半导体物理学刘恩科第七版完整课后题答案Word文档格式.docx
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<
<
ito>
(a)(100)晶面
(b)(110)晶面
(c)(111)晶面
i
(100):
2
(5.43108)2
142
6.7810atom/cm
(110):
2a2
9.591014atom/cm2
3a2
7.8310atom/cm
补充题2
24
—维晶体的电子能带可写为E(k)2(-coska—cos2ka),
ma88
式中a为晶格常数,试求
(1)
布里渊区边界;
(2)
能带宽度;
(3)
电子在波矢k状态时的速度;
(4)
能带底部电子的有效质量
(5)能带顶部空穴的有效质量
m;
;
mp
(0,1,
2…)
进一步分析
k(2n
1)a,
(k)
有极大值,
2
E(k)MAX2
ma
k2n—时,E(k)
有极小值
所以布里渊区边界为k(2n1)-
⑵能带宽度为E(k)MAxE(k)M.
~2ma
(3)电子在波矢k状态的速度v
1dE
1.
—(sinkasin2ka)
ma4
m
1
(coskacos2ka)
能带底部
k竝所以m;
2m
(4)电子的有效质量
*
2'
dE
⑸能带顶部k(2n1)
**
且mpmn,
所以能带顶部空穴的有效质量
*2mmp
半导体物理第2章习题
1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?
答:
(1)理想半导体:
假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。
(2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若
干杂质。
(3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。
2.以掺入中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。
有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个原子形成共价键,还剩余一个电子,同时原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心,所以,一个原子取代一个原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心,但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚,成为在晶格中导电的自由电子,而原子形成一个不能移动的正电中心。
这个过
程叫做施主杂质的电离过程。
能够施放电子而在导带中产生电子
并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质,掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。
3.以掺入中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。
有3个价电子,它与周围的四个原子形成共价键,还缺少一个电子,于是在晶体的共价键中产生了一个空穴,而原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心,所以,一个原子取代一个原子,其效果是形成一个负电中心和一个空穴,空穴束缚在原子附近,但这种束缚很弱,很小的能量就可使空穴摆脱束缚,成为在晶格中自由运动的导电空穴,而原子形成一个不能移动的负电中心。
这个过程叫做受主杂质的电离过程,能够接受电子而在价带中产生空穴,并形成负电中心的杂质,称为受主杂质,掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。
4.以在中的行为为例,说明族杂质在族化合物中可能出现的双性行为。
取代中的原子则起施主作用;
取代中的原子则起受主作用。
导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加,当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。
硅先取代原子起施主作用,随着硅浓度的增加,硅取代原子起受主作用。
5.举例说明杂质补偿作用。
当半导体中同时存在施主和受主杂质时,
若
(1)>
>
因为受主能级低于施主能级,所以施主杂质的电子首先跃迁到个受主能级上,还有个电子在施主能级上,杂质全部电离时,跃迁到导带中的导电电子的浓度为。
即则有效受主浓度为〜
(2)>
施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上,受主能级上还有个空穴,它们可接受价带上的个电子,在价带中形成的空穴浓度.即有效受主浓度为~
(3)?
时,
不能向导带和价带提供电子和空穴,称为杂质的高度补偿
6.说明类氢模型的优点和不足。
7.锑化铟的禁带宽度0.18,相对介电常数17,电子的有效质
量
=0.015mo,m0为电子的惯性质量,求①施主杂质的电离
能,②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
根据类氢原子模型
Ed
q
2(4or)22
Eo
2mor
0.0015
13.6
172
7.110eV
h2
ror
qmo
0.053nm
h2or
2*
qm;
mor
mn
60nm
8.磷化稼的禁带宽度2.26,相对介电常数11.1,空穴的有效
质量n*o.86moo为电子的惯性质量,求①受主杂质电离能;
②
受主束缚的空穴的基态轨道半径。
7/37
*4
mpq
22~
2(40r)
Ea
mpEo
m。
r
0.086
20.0096eV
11.1
「02
qm°
h20r
r2-qmp
r
mP
6.68nm
第三章习题和答案
1.计算能量在到
Ec
跻之间单位体积中的量子态数。
V(2m;
)2解g(E)n
dZg(E)dE
23(E
Ec)2
单位体积内的量子态数
1002
2m;
l2g(E)dE
V(2m;
)22
3(E
Z0
V
zdZ
Z0V
100h2
8m?
Ec2
*—1
V(2mn)22
(EEc)2dE
Ec)
8mnL2
1000
2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。
2.证明:
si、Ge半导体的E(ic)~K关系为上气)mtml
令kx(匹)'
2kx,ky(—)'
2ky,k
一mt
…'
h2'
22
则:
Ec(k)Ec(kx
2ma
在k'
系中,等能面仍为球形等能面
Ec(k)Ec
在E~EdE空间的状态数等于k空间所包含的状态数。
mt
ky
系中的态密度g(k'
)
k'
理肛飞)
(ma)
"
12
即dzg(k'
)?
