晶圆处理工程用语1Word文件下载.docx
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D1008
Orientationflatarrangeequipment
晶圆定向平面摆齐装置
是指将匣盒内晶圆之定向平面加以摆齐在一个方向之装置。
为要检查晶圆转移传送是否确实,或为要使晶圆在各处理装置内之定向决定,能顺利所使用之装置。
D1009
cassette/magazine
晶圆匣盒/晶圆收纳盒
是指将晶圆被加工对象整齐加以收纳之装置。
为使晶圆加工对象在各制程上能容易进行搭载及卸在载为目的,所使用之匣盒。
类同之用语有magazine一语。
D1010
cassette-to-cassettehandling
匣盒间转运处理
系指从供给侧晶圆匣盒,将晶圆每次一片自动加以取出,输送至处理室处理后,将晶圆逐片收纳在收纳侧晶圆匣盒之处理方式。
D1011
Availability
利用度,利用率
系指针对计划运输时间,实际可正常运输时间之比率。
D1012
Substrate
基板,基片
是指成为处理对象之空白遮光罩(maskblank),晶圆等材料总称.
D1013
Carrierbox
运载盒
指为要输送或保管晶圆之容器.在制造过程上务必保持晶圆不至受到容器排放瓦斯之污染,输送盒材质之鉴定至为重要.目前,输送盒以使用聚丙稀(polypropylene)树脂及聚碳酸脂(polycarbonate)的树脂为主.
D1014
Clustertool
组合设备公具
指将不同装置厂家之设备或不同制程之结合,或能将半导体装置制造商独特之制造模块,加以装配之多加工室(multichamber)制造装置。
是以美国半导体制造装置厂家为中心之团体MESA(ModularEquipmentStandardArchitecture)所提倡者。
D1015
Pre-purge
是指要使用热处理炉、反应室或瓦斯配管系统之前,将纯性瓦斯引进加以净化之操作。
D1016
Costofownership
是将半导体制造相关设备之投资,或将营运之经济性评价基准,以经营位皆加以模型化者。
将制造装置之寿命周期成本(lifecyclecost),以装置价格、生产性、可靠性及成品率等加以考量,而算出每一晶圆良品成本之方法。
D1017
Magneticcoupledfeedthrough
磁耦合旋转馈通
是指利用N极S极之磁性结合力,将外旋转驱动力传达到真空气氛内之旋转机构。
是一种非接触旋转,因多半在真空与大气间隔着一道墙壁之构造,其真空密封寿命为无限大,对超高真空性能之维持很有效。
D1018
Magneticlevitationtransfer
磁悬浮输送
是指利用磁性反斥力之非接触性输送机构。
是由控制磁悬浮之控制电磁铁、线性马达及悬浮体等所构成,例如遮光罩或晶圆等之基片搭载在悬浮体上来移动。
在真空中使用时,因属非接触,无振动、无润滑油及全然不产生灰尘,具有可获得洁净真空等大特点。
D1019
Robotforusinginvacuum
真空机械人
是指在真空室内,为要移送基板单体所使用输送机构之总称。
为防止例如遮光罩,晶圆等基板受到微粒之污染,采用振动部极低之机构。
就其功能而言,一般具有直进、旋转、上下移动等功能。
D1020
Throughput
生产量,工作数
是单位时间内所能处理之遮光罩或晶圆等基板之工作数量。
D1021
Slowvent
缓慢通气
是指将真空装置之真空槽,恢复到大气压之过程中,经由调节电导阀,可以很小之导入速度缓慢加以通气。
其目的在于防止微粒飞扬。
Softvent
软性通气
D1022
Slowpumping/slowroughing
缓慢排气
是指将真空装置从大气压开始真空排气过程中,经由调节电导阀以很小之排气速度缓慢加以排气。
类似之用语有软性排气(softroughing)。
Softroughmg
软性排气
D1023
Electrostaticchuck
静电夹头,静电夹盘
是在载物台上设立介电层,对载物台与晶圆间施加电压,经由发生在两者间之库伦力,将晶圆加以吸住之机构。
为要保持晶圆及温度控制,可以在载物台或输送系统等。
D1024
Sender
发送机
是指将收纳处理前之遮光罩或晶圆等基板之匣盒,加以搭载并将基板输送至处理装置之机构。
D1025
Soaktime
热炼时间
系指将退火装置或真空蒸镀装置之加热对象物,以不致蒸发之温度加以维持之时间。
就退火而言,指维持所希望时间,就真空蒸镀法而言,指预备加热温升排气之时间。
D1026
Softlanding
软性着陆
旨在横型之热氧化装置,热扩散装置及热CVD装置,将搭载晶元之晶舟,输入或输出制成反应管之际,不至于接触管内壁,具有可抑制产生微粒功能之搬运装置。
D1027
Turbomolecularpump
涡轮式分子泵
指具有汽涡轮机形之叶片,经由高速旋转之转子,将与其叶片表面碰撞气体分子给与运动量,以输送气体之运动量输送式真空泵。
可在分子流领域有动作。
D1028
Dummywafer
仿真晶元,虚设晶圆
指当装置在试运转中,分批处理晶圆时为要凑齐片数,或为承载效应等对策所使用,指实际没有形成IC图案的晶圆.
