案例VoLTE KQI指标影响感知权重分析报告Word文档下载推荐.docx
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rtp包的平均端到端时延,取自RTCP包的上报信息。
●语音盒MOS采样点机制
本次CQT是使用ZTEV8连接MOS盒测试,主叫、被叫UE每隔16s记录一个MOS值。
语音盒MOS采样机制如下:
(1)主叫起呼,进行录音(8s左右);
(2)被叫放音,主叫收音,被叫记录第1个MOS采样点(8s);
(3)主叫放音,被叫收音,主叫记录第1个MOS采样点(8s);
(4)被叫放音,主叫收音,被叫记录第2个MOS采样点(8s,与第1个采样点间隔16s);
(5)主叫放音,被叫收音,主叫记录第2个MOS采样点(8s,与第1个采样点间隔16s);
(6)被叫放音,主叫收音,被叫记录第3个MOS采样点(8s),如此类推……
3.5sRTP切片分析
3.1.DO数据库5sRTP切片分析
DO数据库侧共提取5517个5sRTP切片,其中DO自动判断为感知差场景共计921个。
在感知差场景中,吞字发生频次最多,其次为单通,断续最少。
正常场景
数量
728
147
253
4595
占比
13.20%
2.66%
4.59%
83.30%
以下将通过分不同感知场景,分上下行依次研究感知差与KQI指标关系。
●吞字
吞字分为上行吞字、下行吞字,在本轮测试的5517个5S切片中,吞字切片共计728个,其中上行吞字573个,下行吞字231个。
I、上行吞字
以下为发生上次吞字时,上行MOS与上行丢包率、上行抖动、上行RTP传输时延(573个切片,有其中327个该值为null,显示为“0”)关系折线图,切片顺序以丢包率升序排列:
(1)、从以上折线图可以发现,上行MOS随着上行丢包率逐渐增高而递减,当丢包率达到10%时,MOS逐渐低于3.5(第33个点MOS=3.42,丢包率为10%),当上行丢包率高于35%时,MOS开始低于1,最差值稳定在0.9左右;
(2)、当上行MOS发生明显抖降时,上行抖动基本上会随之陡升,MOS值波动越大,上行抖动波幅越大。
去除波幅较大的点,上行抖动基本保持在5ms以内;
(3)、上行MOS与上行RTP传输时延关系图,上行RTP传输时延基本在1ms以内波动。
所以由上可以得出,随着上行丢包率增高,上行MOS逐渐变低,两者存在一定的线性关系。
当上行抖动陡升时,上行MOS会出现陡降,而上行RTP传输时延与上行MOS暂未发现明显关系。
因此,通过以上分析可初步得出如下情况:
上行丢包率反应上行MOS的整体变化趋势,上行抖动的陡然变化会导致上行MOS也会发生陡然变化。
下面通过分析在一个5s切片内,当上下行吞字发生的次数不同时,研究上行MOS,上行丢包率等指标间的关系。
以下是吞字数目的分布情况,可以看出上行吞字1~4次占8成左右,吞字5次及以上的占近2成。
5s内吞字次数
吞1次
吞2次
吞3次
吞4次
吞5次
吞6次
吞7次
吞8次
吞9次
吞10次及以上
切片数量
231
105
67
57
21
12
28
14
26
40.31%
18.32%
11.69%
9.95%
3.66%
2.09%
4.89%
2.44%
4.54%
√上行吞字1次
在573个上行吞字切片中,上行吞字1次共计231个,以下是上行吞字1次时,各KQI指标间的关系折线图(按上行丢包率升序排序):
由以上图表可以看出,上行丢包率方面,当上行发生吞字1次时,随着上行丢包率逐渐增高,上行MOS随之降低,当上行丢包率逐渐高于10%,15%,25%及35%时,上行MOS开始对应依次低于3.5、3、2及1。
上行MOS
上行到包数
上行丢包数
上行丢包率
33
3.42
36
4
10
34
3.63
136
16
10.53
35
3.48
41
5
10.87
51
3.00
6
15
52
2.99
27
15.63
53
3.03
115
2.06
82
24.77
116
1.93
24
8
25
117
2.03
81
209
1.03
95
54
36.24
210
1.02
89
36.43
211
0.98
85
49
36.57
上行抖动方面,首先上行抖动的变化与上行MOS的变化基本呈负相关关系,即当上行MOS陡降时,上行抖动会随之陡增。
231个切片中,上行抖动的平均值为6.81ms,有近9成的上行抖动值低于10ms,有19个切片上行抖动在10~20ms之间,占比8%左右,有6个切片的上行抖动超过20ms,最高值达到79.48ms。
上行抖动分别区间
(0,5]
(5,10]
(10,20]
(20,50]
大于50
99
107
19
1
42.86%
46.32%
8.23%
2.16%
0.43%
在25个上行抖动高于10ms的切片中,有6个上行丢包率低于10%,有19个上行丢包率高于10%,如下:
上行RTP传输时延
上行抖动
4.04
137
2.84
0.00
12.14
4.03
161
3.01
0.21
13.79
9
4.00
3.55
0.69
11.08
3.90
126
5.97
0.50
13.53
3.83
38
3
7.32
29.67
29
3.71
122
8.96
0.41
2.43
49.37
11.11
19.85
3.45
135
12.34
12.87
40
3.38
97
12.61
0.47
10.84
44
3.30
12.9
2.70
21.33
2.90
16.13
2.50
43.88
