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GB/T2693—2001电子设备用固定电容器总规范第一部分：

通用技术指标

DC:

0.1V～1kV

电阻:

1×

103Ω～1.6×

1016Ω

精度为0.6%

耐电压

直流电压V≤5000V

电容量

1pF～10μF0.01%

损耗角正切和等效电阻

≤0.1

0.5×

10-4

漏电流

1μA～100mA

1%

阻抗

100mΩ～100MΩ

0.1%

7

电容及自谐振频率

40Hz～3GHz

8

电容温度特性

-55℃～+150℃

8.3

电阻

GJB1432B—2009片式膜固定电阻器通用规范

10mΩ～100MΩ

0.01%

电阻温度特性

8.4

集成运算放大器

电源电流ICC

GB/T17940-2000

半导体器件集成电路第3部分：

模拟集成电路

0～100mA

输入失调电压VIO

0～100mV

输入失调电流IIO

0～100μA

输入偏置电流IIB

开环电压增益AVD

60dB～120dB

共模抑制比KCMR

电源电压抑制比KSVR

最大共模输入电压VICM

0～15V

9

输出电压峰峰值VOPP

0～40V

10

增益带宽积

G•BW

100kHz～100MHz

8.5

功率交流电源

频率

SJ10542-94

抗干扰型交流稳压电源测试方法

10Hz～1kHz

功率

≤9000VA

功率因数

0.00～1.00

负载调整率

1mV～100mV

8.6

防静电系统

防静电地面系统电阻和点对点电阻

SJT10694-2006

电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范

1×

105Ω～1×

109Ω

防静电台垫系统电阻和点对点电阻

防静电工作腕带电阻

穿戴状态下系统电阻：

7.5×

107Ω内表面对电缆扣电阻：

105Ω

防静电椅系统电阻和点对点电阻

系统电阻：

109Ω点对点电阻：

1010Ω

防静电工作服电阻

防静电鞋电阻

8.7

接地系统

接地电阻

0.1Ω～5Ω

8.8

环境试验设备

温度

GB/T5170.2-2008

电工电子产品环境试验设备检验方法温度试验设备

-80℃～200℃

湿度

GB/T5170.5-2008

电工电子产品环境试验设备检验方法湿热试验设备

20%RH～95%RH

8.9

微波电子材料

复介电常数

GB/T7265.2-1987

固体电介质微波复介电常数的测试方法

0～100（1GHz～18GHz）

损耗

5×

10-2～6×

10-5（1GHz～18GHz）

8.10

功率二极管

击穿电压VR

GJB128A-97

半导体分立器件试验方法

30V～3kV

反向直流电流IR

100nA～10mA

正向直流电压VF

0.1V～30V

工作电压VZ

8.11

双极晶体管

IE=0时的集电极基极击穿电压V（BR）CBO

半导体分立器件和集成电路

第7部分:

双极型晶体管GB/T4587-1994

IC=0时的发射极基极击穿电压V（BR）EBO

IB=0时的集电极发射极击穿电压V（BR）CEO

IE=0时的集电极基极截止电流ICBO

IB=0时的集电极发射极截止电流ICEO

100nA~10mA

IC=0时的发射极基极截止电流IEBO

共发射极正向电流传输比的静态值hFE

VCE:

0.1V～+30V

IC:

10A～500A

IB:

10µ

A～10A

集电极发射极饱和电压VCEsat

0.1V～+30V；

VBE:

-30V～+30V；

10A～500A；

基极发射极饱和电压VBEsat

开启时间ton

可测双极型中小功率晶体三极管开关时间参数。

开关参数测量范围:

5ns～1µ

s

偏置电源:

1mA、3mA、10mA、30mA、50mA、60mA

10mA、30mA、100mA、300mA、500mA、600mA

极性:

NPN型、PNP型

器件功率:

