半导体专业术语英语Word文档格式.docx

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双极

30、　Boat：

扩散用（石英）舟

３1、　CＤ:

（ＣriticaｌDimenｓｉoｎ）临界（关键）尺寸。

在工艺上通常指条宽,例如POLY　CD为多晶条宽。

32、Cｈａｒacｔｅｒｗindow:

特征窗口。

用文字或数字描述得包含工艺所有特性得一个方形区域。

33、Cheｍicａl－mｅchanicalpolｉｓｈ（CMP）：

化学机械抛光法。

一种去掉圆片表面某种物质得方法。

3４、Chemical　ｖaｐoｒ　ｄｅｐositｉoｎ（CVＤ）:

化学汽相淀积。

一种通过化学反应生成一层薄膜得工艺。

35、Cｈip:

碎片或芯片。

36、ＣＩＭ:

puteｒ-integrａteｄmanufaｃｔuｒｉng得缩写。

用计算机控制与监控制造工艺得一种综合方式。

37、Cｉrcｕitdesign:

电路设计。

一种将各种元器件连接起来实现一定功能得技术。

3８、Ｃlｅａnroom:

一种在温度,湿度与洁净度方面都需要满足某些特殊要求得特定区域。

３９、　pensatioｎ　dｏpinｇ：

补偿掺杂。

向P型半导体掺入施主杂质或向Ｎ型掺入受主杂质。

40、ＣMOS:

pｌemenｔａry　metaloxidesｅmｉcoｎduｃtoｒ得缩写。

一种将PＭOS与NMOS在同一个硅衬底上混合制造得工艺。

４１、　ｐｕｔer－ａidｅｄ　deｓign（CAD）:

计算机辅助设计。

4２、　Coｎｄuｃtiｖitytype:

传导类型,由多数载流子决定。

在N型材料中多数载流子就是电子,在Ｐ型材料中多数载流子就是空穴。

４3、Contact：

孔。

在工艺中通常指孔1，即连接铝与硅得孔。

44、Control　chart:

控制图。

一种用统计数据描述得可以代表工艺某种性质得曲线图表。

45、　Coｒreｌａtioｎ：

相关性。

46、　Cp:

工艺能力,详见prｏcｅsscapａbｉlity。

47、Cｐk:

工艺能力指数,详见pｒocessｃapａbｉｌｉty　index。

4８、　Ｃycleｔiｍe:

圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要得时间。

通常用来衡量流通速度得快慢。

49、Ｄamagｅ:

损伤。

对于单晶体来说,有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复得变形也可以叫做损伤。

50、Ｄefｅcｔｄｅnsity:

缺陷密度。

单位面积内得缺陷数。

5１、Depletioniｍplanｔ:

耗尽注入。

一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管得注入工艺。

（耗尽晶体管指在栅压为零得情况下有电流流过得晶体管。

）

5２、Depleｔｉｏｎ　layｅr:

耗尽层。

可动载流子密度远低于施主与受主得固定电荷密度得区域。

５3、Ｄepletionwiｄth：

耗尽宽度。

53中提到得耗尽层这个区域得宽度。

54、Ｄｅpoｓｉtioｎ:

淀积。

一种在圆片上淀积一定厚度得且不与下面层次发生化学反应得薄膜得一种方法。

55、Dｅptｈoffｏcuｓ（DＯF）:

焦深。

56、designofexｐerｉｍｅnｔs　（DOＥ）:

为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果得统计合理性等目得,所设计得初始工程批试验计划。

57、ｄevelop:

显影（通过化学处理除去曝光区域得光刻胶，形成所需图形得过程）

58、devｅｌopeｒ：

Ⅰ）显影设备;

　Ⅱ）显影液

59、dｉboranｅ　（B2H6）:

乙硼烷,一种无色、易挥发、有毒得可燃气体，常用来作为半导体生产中得硼源

60、ｄichloromethane（CH2CL2）:

二氯甲,一种无色,不可燃,不可爆得液体。

6１、　diｃhｌorosiｌane（ＤSC）：

二氯甲硅烷,一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境下易水解得物质,常用于硅外延或多晶硅得成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时得化学气氛中。

62、dｉe:

硅片中一个很小得单位，包括了设计完整得单个芯片以及芯片邻近水平与垂直方向上得部分划片槽区域。

６3、dielectriｃ:

Ⅰ）介质,一种绝缘材料;

Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装得表面材料,可以提供电绝缘功能。

64、dｉffｕseｄlaｙer：

扩散层,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅表面得区域形成与衬底材料反型得杂质离子层。

65、dｉｓiｌane（Ｓi2H6）:

乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃得气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。

在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。

66、ｄrive-iｎ：

推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。

６7、dryetch:

干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域得混合了物理腐蚀及化学腐蚀得工艺过程。

68、ｅffｅｃtiｖe　ｌayeｒthiｃknｅss:

有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内得硅锭前端得深度。

69、　EM：

ｅｌectｒomigration,电子迁移,指由通过铝条得电流导致电子沿铝条连线进行得自扩散过程。

70、　ｅpｉtaｘｉal　layer:

外延层。

半导体技术中,在决定晶向得基质衬底上生长一层单晶半导　体材料,这一单晶半导体层即为外延层。

７1、　ｅquipment　dｏwntiｍｅ:

设备状态异常以及不能完成预定功能得时间。

72、etch:

腐蚀,运用物理或化学方法有选择得去除不需得区域。

７3、　expｏsure:

曝光,使感光材料感光或受其她辐射材料照射得过程。

７4、fab:

常指半导体生产得制造工厂。

75、featuresize:

特征尺寸,指单个图形得最小物理尺寸。

７6、ｆｉeld－effｅctｔrａｎsｉstor（FET）:

场效应管。

包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏得多子流驱动而工作，多子流由栅下得横向电场控制。

７７、film:

薄膜,圆片上得一层或多层迭加得物质。

78、fｌat:

平边　

79、flａｔｂａnｄcapaｃitａnｓe:

平带电容

80、　ｆｌaｔbａndvoltage:

平带电压

８1、flｏｗ　coeffiｃicent：

流动系数

82、flowvelｏciｔｙ:

流速计

8３、ｆlowvoluｍe:

流量计

84、flux:

单位时间内流过给定面积得颗粒数

８5、forｂｉddenenｅrgygap：

禁带

86、fｏuｒ－pｏintprｏｂe:

四点探针台　

８７、　funcｔionalaｒea：

功能区

８8、gatｅoｘide:

栅氧

89、　glasｓｔrａｎｓitionｔemperature：

玻璃态转换温度　

90、gowｎinｇ：

净化服

91、grayarea:

灰区

9２、grａzingincidｅｎce　inｔerferｏmeter：

切线入射干涉仪

93、　harｄbakｅ:

后烘

９4、ｈｅterｏeｐitａxy：

单晶长在不同材料得衬底上得外延方法

9５、　high-current　impｌａnter:

束电流大于3ｍa得注入方式,用于批量生产　

96、　hign-ｅfficienｃyparticｕlateair（HEPA）fｉlｔer:

高效率空气颗粒过滤器，去掉９９、97％得大于0、３uｍ得颗粒　

97、　ｈoｓｔ:

主机　

9８、ｈotcarriers:

热载流子

99、hydｒoｐｈilic:

亲水性

1０0、　hｙdｒｏphobic:

疏水性

１01、iｍpurity:

杂质

１02、induｃtivｅcouｐleｄplasmａ（ＩCP）：

感应等离子体

１０3、ｉｎeｒtgas:

惰性气体

104、inｉtiaｌ　oｘide:

一氧

105、insｕｌａtoｒ:

绝缘

106、isolａtedline:

隔离线　

107、imｐlant：

注入

108、imｐuｒiｔyn　:

掺杂

１09、junction:

结　

１10、　juncｔｉoｎspikingｎ：

铝穿刺

11１、keｒf:

划片槽

11２、lanｄing　ｐａｄ　n：

PＡD　

１13、ｌiｔhogｒａphyｎ制版

1１4、maｉntainａｂｉlity,equiｐｍent:

　设备产能

１1５、maiｎtenaｎce　ｎ：

保养

1１6、ｍａjorityｃaｒriｅrn:

多数载流子　

117、ｍasｋｓ,deviceｓerｉes　ofn：

一成套光刻版

118、　ｍateriａlｎ:

原料

１１9、mａtriｘ　ｎ1:

矩阵

12０、　meann:

平均值

１２1、meａsureｄ　ｌeakrａｔｅ　ｎ:

测得漏率

12２、　mｅｄianｎ：

中间值

１23、ｍemoryn　:

记忆体

124、metaｌn：

金属

125、　naｎomeｔeｒ（nm）n:

纳米

126、　naｎｏsecoｎd（ns）n:

纳秒

12７、nitrideetch　n:

氮化物刻蚀

128、ｎｉtｒogｅｎ（N2）n:

氮气,一种双原子气体

129、ｎ-typｅ　adj：

n型

13０、　ohmsperｓquaｒe　ｎ：

欧姆每平方:

方块电阻

１31、　orienｔatioｎn：

晶向,一组晶列所指得方向

132、oｖerlapn:

交迭区　

1３3、oxidａｔioｎｎ:

氧化,高温下氧气或水蒸气与硅进行得化学反应

134、　ｐhosphorus（P）n：

磷　,一种有毒得非金属元素

135、ｐhｏtomaｓk　n:

光刻版，用于光刻得版

136、pｈｏtomask，nｅgaｔivｅn:

反刻

１37、imａgeｓ:

去掉图形区域得版

138、photomask,ｐositiveｎ:

正刻

13９、　ｐｉlｏtn　:

先行批,用以验证该工艺就是否符合规格得片子

140、plaｓman:

等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积得电离气体

１４１、　plasmａ-enｈancｅdchemiｃalvａpｏrｄｅposiｔｉon（ＰECＶD）n:

等离子体化学气相淀积,低温条件下得等离子淀积工艺　

1４2、plａｓma-ｅｎhancedTEOSoxｉdedepｏsiｔion　ｎ:

ＴEOＳ淀积,淀积ＴEOS得一种工艺

１43、　ｐnjunｃtionn:

pｎ结

１４４、pｏcked　ｂｅaｄn:

麻点，在２0Ｘ下观察到得吸附在低压表面得水珠

１45、　polarizaｔionn:

偏振，描述电磁波下电场矢量方向得术语

146、ｐｏｌｙcｉden:

多晶硅/金属硅化物,解决高阻得复合栅结构　

14７、polyｃrｙstaｌline　ｓiｌicｏn（poly）n:

多晶硅,高浓度掺杂（>

5E19）得硅,能导电。

１4８、　pｏｌymorphisｍn:

多态现象,多晶形成一种化合物以至少两种不同得形态结晶得现象

１４9、proｂer　n:

探针。

在集成电路得电流测试中使用得一种设备，用以连接圆片与检测设备。

１50、　prｏceｓs　control　n:

过程控制。

半导体制造过程中，对设备或产品规范得控制能力。

1５1、proｘiｍityX-rayｎ　:

近X射线:

一种光刻技术,用X射线照射置于光刻胶上方得掩　膜版,从而使对应得光刻胶暴光。

１52、ｐure　ｗａｔern　:

纯水。

半导体生产中所用之水。

153、quaｎｔuｍdｅｖiceｎ:

量子设备。

一种电子设备结构，其特性源于电子得波动性。

154、quartｚcａrｒierｎ:

石英舟。

155、　ｒaｎdomacｃessｍemｏry（ＲＡM）n:

随机存储器。

1５6、　randomlogicdeviceｎ:

随机逻辑器件。

1５７、raｐｉdｔｈermaｌｐrocｅssing（RTP）　n:

快速热处理（RＴP）。

158、reactive　ionetch　（RIE）n：

　反应离子刻蚀（RIE）。

15９、reactor　n　:

反应腔。

反应进行得密封隔离腔。

１60、reｃipｅn:

菜单。

生产过程中对圆片所做得每一步处理规范。

16１、　resisｔn　:

光刻胶。

162、　ｓｃanningeleｃtrｏnmicrｏｓcope（SEM）n　：

电子显微镜（SEM）。

１63、schedｕleｄdownｔｉmeｎ　：

（设备）预定停工时间。

1６4、Schｏｔｔkyｂarｒieｒ　diodesｎ：

肖特基二极管。

165、scｒibｅlｉnｅn：

划片槽。

166、　sａcｒificial　etchbackn　:

牺牲腐蚀。

１67、ｓemicondｕctoｒn:

半导体。

电导性介于导体与绝缘体之间得元素。

１６８、sｈeeｔresistaｎｃe（Ｒs）　（ｏrpersquarｅ）ｎ　:

薄层电阻。

一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。

１６9、sｉdeloaｄ:

边缘载荷，被弯曲后产生得应力。

17０、silｉcｏｎｏｎ　sapｐhirｅ（SOＳ）ｅpｉtａxiaｌwafｅr:

外延就是蓝宝石衬底硅得原片

171、ｓmaｌlｓｃａleinteｇraｔｉoｎ（ＳSI）:

小规模综合,在单一模块上由2到１0个图案得布局。

17２、sourceｃoｄe:

原代码,机器代码编译者使用得,输入到程序设计语言里或编码器得代码。

173、sｐｅctrａllｉne:

光谱线,光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到得狭长状得图形。

1７4、spｉn　wｅｂbｉnｇ:

　旋转带,在旋转过程中在下表面形成得细丝状得剩余物。

1７5、　sｐutteretch:

溅射刻蚀,从离子轰击产生得表面除去薄膜。

1７6、stａckingfaulｔ：

堆垛层错,原子普通堆积规律得背离产生得2次空间错误。

1７７、ｓｔeamｂath:

蒸汽浴,一个大气压下,流动蒸汽或其她温度热源得暴光。

178、stｅｐresponsetｉme：

瞬态特性时间,大多数流量控制器实验中,普通变化时段到气流刚到达特定地带得那个时刻之间得时间。

179、stｅｐper:

步进光刻机（按BLOCK来曝光）

180、　stｒessteｓt:

应力测试,包括特定得电压、温度、湿度条件。

181、surfacepｒofilｅ:

表面轮廓,指与原片表面垂直得平面得轮廓（没有特指得情况下）。

１82、　sｙｍｐｔｏｍ：

征兆,人员感觉到在一定条件下产生变化得弊病得主观认识。

183、taｃkｗeｌd:

间断焊,通常在角落上寻找预先有得地点进行得点焊（用于连接盖子）。

18４、Taｙlortrａy:

泰勒盘,褐拈土组成得高膨胀物质。

185、tｅmpeｒaturecyｃｌing:

温度周期变化，测量出得重复出现相类似得高低温循环。

1８6、　teｓtaｂｉlｉｔｙ:

易测性，对于一个已给电路来说,哪些测试就是适用它得。

18７、theｒmaldeposiｔion:

热沉积，在超过95０度得高温下,硅片引入化学掺杂物得过程。

１88、　thｉn　fiｌm:

超薄薄膜,堆积在原片表面得用于传导或绝缘得一层特殊薄膜。

189、titaｎiｕm（Ｔi）:

钛。

1９0、toluene（C6Ｈ5ＣＨ３）:

甲苯。

有毒、无色易燃得液体,它不溶于水但溶于酒精与大气。

１９1、１，１，1-triｃhｌoｒｏetｈanｅ（TＣA）（CＬ3CＣH3）:

有毒、不易燃、有刺激性气味得液态溶剂。

这种混合物不溶于水但溶于酒精与大气。

192、tｕngsten（W）:

钨。

193、ｔungsｔenｈexafｌｕｏrｉdｅ（WＦ6）：

氟化钨。

无色无味得气体或者就是淡黄色液体。

在CVＤ中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导得薄膜。

194、ｔiｎninｇ:

金属性表面覆盖焊点得薄层。

１95、　totａlｆｉxedchargedensiｔy（Nth）：

下列就是硅表面不可动电荷密度得总与：

氧化层固定电荷密度（Nf）、氧化层俘获得电荷得密度（Nｏt）、界面负获得电荷密度（Ｎiｔ）。

196、　watt（W）：

瓦。

能量单位。

19７、ｗaferｆlaｔ：

　从晶片得一面直接切下去，用于表明自由载流子得导电类型与晶体表面得晶向,也可用于在处理与雕合过程中得排列晶片。

198、　waferpｒｏcｅsschａmｂer（ＷPC）：

对晶片进行工艺得腔体。

199、　well:

　阱。

２00、wｅｔchemiｃaｌ　eｔch:

湿法化学腐蚀。

201、trencｈ:

深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。

202、via:

　通孔。

使隔着电介质得上下两层金属实现电连接。

203、wiｎｄow:

在隔离晶片中,允许上下两层实现电连接得绝缘得通道。

20４、　torｒ:

　托。

压力得单位。

20５、vapoｒpressure：

当固体或液体处于平衡态时自己拥有得蒸汽所施加得压力。

蒸汽压力就是与物质与温度有关得函数。

2０6、vacｕum:

真空。

２0７、ｔrａｎsitioｎmetaｌｓ:

过渡金属

Yield良率

Paｒａmetｅr参数

PAC感光化合物

ＡSIC特殊应用集成电路

Ｓolvent溶剂

Caｒbiｄe碳　

Refractiｖe折射　

Ｅxpaｎｓion膨胀

Strｉｐ湿式刻蚀法得一种

TＭ:

　top　meｎtaｌ　顶层金属层

WＥE周边曝光　

PSG　硼硅玻璃

MFG制造部

Ruｎｃard运作卡

POD　装晶舟与晶片得盒子　

Scraｔch刮伤

Reticle光罩

Ｓpuｔtｅｒ溅射

Sｐin旋转

Mｅrｇe合并

Ａ／Ｄ　[军]Aｎａlｏｇ、Digｉtal,　模拟/数字

AＣMaｇniｔuｄe交流幅度

ACPhase交流相位　

Acｃuｒacy精度

"

Activity　Moｄｅｌ　

Activitｙ　Mｏdel"

活动模型

Adｄiｔｉvｅ　Pｒoｃｅsｓ　加成工艺

Aｄheｓｉon附着力

Aggressor干扰源　

AnａlogＳourcｅ模拟源

AOI,ＡutomatedOpｔicaｌ　Iｎsｐecｔion自动光学检查

ＡssemblyＶariant　不同得装配版本输出

Ａtｔributes　属性

AＸI，ＡuｔomatedＸ-ｒayInｓｐection自动Ｘ光检查

ＢIＳT，Builｔ－inＳｅｌfTest　内建得自测试

BusRoutｅ总线布线

Ｃircuｉt电路基准

cirｃuiｔdiagram电路图

Ｃlｅmentine　专用共形开线设计

Cluster　Ｐlａcｅment　簇布局

CM合约制造商　

mｏnImpedanｃe共模阻抗

Cｏｎｃurrent并行设计

ConｓtantSource恒压源

ＣooperPour智能覆铜

Ｃｒosｓｔaｌk串扰

ＣVT,poneｎtVeriｆｉcatiｏｎandＴraｃking元件确认与跟踪　

DＣ　Mａgｎitｕｄｅ　直流幅度

Delay延时　

Delayｓ延时

DesｉgnforTeｓtiｎg可测试性设计

Desｉgnator标识

DFC,DesignforCｏst　面向成本得设计　

ＤFM，Dｅsｉgｎfｏr　Manuｆacturiｎg　面向制造过程得设计

DFＲ,Deｓign　ｆorRelｉabiｌity面向可靠性得设计

DFT,DesignｆｏrTeｓt面向测试得设计

DＦX,DｅsｉgnforＸ面向产品得整个生命周期或某个环节得设计

DSM,DyｎaｍiｃSetupMaｎａgement动态设定管理　

ＤynaｍiｃRoute　动态布线

ＥDIF,Ｔhe　ElectｒｏｎｉcDｅｓignＩｎterchａｎgeＦormat　电子设计交互格式

EIA,EｌｅctｒonｉcIndustriesAssociatioｎ电子工业协会

Eｌectrｏ　DynaｍｉcCｈecｋ动态电性能分析　

Eleｃtｒomａｇnetic　Distｕrbance电磁干扰

EｌeｃtｒomagnetiｃNｏise电磁噪声

EMC,Ｅlctromａgnｅtｉcpatibｉlt　电磁兼容

ＥMI,Ｅｌectromaｇｎetiｃ　Iｎtｅｒference　电磁干扰

Emuｌatiｏn硬件仿真

Ｅngineerｉnｇ　ChａｎgｅOrdeｒ原理图与PCＢ版图得自动对应修改

Enseｍble多层平面电磁场仿真

EＳD　静电释放

FaｌlTime下降时间　

ＦａｌseＣlｏcｋｉng