代表4MB(1K刷新);
16代表16M(4K刷新);
64代表64M(8K刷新);
65代表64M(4K刷新);
128代表128M(8K刷新);
129代表128M(4K刷新);
257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽,40代表4位;
80代表8位;
16代表16位;
32代表32位。
第6字段代表芯片组成,1代表2BANK;
2代表4BANK。
第7字段代表电气接口,0代表LVTTL;
1代表SSTL;
2代表SSTL2。
第8字段代表芯片修正版本;
空白代表第1版,A代表第2版;
B代表第3版;
C代表第4版;
D代表第5版。
第9字段代表功耗,空白代表普通;
L代表低功耗。
第10字段代表封装方式;
JC代表400milSOJ;
TC代表400milTSOPⅡ、TD代表13mmTSOP-II、TG代表16mmTSOP-Ⅱ;
TQ代表100PinTQFPI。
第11字段代表内存的速度,5代表5ns(200MHz);
55代表5.5ns(183MHz);
6代表6ns(166MHz);
7代表7ns(143MHz);
75代表7.5ns(133MHz);
8代表8ns(125MHz);
10P代表10ns(100MHz@CL=2或3);
10S代表10ns(100MHz@CL=3);
10代表10ns(100MHz);
12代表12ns(83MHz);
15代表15ns(66MHz)。
2.SDRAM内存(新版本)
第2字段代表产品类型,57代表SDRAM。
第3字段代表电压,V代表3.3V。
第4字段代表密度和刷新,64代表64M(4K刷新);
65代表64M(8K刷新);
28代表128M(4K刷新);
56代表256M(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽,4代表4位;
8代表8位;
第7字段代表意义不详,一般为0。
第8字段代表电气接口,0代表LVTTL;
1代表SSTL_3。
第9字段代表芯片修正版本;
空白或H代表第1版,A或HA代表第2版;
B或HB代表第3版;
C或HC代表第4版。
T代表TSOP;
Q代表TQFP;
I代表BLP;
L代表CSP(LF-CSP)。
K代表7.5ns(PC133@CL=2);
H代表7.5ns(PC133@CL=3);
P代表10ns(PC100@CL=2);
S代表10ns(PC100@CL=3);
10代表10ns(100MHz)。
二、LGsSDRAM内存颗粒编号第1字段由GM组成,代表LGs公司的产品。
第2字段代表产品类型,72代表SDRAM。
第3字段代表电压,V代表3V。
第4字段代表内存单位容量和刷新单位,16代表16M(4K刷新);
17代表16M(2K刷新);
64代表64M(16K刷新);
66代表64M(4K刷新)。
第6字段代表芯片组成,1代表1BANK;
2代表2BANK;
4代表4BANK;
8代表8BANK。
第7字段代表电气接口,1代表LVTTL。
第8字段代表芯片的修正版本,A代表第1版;
B代表第2版,依此类推。
第10字段代表封装方式,T代表TSOP;
R代表TSOPⅡ;
S代表STACK。
第11字段代表内存的速度,6代表6ns(166MHz);
65代表6.5ns(153MHz);
7K代表10ns(PC100@222);
7J代表10ns(PC100@322);
10K代表10ns(PC66);
10J代表10ns(PC66);
三、胜创(KingMax)SDRAM内存颗粒编号第1字段由K组成,代表KingMax内存产品。
第2字段代表内存种类,P代表FPMDRAM;
E代表EDODRAM;
S代表SDRAM。
第3字段代表适用的电压,V代表3.3V;
C代表5V。
第4字段代表内存芯片的组成,28代表2M×
8;
44代表4M×
4;
46代表4M×
16;
88代表8M×
A4代表16M×
4。
第5字段代表刷新,1代表1K;
2代表2K;
4代表4K;
8代表8K。
第6字段代表封装方式,T代表TinyBGA;
C代表TureCSP。
第7字段代表芯片组成,0代表没有Bank;
2代表2Bank;
4代表4Bank。
第8字段代表芯片的供应厂商。
第9字段代表芯片的速度。
第10字段代表测试级,A代表AdvantestT5581H;