D1029
Chip?
die
芯片/小芯片
指将用来制作无源(被动)组件、有源(主动)组件,或被制成集成电路为前提之半导体或绝缘物细片。
有时亦可称为(片状器件)。
请参阅cf.JIS.请参阅图E-1002.
D1030
Turn-around-time
一贯制程所需时间
指将工件之完成产品所需要之时间。
如何将产品提早完成,Q-TAT(QUICKTAT)
D1031
Dryvacuumpump
干式真空泵
指作为涡轮式分子泵或低温泵(cryopump)(oilfree)指出加工,系瓦斯通路不会混入油分之不沾油泵。
通常可从大气压减压至10-3Pa
D1032
Batchprocessing
分批处理
系指每次可见多数片晶圆加以处理之方式。
D1033
Buffer
缓衡容器
系指可在装置内暂时收纳遮光罩或晶圆等基板之单元。
通常可分为使用载运闸盒,或使用专用治具者。
基板之进出有先进先出(FIFO),有后进先出(LIFO)之2种方式。
D1034
Footprint
脚印
系指将装置设置在平面时,从正上方加以投影之总设置面积。
D1035
Processinducedparticlecounter
制程感应粒子计数器
系指具有严格之试料气体防漏机构,将试料流通路内鼻子残留杂质彻底加以除去之光散射式粒子计数器。
系用来监视半导体组件制造原料瓦斯,CVD或注入粒子装置等减压槽中之浮游粒子数。
D1036
Beltlesstransfersystem
无带式输送系统
是指将遮光罩或晶圆等基板背面,以诸如真空机械人或磁浮等非用直接输送带之基板输送机构之总称。
以采用橡皮输送带或金属性弹性带之输送,无法防止来自输送带材质之污染,因此今后均以无带式输送主流。
D1037
Singlewaferprocessing
单晶圆处理方式
是指将晶圆一片一片加以处理之方式。
D1038
Multi-chambervacuumsystem
多式真空系统
是指关于布线工程、薄膜形成工程等,经由将各个不同制程适当加以搭配在一起,且在一贯之气氛下加以处理,为提升制程之总功能为目的,所构成之多室真空装置。
此一真空装置有以输送室为中心,在其周围将制程室配制成放射状型。
以及以输送室为中央,而将制程室配置在两侧之线形型等两种。
D1039
Mechanicalchuck
机械式夹头
是指利用机械爪具或环形吸盘等,将晶圆外周部加以机械式保持、安装之机构。
D1040
Receiver
接受匣盒
是指搭载处理后之遮光罩,晶圆等基板之收纳匣盒,及将基板由处理装置取出之机构。
D1041
Recipe
处理程序
是指为要进行晶圆制程之处理控制,对制程装置之制程次序,及控制参数(温度,压力,瓦斯之种类及流量,时间等控制目标值)等相关装置个别之处理程序。
D1042
Loader
装载机、装料机
指将加工对象(work)放置与所定位置或安装之机构。
D1043
load-lockchamber
加载互琐真空室
是不得将处理室暴露于大气中,可进行晶圆之装入与取出为目的之真空室。
在处理室之前后或任一方配置一个阀,经由阀与真空排气系统动作之搭配,可以经常保持处理室在真空状态。
D1044
rapidthermalprocess
快速热处理
是有关热处理,为提升产量(throughput)等目的,将温度作快速上升或下降等操作或制程。
D1045
in-situ
