简单的pcell制作Word下载.docx
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简单的pcell制作Word下载.docx
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点击stretch命令进行横向和纵向拉伸
StretchinX:
将出现的控制线,跨过你所需要拉伸的所有layer,然后按enter出现下图所示的图框
NameorExpressionforstretch:
自己取个名字,比如L代表了channalchannel
ReferenceDimension(Default):
L的尺寸,默认为控制线所经过的最小layer宽度
其他的几个选项可以调整layer拉伸的方向和最小最大值
W用stretchinY定义
然后看看成果
点击compile–topcell,进行编辑
点击OK,并且保存。
可以看到现在调用出来的MOS已经是一个可以编辑W,L的器件了。
但是我们有的时候我们要用到多个finger并联,所以可以通过设置另外一个参数M来实现。
因为M实际上就是一个finger复制M次,所以我们要用到repetition选项,如果这样直接使用这个操作,无法实现我们需要的结果,现在进行repetition的L是原始的L但是希望得到的是L改变后的复制,所以我们用到stretch-qualify
点击Qualify,此时控制线可选,点击控制L的线,并希望与其一起变化的layer,并双击或者enter确定
现在就可以进行repetition操作了。
我们还需要定义一个X方向的辅助参数ods,
选中需要repeatlayer,一般是poly,contact,metal,
Repetition-repeatinX,
Ok,然后进行compile-topcell
同样的方法不用定义ods,然后其他定义和上相同,调用两个pcell可以看出两者的不同
横向的repeat后,要进行纵向的repeat
一般选择contactrepeat。
选种需要repeat的layer,然后repeatition-repeatinXandY
上面的参数要根据自己的工艺进行定义
这就是一个简单的MOS的pcell建立方法。
下面的定义我们可以用于一个pcell可以做多个调用,比如我们要用到pmos和nmos,他们两个之间只有一层layer不同,我们可以选择这层layer,来实现NMOS或者是PMOS,同样我们的一个芯片中很可能要用到不同电压的器件,比如这个工艺所用的1.8v和3.3v的器件,3.3V比1.8V的多了一层layer,我们可以选择这个层次的有无来选择两种不同的器件,我们就以这个例子来定义。
选择需要定义的层次,然后
出现的图框中进行定义
Ok
Compile-topcell并保存
如上两图,可以通过TG?
的选择,实现MOS从3.3V到1.8V的转换
Parameterizedshapes的定义
选中一层layer,且只能选种一层layer然后define:
Margin代表说调用图中离左边缘的距离
红色定义的layer,margin=0时
Margin=2时,
Repeatalongshape:
是在上个定义的基础上进行定义,选种另外一层layer
Define
上图参数要选择合适的值
这个定义可以定义多层layer,因此可以定义其他可以用到的层次比如via,metal,等等
同时我们还可以用这两个选项进行path的设置如下图
设置参数,然后和上述步骤相同
Referencepoint的定义
在前面Parameterizedshapes的基础上进行下面的定义,选种layer
设置endpointofthepath,选择cont需要定义的位置
同理,definebyparameterized和上面同样定义适用于不是矩形图形,
可以调节参数X来进行调节上述图形。
Inherietedparaneters
这个设置主要用于多层次的设置,比如我要建立一个inv,我可以利用已经建立好PMOS,NMOS来实现这个功能,比如我要建立一个NMOS/PMOS,L和M相同,但是W不同的一个inv,如果只是象原来那样设置的话,我无法改变PMOS和NMOS的L,W,M,只能改边最上面设置的几个参数
选中PMOS然后定义
定义上述的各种参数
NMOS同样定义
这个时候进行上层poly,M的设置,
然后根据要求进行连线
Parameterizedlayers
这个命令可以选择一些layer进行随意变换,比如
选种一层TG
第二个选项可以不填,属于可选选项
Compile-topcell,调用
在TG中填入任何一种layer,如nwl,图中的TG便NWL所替代。
Parameterizedlabel:
如上图在设置了W,L的MIM电容后进行如下操作
Lable中写入关系如需要计算或标示的关系式
Compile-topcell,可以看到调用的pcell可以直接将电容面积计算出来,如果将电容的单位容值加进去,也可以直接计算出电容值。
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