Vk'
g(k'
4k'
2dk
12kz1332
g'
(E)詈4?
2(mt?
:
m|)(EEc)12V
dEh
mt?
a8/37
mi
对于si导带底在100个方向,有六个对称的旋转椭球,锗在(111)方向有四个,
g(E)sg'
(E)4(警)'
2乍Ec)'
2V
h
23亠13
mns3mt2ml
3.当为1.5k°
T,4k°
T,1Ok°
T时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。
费米能级
费米函数
玻尔兹曼分布函数
EEf
f(E)1EEf
k°
T
f(E)ek0T
1.5k0T
0.182
0.223
4koT
0.018
0.0183
10koT
5
4.5410
4.54105
4.画出-78、室温(27)、500三个温度下的费米分布函数曲线,并进行比较。
5.
Nc
5Nv
利用表3-2中的m*n,数值,计算硅、锗、砷化稼在室温下的,以及本征载流子的浓度。
2koTmp3
2(h2p)2h
ni
(NcNv)12e站
Ge:
mn0.56m°
;
mpo.37m°
Eg0.67ev
si:
mn1.08m0;
mpo.59m0;
Eg1.12ev
GaAs:
mn0.068m0;
mpo.47m0;
Eg1.428ev
计算硅在-78,
Si的本征费米能级,
EfEi
EcEv
27,300时的本征费米能级,假定它在禁带
Si:
mn1.08m/,370.59m0
3kTmp
ln—
4mn
3kT0.59m
中间合理吗?
所以假设本征费米能级在禁带中间合理,特别是温度不太高
的情况下。
7.①在室温下,锗的有效态密度1.0510193,3.910183,试
求锗的载流子有效质量m*nm*p。
计算77K时的和。
已知300K
时,0.67。
77k时0.76。
求这两个温度时锗的本征载流子浓度。
②77K时,锗的电子浓度为
10173,假定受主浓度为零,而
0.01,
求锗中施主浓度为多少?
7
(1)
根据Nc
k0Tm
2(h-
宀)
2(2
肓得
k°
.56m0
5.110
31.
kg
k0T
Nv2
13
0.29
2.610
(2)77K时的NC、NV
Nc(77K)
Nc(300K)T
NvNv
19
1.0510
NcNc
77)3
300
77)33.91018
■.(77)3
巨)3
1.37
18,3
10/cm
5.081017/cm3
⑶ni(NcNv)'
2e
室温:
(1.0510193.91018)'
2e2k0
77K时,
n°
nD
(1.371018
Nd
EdEf
5.081017/2e
0.67
300133
1.710/cm
0.76
2k077
1.98107/cm3
no(1
8.
2exp
EdEcEcEf
k^T
ED?
no
2ekoTNc
1017(12e-°
^
0.0671.3710
利用题7所给的
时,含施主浓度5
穴浓度为多少?
10厉)1.171017/cm3
和数值及0.67,求温度为300K和500K
10153,受主浓度21093的锗中电子及空
8.300K时:
ni(NcNV)2e2k°
eg
13#3
2.010/cm
500K时:
根据电中性条件:
〈2
'
'
I2k°
(NcNv)2e
6.91015/cm3
n0p0NDNA
P0ni
n。
(NDNa)ni20
NdNa
(山
P0
NaNd
300K时:
%
NaNd)2
21015/cm31010/cm3
212
9.841015/cm3
4.841015/cm3
9.计算施主杂质浓度分别为10163,,10183,10193的硅在室温下的
费米能级,并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能级
核对一下,上述假定是否在每一种情况下都成立。
计算时,
取施主能级在导带底下的面的0.05
9.解假设杂质全部由强电
离区的Ef
EfEck°
Tln^,T
300K时,
2.81019/cm3
1010/cm3
1.5
或EfEik0TIn
Ni
16#3
10/cm;
Ef
18#3
⑵
16
10
0.026ln19
2.81019
1018
1019
0.026ln119
EdEc0.212.8100.16
Ec1
0.21eV
0.087eV
0.0翼7eV
Ec0.0J7eV
0.42%成立
为90%,10%占据施主
nD
是否
dEf
k。
__1
00.037
1——
10%
30%不成立
卡nD11-e0.026
或一2一90%
Nd1JEd色Nd计电
D
k0T0.023
1-
1-e0026
(2)'
求出硅中施主在室温下全部电离的上限
80%10%不成立
(空^归―电(未电离施主占总电离杂质数的百分比)
NCkoT
0.05
2ND0.050.1Nc0.026173
e,NDe2.510/cm
NC0.0262
1016小于2.51017cm3全部电离
1016,10182.51017cm3没有全部电离
⑵"
也可比较Ed与Ef,EdEf&
T全电离
ND1016/cm3;
EDEf
ND1018/cm3;
Nd1019/cm3;
0.05-<
2137.160.026成立,全电离
0.037~0.26Ef在Ed之下,但没有全电离
0.0230.026,Ef在Ed之上,大部分没有电离
10.以施主杂质电离90%乍为强电离的标准,求掺砷的n型锗在300K时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。
10.解
0.0127eV,NC1.051019/cm3
限
人的电离能Ed室温300K以下,As杂质全部电离的掺杂上
ED)
2Nd/-exp(
Ncfk°
Nd上限
2N-0.0127
exp
Nc0.026
0.0127
0.1Nce"
01260.1
1.051019
e帰3.221017/cm3
A掺杂浓度超过Nd上限的部分,在室温下不能电离
Ge的本征浓度ni2.41013/cm3
A的掺杂浓度范围5ni~ND上限,即有效掺杂浓度为2.41014~3.221017/cm3
11.若锗中施主杂质电离能0.01,施主杂质浓度分别为10143j
及
10173。
计算①99%电离;
②90%电离;
③50%电离时温度各为多少?
