半导体物理第三章作业.ppt
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半导体物理第三章作业.ppt
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第三章作业,7。
(1)在室温下,锗的有效态密度Nc=1.051019cm-3,Nv=1.051019cm-3,试求锗的载流子有效质量。
计算77K时的Nc,Nv.已知300K时Eg=0.67eV.77K时Eg=0.76eV.求着两个温度时的本证载流子浓度
(2)77K时,锗的电子浓度为1017cm-3假定受主浓度为零,电离能为0.01eV,求施主杂质浓度?
解:
已知,所以,
(2)77K时属于弱电离,8.利用7题的Nc和Nv的数值及Eg=0.67eV,求温度文300K,500K时,含施主浓度ND=51015cm-3受主浓度NA=2109cm-3的锗中电子和空穴的浓度,解:
300K时,500K时,
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- 半导体 物理 第三 作业
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