B代表CSTEureka;
C代表T5581H+Burn-in。
第11字段代表内存的速度,10代表10ns;
8代表8ns;
7代表7ns。
注:
Kingmax内存条上除了内存颗粒编号外,还有标签编号和电路板编号。
查看电路板的版本号可从内存条正面的边上看出。
最新的版本号为1.2版。
四、三菱(MITSUBISHI)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由M2组成,代表三菱产品。
第2字段由代表I/O界面,一个字符组成,一般为V。
第3字段代表容量,如16代表16MB。
第4字段代表内存类型,S代表SDRAM。
第5字段代表数据带宽,2代表4位;
3代表8位;
4代表16位。
第6字段代表意义不详,一般为0。
第7字段代表产品系列。
第8字段代表封装类型,TP代表TSOP封装。
第9字段代表内存的速度,8A代表8ns;
7代表10ns(CL=2或3);
8代表10ns(CL=3);
10代表10ns。
第10字段代表功耗,空白代表普通;
五、东芝(TOSHIBA)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由TC组成,代表东芝产品。
第2字段代表内存种类,59S代表SDRAM。
第3字段代表容量,64代表64MB;
128代表128MB。
第4字段代表数据带宽,04代表4位;
08代表8位;
第5字段代表产品系列,比较常见的有A系列和B系列产品。
第6字段代表封装方式,FT代表TSOP。
第7字段代表功耗,空白代表普通;
第8字段代表内存的速度,60代表6ns;
70代表7ns;
80代表8ns;
102代表10ns(CL=2或3);
103代表10ns(CL=3);
100代表10ns;
84代表12ns;
67代表15ns。
六、富士通(FUJITSU)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由MB81组成,代表富士通的SDRAM产品。
第2字段代表内存的种类,F代表PC100;
1代表普通内存。
第3字段代表容量。
第4字段代表数据带宽,4代表4位;
第5字段代表芯片的组成,22代表2BANK;
42代表4BANK。
第6字段代表产品系列。
第7字段代表内存的速度,60代表6ns;
西门子(Siemens)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由HYB组成,代表西门子产品。
第2字段代表内存的种类,39S代表SDRAM。
第3字段代表内存的容量。
第4字段代表数据带宽,40代表4位;
16代表16位。
第5字段代表的意义不详,一般为0。
第7字段代表封装方式,T代表TSOP封装。
第8字段代表功耗,空白代表普通;
第9字段代表内存的速度,6代表6ns(166MHz);
8代表8ns(125MHz@CL=2);
8B代表10ns(100MHz@CL=3);
八、日立(Hitachi)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由HM组成,代表日立产品。
第2字段代表内存种类,51代表EDO;
52代表SDRAM;
54代表DDRSDRAM。
第3字段代表密度,64代表64MB;
12代表128MB;
25代表256MB;
51代表512MB。
第4字段代表结构,405代表x4;
805代表x8;
165代表x16;
325代表x32。
第5字段代表芯片修正版本,A代表A修正版;
B代表B修正版;
C代表C修正版。
第6字段代表封装方式,TT代表TSOP;
TD代表DDP(Double-DensityPackage)。
第7字段代表内存的速度,A60代表10ns(100MHz@CL为2&
3);
B60代表10ns(100MHz@CL=3);
80代表8ns(125MHz)。
三星(Samsung)SDRAM内存颗粒编号:
第1字段由KM组成,代表三星产品。
第2字段由4组成,代表DRAM。
第3字段代表数据带宽,4代表4位;
第4字段代表内存种类,S代表SDRAM。
第5字段代表密度,1代表1M;
2代表2M;
4代表4M;
8代表8M;
16代表16M。
第6字段代表刷新,0代表4K;
1代表2K;
2代表8K。