12.若硅中施主杂质电离能0.04,施主杂质浓度分别为10153,
10183。
计算①99%fe离;
②90%fe离;
③50%电离时温度各为多少?
13.有一块掺磷的n型硅,10153,分别计算温度为①77K;
②300K;
③500K;
④800K时导带中电子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)
13.⑵300K时,ni1010/cm3Nd1015/cm3强电离区
n0ND1015/cm3
⑶500K时,nj41014/cm3~ND过度区
NDND4n:
1.141015/cm3
⑷8000K时,ni1017/cm3
17#3
nj10/cm
14.计算含有施主杂质浓度为910153,及受主杂质浓度为
1.110163,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级
的位置。
T300K时,S啲本征载流子浓度nj1.51010cm3
掺杂浓度远大于本征载流子浓度,处于强电离饱和区
Po
Ef
NAND21015cm3
Ev
1.125105cm3
k0Tln
Nv
0.026ln
21015
1.11019
0.224eV
或:
k0Tln旦
1.51010
0.336eV
15.掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料,分别计算①
300K;
②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。
(1)T300K时,ni1.51010/cm3,杂质全部电离ap01016/cm3
n0B2.25104/cm3
EeEik0Tln^0.0261n%0.359eV
m10
或EeEvk°
TIn巴0.184eV
⑵T600K时,ni11016/cm3
处于过渡区:
p°
n°
Na
2ni
1.62
1016/cm3
6.17
1015/cm3
Ei
k0TInP0
0.052m1.621016
11016
0.025eV
16.掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子和立方米51022
铟的锗材料,分别计算①300K;
②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。
Nd1.51017cm3,Na51016cm3
133
300K:
ni210cm
杂质在300K能够全部电离,杂质浓度远大于本征载流子浓
NA11017cm34102611017
度,所以处于强电离饱
和区
9
10cm
n0
k0Tln0
n
21017cm
110
0.026ln石0.22eV
210
600K:
本征载流子浓度与掺杂浓度接近,处于过度区
NaP0Nd
P°
ni
NdNa,(N
dNa)2
红2.61017
1.61017
k0TIn匹0.072In2610
ni2
10170.0做
17.
施主浓度为10133的n型硅,计算400K时本征载流子浓度、
多子浓度;
少子浓度和费4米能级时勺位置。
11013/cm3(查表)
np
1.621013
6.1710
/cm
k0TIn—ni
0.035
1.6210In
0.017eV
18.
掺磷的
型硅,已知磷的电离能为0
4,求室温下杂
质一半电离时费米能级的位置和浓度。
18•解:
.1EdEf1e
no
Nd则有e
koT
2.
Edk°
TIn2
EDk0Tln2EC0.044
0.026ln2
0.062eV
Eg1.12eV,Ef
0.534eV
EcEf
nNce
2.8
n50%NDND5.15
0.062
e0'
0262.541018cm3
163/37
1019/cm3
19.求室温下掺锑的n型硅,使()/2时锑的浓度。
已知锑的
电离能为0.039
19.解:
EcEfEc
EcEd
2EcEcEd
0.039
0.0195k°
发生弱减并
Nc——F1
叫2
192
10——
EfEc
0.3
Nc各F*0.71)
9.48
10/cm
.3.14
求用:
EfEd
n0nd
弘0.0195
2NcFEfEc
1k°
12exp(—FD)
2Nc
丁
F1
(1
0.0195
0.026
2exp
183
9.4810/cm
20.制造晶体管一般是在咼杂质浓度的n型衬底上外延一层n
型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成的。
(1)设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039,300K时的位于导带下面0.026处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。
(2)设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.610153,
计算300K时的位置及电子和空穴浓度。
(3)在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化。
设扩散层某一深度处硼浓度为5.210153,计算300K时
的位置及电子和空穴浓度。
如温度升到500K,计算③中电子和空穴的浓度(本征
载流子浓度数值查图3-7)。
20.
(1)ECEf0.026k0T,发生弱减并
22.81019
、3.14
no牛1)
--Nd
n0nD
EfEd
Ndno(12exp(E巨)
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