就地,在现场,自然(环境)
以往都将起当作另外制程进行之处理,却将其编入其它制程内,诸如:
in-situcleaning,in-situdoping,及in-situmonitoring可分别当作就地清洁,自然(环境)掺杂,及现场监视等使用。
D1046
Opencassette
开放式晶圆匣
是属于可收纳晶圆而在装置间搬运之容器,由可支持晶圆之部位,与搬运时将容器本体加以把持之部位,以及由此等支持体所组成,其晶圆收纳部成为开放状态之晶圆搬运容器。
D1047
Kinematiccoupling
运动举上之耦合
在载物台上配置有位于三角形顶点之三个凸状,且具有3次元曲面之突出头,在各个突出头套上设在被载物体之3个颠倒V字形之嵌合罩,是用来进行位置决定之机构。
被使用作300mm之晶圆搬运机(wafercarrier)。
具有较大之调准范围与经由自动求心之较高位置决定精确度为其特点。
D1048
Swiftstartupsystem
快速启动系统
关于半导体等生产启动,从初期阶段起同时将各装置加以设置,边决定制程条件,边快速提高到全能生产时能力之快速生产启动方法。
D1049
Thermalbudget
热预算
系指在制程中,晶圆所受到的总热量。
是温度及暴露于该温度全时间的函数。
D1050
PIDtemperaturecontrol
PID温度控制
是典型制程温度控制方式之一种。
使用P为比例,1为积分,D为微分等3种基本演算,将目标值与现有值间的差值变换成控制量者。
针对PID各参数变更,可较为容易地预测其控制特性的变化。
D1051
Pod密闭夹式容器
为达成高度局部洁净化需要,且降低洁净室的
营运成本为目的,是用作保存及输送如晶圆等被处理体密闭容器的总称。
经由以下主要构成要素的选择,可以考量有如下四种组合,容器内部可保持晶圆的匣盒部分,与容器为一体构造,(即匣盒部分为可拆开式或无法拆开式)。
其开口部位在前面或底面者。
D1052
Processintegration
加工整合,整合处理
当靠量抑制加工研发的投资结果,在半导体制造装置内,以一定的条件或环境下,将多项加工连续反复加以处理,在同一晶圆上重复加工,可以提升合格率或生产效率的技术。
列如可以列举以in-situ将蚀刻或溅射等,施加一连串的处理,且加以回收之多室装置等。
D.2薄膜形成用语
D2001
Thinfilmdepositionsystem
薄膜沉积系统
是指有关半导体制造工程,可形成绝缘膜,电极布线膜,及半导体膜之装置总称。
有关薄膜之形成原理可大略分成真空蒸镀装置,溅镀(sputtering)系统等PVD(physicalVaporDeposition)系统,CVD(ChemicalVaporDeposition)系统,及磊晶(epitaxial)生长系统。
D2002
Injector
注入器
nozzle
喷嘴
系指诸如CVD系统,磊晶生长系统等反映室内,注入瓦斯之喷出部。
也可称为喷嘴。
D2003
Waferheatingmechanism
晶圆加热机构
系指为加热晶圆所护套加热器,红外线灯加热器等的总称。
随着晶圆之大口径化,需要面内有均匀加热性能,进年来在发热体与晶圆背面间,使用He或Ar等瓦斯作为热媒体,此一媒体加热已成为重要技术。
D2004
Spinonglasscoating
SOG涂敷
SOG涂布