≤1W

U=3.2%（k=2）

11

延迟时间td

12

上升时间tr

13

关闭时间toff

14

贮存时间ts

15

下降时间tf

16

S-参数

只测量晶体管Gp参数Gp:

（0～50）dBf:

30MHz～1GHz。

U=0.6dB（k=2）使用的测量器具HP8753B网络分析仪，可在（0～50）dB范围检测晶体管Gp参数

17

共基极输出电容

只测交流参数，晶体管电容参数:

电容:

1pF～3000pF频率:

1MHzU=（1～3）%（k=2）使用的测量器具FET3400半导体分立器件测试系统，可在1pF～3nF范围检测晶体管电容参数

8.12

场效应晶体管

栅—源阈值电压VGS（th）

半导体器件

分立器件

第8部分:

场效应晶体管GB/T4586-1994

电压范围-30V～+30V

漏极电流ID（on）

10A～500A

静态漏—源通态电阻rDS（on）

VDS:

VGS:

ID:

IG:

漏—源“通态”电压VDS（on）

0.1V～+30V

正向跨导gm

漏—源击穿电压V（BR）DSS

栅—源短路时的漏极电流IDSS

漏—源短路时栅极截止电流IGSS

小信号短路输入、输出电容

频率:

1MHz

电容:

1pF～3000pF

U=（1～3）%（k=2）

小信号短路输出电导

8.13

绝缘栅双极晶体管（IGBT）

集电极—发射极的击穿电压V（BR）CEO

发射极—集电极的击穿电压V（BR）ECO

集电极—发射极的饱和电压VCEsat

栅极阈电压VGE（th）

VGE:

零栅压时的集电极电流ICES

栅极—发射极的漏电流IGES

01V～+30V

-30V～30V

IC:

8.14

J型场效应管（JFET）

栅源截止电压VGS（off）

-30V～+30V

饱和漏极电流IDSS

10µ

跨导gfs

栅极截止电流IGSS

源栅开路电压VSGO

漏栅开路电压VDGO

8.15

固态微波功率器件（100MHz～18GHz）

输出功率

微波电路放大器测试方法SJ20645-97

-30dBm～+50dBm

功率增益

0～40dB

功率增益平坦度

0～10dB

1dB压缩点输出功率

0～50dBm

1dB压缩点功率增益

8.16

洁净间测试

洁净度

洁净室施工及验收规范（E.4、E.5）GB50591-2010

只测：

5级～9级

温、湿度

温度15℃～30℃，

湿度：

20%RH～60%RH

8.17

单轴MEMS加速度计（冲击）

只测:

灵敏度、满量程输出

单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004

15g～1500g（g=9.80665m/s2）

8.18

单轴MEMS加速度计（振动）

满量程输出、频率响应范围、灵敏度

1g～50g（g=9.80665m/s2）

8.19

三轴MEMS加速度计（冲击）

8.20

三轴MEMS加速度计（振动）

满量程输出量程、频率响应范围、灵敏度

8.21

MEMS湿度传感器

湿度偏差

高分子湿度传感器总规范SJ20760-1999

8.22

信号（包括开关）和调整二极管

反向电流

GB/T6571-1995

半导体器件分立器件第3部分:

100pA～100mA

正向电压

8.23

热阻

JESD51-14（2010）

基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法

电流施加：

0.5mA～50A

电压施加：

10mV～30V

电压测量：

1mV～4.9V

K系数校正温度：

20℃～150℃

定时：

5us～1000s

8.24

功率MOSFET器件

栅极电荷

MIL-STD-750F半导体器件试验方法方法3471.2

漏极电流：

1A～150A；

栅极电流：

±

（0.1mA～200mA）；

漏极电压：

（5V～15V）；

栅极电压：

1V～600V；

栅极电荷：

5nC～500nC；

8.25

微电子元件关键几何特征

线宽

GB/T16594-1996微米级长度的扫描电镜测量方法TCL/O-WD-5001微电子芯片关键几何尺寸测量方法

0μm～5000μm

线长