第7字段代表芯片组成,2代表2Bank;
3代表4Bank。
1代表SSTL。
第9字段代表版本号,空白代表第1版;
A代表第2版;
B代表第3版。
第10字段代表封装方式,T代表TSOPⅡ(RPPmil)。
第11字段代表功耗,G代表自动调节,F代表自动调节低功耗。
第12字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz);
H代表100MHz@CL=2;
L代表100MHz@CL=3。
十、美光(Micron)SDRAM内存颗粒编号
第1字段由MT组成,代表美光产品。
第2字段代表内存类型,48代表SDRAM。
第3字段代表内存种类,LC代表普通SDRAM。
第4字段代表密度,此数与M后位数相乘即为容量。
第5字段代表意义不详,一般为M。
第6字段代表数据带宽,4代表4位;
第7字段代表类型,AX代表writeRecovery(TWR);
A2代表2clk(TWR)。
第8字段代表封装方式,TG代表TSOPII(RPPmil)。
第9字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz);
8A代表8ns(125MHz,读取周期为333);
8B代表8ns(125MHz,读取周期为323);
8C代表8ns(125MHz,读取周期为322);
8D代表8ns(125MHz,读取周期为222);
8E代表8ns(125MHz,读取周期为222);
10代表10ns(100MHz@CL=3)。
十一、金邦(GeIL)SDRAM内存颗粒编号
第1字段代表产品系列,GL2000代表千禧条,BLP代表金条。
第2字段由GP组成,代表金邦产品。
第3字段代表产品类型,6代表SDRAM。
第4字段代表制造工艺,C代表5VVccCMOS;
LC代表0.2微米3.3VVddCMOS;
V代表2.5VVddCMOS。
第5字段代表容量,它与第7字段相乘就是总容量。
第6字段代表容量单位,空白代表Bits;
K代表KB,M代表MB,G代表GB。
第7字段代表颗粒数量。
第8字段代表芯片修正版本。
第9字段代表封装方式,DJ代表SOJ;
DW代表宽型SOJ;
F代表54针4行FBGA;
FB代表60针8*16FBGA;
FC代表60针11*13FBGA;
FP代表反转芯片封装;
FQ代表反转芯片密封;
F1代表62针2行FBGA;
F2代表84针2行FBGA;
LF代表90针FBGA;
LG代表TQFP;
R1代表62针2行微型FBGA;
R2代表84针2行微型FBGA;
TG代表TSOPⅡ,U代表μBGA。
(图)
第10字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz)。
第11字段由AMIR组成,代表内部标识号。
第12字段由四位数字组成,代表生产日期,前两个数字表示年份,如00表示2000年;
后两个数字表示周数,如25表示第25周
主流DDR2内存芯片编号解析
WWW.DBIT.CN2007-11-149:
28:
23热度:
0
虽然DDR3内存规格早已经被确定,而且主流内存模组厂商也陆续发布了各自旗下的DDR3内存,但动辄数千元的零售价格让大众消费者望而却步。
另一方面,就连一直看好DDR3内存前景的英特尔也不得不让新款P35主板同时支持DDR2和DDR3两种规格内存。
从上可以看出,虽然DDR3内存前景广阔,但高昂的售价和缺乏主板平台支持,在短时间内仍无法撼动DDR2内存的主流王座地位。
内存芯片编号你究竟知道多少?
算起来,DDR2内存推出已经超过3个年头,规格也在不断进步,从最早的DDR2-400一路发展到目前的DDR2-1200。
伴随着内存频率的不断提升,内存芯片制作工艺也有大幅改进,这点也就反映到内存芯片表面的编号规则。
由于内存芯片编号规则繁杂,而且生产内存芯片的厂商数量也不少,因此很多消费者都不是很了解其中代表的含义。
为了方便广大ZOL读者选购内存,了解内存芯片的技术特性,笔者特别整理了主流DDR2内存芯片编号规则。
韩国三星(SAMSUNG):
韩国三星(SAMSUNG)DDR2内存芯片
以三星K4T1G084QA-ZCE6为例,K代表内存芯片,4代表DRAM,T代表DDR2内存,
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