是指为要层间绝缘膜或平坦化,所使用涂敷有SOG(spin–on-glass)膜之敷层。
此一敷层使用将SiOx溶解于酒精俗称调味料之药液。
敷层后进行硬化烘焙(400-700℃)使溶剂挥发。
因药液之粘度很高,有使用喷嘴洗涤及帽套洗涤机构之必要。
D2005
Overhang
突出部分,悬垂物
是指有关组件之穿孔(throughhole)等,其段差部之纵横比(aspectratio)较大时,上部段差部角较下部底面之膜厚为大,形成如同雨檐突出部分之膜。
D2006
Shutter
快门光匣
是指位在薄膜形成装置之蒸发源与晶圆间,所设置之遮断板。
薄膜形成中为打开。
D2007
Stepcoverage
阶跃式覆盖率
是指位在LSI等半导体组件薄膜表面上,有微细段差部之膜覆盖状态。
因有段差部之覆盖状态,直接影响到布线之不正常断线,成为产品合格率,品质下降之原因。
D2008
Planarization
平坦化
是指随着布线之多层化,可以将纵向构造之段差凹凸情况,加以缓和之技术。
就绝缘膜之平坦化法而言,有镀膜(coating)法,偏溅射(biassputtering)法,平坦化热处理(reflow)法、背面蚀刻(etchback)法,及剥离(liftoff)法。
就金属膜之平坦化法而言,有偏溅射法、CVD选择生长法等。
对于CMP法所能获得跨于晶圆全面之平坦化,特别称为全面平坦化。
D2009
Void
空隙,空洞
当将晶圆加热时铝等金属膜构造将产生变化。
此时,将有压缩应力作用于布线材料膜,为缓和此一应力过程,将在表面上产生突起之结晶粒,在温度下降之过程为要缓和张力,而在结晶粒界所产生之空隙。
D2010
Polyimidecoating
聚酸亚胺涂敷
是指为要形成保护膜、层间绝缘膜,所加以之涂敷聚酸亚胺膜。
因聚酸亚胺粘性很高(1000-2000cp)使用挥发性较低溶剂NMP(N-methy1pydolidon)。
涂敷后,为溶剂之挥发而在400℃中进行硬化烘焙。
D2011
Mousehole
老鼠洞
是指在组件图案之段差部形成薄膜之际,由于侧壁与平面间之膜质之不同,往后在蚀刻制程中由部分系在高速蚀刻下进行,而产生蛀虫状之洞穴。
D2012
Reflow
圆滑热处理,平坦化热处理技术
是指随着LSI组件之积体化,为缓和较复杂之段差纵向构造,经由高温热处理谋求平坦化为目的,所使用之技术。
将含有磷8-12%(重量百分比)之PSG膜,以CVD法加以沉积,经由大约1000℃之高温热处理,利用PSG之流动性将晶圆表面加以平坦化。
为降低玻璃之软化点,亦利用对PSG膜掺入硼杂质之BPSG膜。
注:
PSG(phrasestructuregrammer)文句构造文法。
D2013
Wafercoolingstage
晶圆冷却夹片台
是指将编排在半导体制造装置内之高温晶圆,加以冷却之夹片台。
亦称为冷却站(coolingstation),氧化、退火装置或抗蚀刻处理装置,亦有此一设备。
D2014
Ferroelectricthinfilm
铁电薄膜
强诱电体薄膜
是指使用与电容器的PAT*1、、、、BST*2、SBT*3等强电介体薄膜。
是由MOCVD法,溶液汽化CVD法,溅射法,solgel法及涂敷法等所形成。
*1:
pbxZr1–xTiO3;
*2:
BaxSr1–xTiO3;
*3:
SrBi2Ta2O9.
D2015
Plasmatrap
离子喷镀系统
是指在CVD装置,为要保护真空泵等,利用等离子体去除所反应副生物的装置。
2.1真空蒸镀装置用语
D2101
Vacuumevaporationsystem
真空蒸镀系统
真空蒸着装置
是指在低于10-2Pa压力的真空装置内放置蒸发源,并在其周围放置晶圆,经由加热蒸发源使材料(金属或某种化合物),在真空中将晶圆加以蒸镀的装置,蒸发源原子(或分子)由蒸发源汽化直接在晶圆基板上沉积凝积。
D2102
Resistanceheatingevaporation
电阻加热真空蒸镀系统
抵抗加热真空蒸着装置
此一装置可以分类成以W,Ta,,Mo等高熔点金属,所制成加热器或BN等复合材料加以通电,使蒸发材料直接加热蒸发的直接加热式装置,以及由坩埚与发热体所构成的间接加热式装置等2种。
此一系统的真空蒸镀装置中,构造最简单具备有能量上最稳定状态的特点。
D2103
Electronbeamevaporationsystem
电子束蒸镀系统
系指将电子束照射于蒸发材料使其加热,有利用其蒸发击力来蒸镀之装置。
就此一方法而言,坩埚因置于水中冷却,坩埚材料中之杂质,混入蒸镀膜之可能性较小,此法亦使用于高融点物质,半导体或氧化物之蒸镀。
D2104
Inductionheatingevaporationsystem
感应加热蒸镀系统
高周波诱导加热真空蒸着装置
系指利用蒸发材料本身所感应之高频电流,作为加热源之真空蒸镀装置。
此一方法仅对电感应材料有效,而不能适用于绝缘体。
此法可利用于不受荷电粒子损伤之蒸镀装置。
D2105
Ionplatingsystem
系指将晶圆置于阴极侧,产生辉光放电,从蒸发源将蒸发原子加以电离化或激励,加速后撞击在基板上,且加以堆积之真空蒸镀装置。
经由此法可以获得密接性很强之被膜。
具有可得膜质很优良之化合物被膜等特点。
D2106
Ionizedclusterbeamevaporation
System
成团离子线束蒸镀系统
系指在高真空中,将102~103个原子聚集成团加以电离化,且加速撞击堆积在晶圆上之装置。
以成团蒸发源作为蒸发源,且将蒸汽容器之蒸汽出口做成小喷嘴,促使容器内外压力差很大以便喷出。
此时,蒸汽在断热膨胀之过程下形成一团一团。
成团之电离化,系利用热电子放射灯丝与阳极,经由电子撞击来进行。
D2107
Depositionrate
蒸镀速率
系指每单位时间内,在晶圆上生成之膜厚。
就真空蒸镀法而言,称为蒸镀速率,就溅射法而言,称为溅束镀速率,就CVD法而言,可称为沉积速率。
D2108
Evaporationsource
蒸发源
系指有关真空蒸镀法中,将作为膜材料之蒸发材料,加以蒸发之加热源。
此一蒸发源以电阻加热蒸发源,电子束蒸发源,感应加热蒸发源为代表。
D2109
Evaporationmaterial
蒸发材料
系指经由蒸发源加热使之蒸发,所称为膜之物质。
D2110
Rotaryandrevolutionaryjig
自转公转夹具
系指有关蒸镀装置,所使用晶圆固定夹具之一种.针对蒸发源配置多数个(通常为3个)圆顶状晶圆固定夹具,在蒸镀中,因可进行各圆顶夹具之自转与公转,可得跨于广大面积厚度均一之膜,同时阶跃式覆盖范围具佳.。
D2111
Domejig
圆顶夹具
系指内侧能保持多数晶圆之圆顶状晶圆固定器。
在其中心轴设置蒸发源,且经由将圆顶加以公转,可同时对多数之晶圆附着钧一之膜。
D2112
Thicknesscontrol
膜厚控制
系在成膜制程中,经由厚膜计(水晶振荡式,原子吸光式及光学式等)来监控膜及蒸镀速度,使能成为所定膜厚,或保持一定之蒸镀速度等控制。
D2113
Laserablation
镭射烧蚀
系利用高密度之光子照射,切断蒸发材料表面之化学结合,使其蒸发而形成薄膜者。
2.2溅镀装置用语
D2201
Sputteringsystem
溅镀系统
在真空中引进放电用瓦斯,若对电极间施加电压,将产生辉光放电。
此时等离子体(plasma)中之正离子撞袭到阴极之靶表面,而将靶原子掏出来。
系指利用此一溅射现象,在晶圆上形成薄膜之成膜装置。
放电瓦斯使用氩气(Ar)。
D2202
Diodesputteringsystem
二极管溅镀系统
系指具有由一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造之溅镀装置。
阴极相当于靶子,而阳极兼作基板固定器之功能。
产生辉光放电后,等离子体中之氩正离子撞击到靶子表面,将靶原子掏出来,而将设置在阳极之晶圆上,形成薄膜。
D2203
DCdiodesputteringsystem
直流二极管溅镀系统
系指具有由一对阴极与阳极所成之2极冷阴极辉光放电管构造,在电极间施加直流电压,使产生辉光放电,在此系指利用位在阴极上靶子之溅射现象,来进行形成薄膜之溅镀装置。
靶
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