55
2.77
3.77
41.27
65
2.76
18.75
10.32
73
2.56
19.35
3.79
17.97
78
2.61
20
10.55
104
2.21
23
7
23.33
15.83
121
1.95
4.19
12.94
2.80
16.82
172
1.29
11
31.25
8.09
17.29
186
1.20
60
32.58
1.40
10.67
188
1.21
90
32.84
0.58
11.00
228
0.90
74.07
18.48
251
83.11
79.48
上行丢包率低于10%,上行抖动高于10ms时,此时上行到包数基本都在120个,上行丢包个数都在15个以内,此时MOS均在3.5以上。
上行丢包率高于10%时,上行抖动也高于10ms时,此时上行到包数基本在100个以内,上行丢包数基本在60个以内,MOS均低于3.5。
上行RTP传输时延方面,231个切片中共有112个切片上行RTP传输时延为0,经排查发现对应上行RTP传输时延计算公式分子UL_PKT_LATENCY也为0,时延数据存在异常。
已将该情况反馈至平台研发人员,具体原因正在排查中。
其余正常的119个切片中,上行平均RTP传输时延为1.83ms,3ms以内的切片数量占近7成。
上行RTP传输时延(ms)
(0,1]
(1,2]
(2,3]
(3,4]
(4,5]
(5,9]
5s切片数量
43
17
经观察发现,在MOS高于3.9的14个切片中,上行RTP传输时延均低于1ms,14个切片时延均值为0.56ms;
在MOS为2~3.9间时,时延整体变长,时延基本在0.9~4.5ms间波动,此间的42个切片时延均值为1.96ms;
在MOS低于2时,时延波动幅度变大,峰值达到8.39ms,时延基本在1~8.5ms间波动,此间的67个切片,时延均值为2.03ms。
√上行吞2次
在573个上行吞字切片中,有105个为上行吞字2次,以下是上行吞字2次时各KQI指标关系折线图(按上行丢包率递增排序):
由以上图可以发现,上行丢包率方面,当上行吞字为2次时,上行丢包率均在10%以上,MOS均低于3.5;
丢包率在10%~30%间时,MOS变化幅度增大,丢包率为30%时,MOS降为1.5;
上行丢包率在高于30%时,丢包率较之前增加幅度明显,而MOS降低速度变缓,MOS最低值为0.9;
上行抖动方面,分别将其与上行MOS、上行丢包率、上行到包数&
上行丢包数分别做图对比,综合观察发现,当MOS在3.5~1.5间时,上行丢包率在10%~30%间,上行抖动基本在4~9.5ms间波动;
当MOS低于1.5,丢包率高于30%时,上行抖动陡然变化的较之前增多,并且变化幅度较大。
对于上行抖动变化幅度较大的点,上行总包数基本上都低于60个。
有近9成切片的上行抖动在10ms以内,有近8%的切片的上行抖动在10~20ms间,有近3%的切片上行抖动在20~30ms间。
(20,30]
39
52.38%
37.14%
7.62%
2.86%
以下是上行抖动在10ms以上的切片,其中上行MOS基本均低于2,丢包率大于30%时,上行总包数基本低于60个。
上行RTP传输时延方面,105个切片中,有62个传输时延为0,存在异常。
在其余43个时延正常的切片中,上行MOS均低于3.5,丢包率均高于10%,当上行MOS高于1.4,上行丢包率低于30%时,传输时延均在1.5ms抖动,此间共15个切片,时延平均值0.94ms;
当上行丢包率高于30%,时延整体变高,波动幅度明显,波动幅度较大的切片,上行总包数基本在50个以内,此间的27个切片的时延均值为4.29ms。
从传输时延与上行抖动的关系图可以发现,上行时延与上行抖动基本呈正相关关系。
上行时延分别区间如下,43个切片的时延均值为3ms:
(1,1.5]
(1.5,2]
(2,5]
(10,30]
√上行吞字3次
在573个上行吞字切片中,上行吞字3次的共计67次,以下是上行吞字3次所有切片各KQI指标间的关系折线图:
分析发现,上行MOS方面,MOS值基本上均低于2,67个切片的MOS均值为1.06;
上行丢包率方面,丢包率均在20%以上,当丢包率达到35%时,MOS值开始逐渐低于1;
67个切片的丢包率均值为40%,峰值达到76.25%;
上行抖动方面,当上行丢包率低于42%时,上行抖动基本上在3~7ms间波动,当丢包率高于42%时,抖动波动频繁,幅度变大,67个切片上行抖动均值为4.87ms,有近9成的切片在7ms以内波动,有1成的切片在7~10ms间波动,所有的切片抖动几乎都分布在10ms以内。
(5,7]
(7,10]
(10,22]
46
13
68.66%
19.40%
10.45%
1.49%
上行RTP传输时延方面,在67个切片中,有23个切片的时延值是正常的,时延均值为1.46ms,当MOS高于1,丢包率低于35%时,上行传输时延在1.5ms以内波动,当MOS在1以为,丢包率高于35%时,上行传输时延波动幅度变大,其中有3个切片时延在2ms以上。
以下是传输时延的分布情况,有近7成的切片时延在1.5ms以内。
2
√上行吞字4次
在573次上行吞字切片中,共57个切片吞字达到4次,上行MOS方面,此时几乎所有切片上行MOS均低于1.5,其中有47个切片MOS在0.89~1之间,有9个切片MOS在1~1.5之间。
上行丢包率方面,几乎所有切片丢包率均在30%以上,当丢包率达到35%左右时,MOS开始低于1。
上行抖动方面,当上行丢包率达到45%左右时,上行抖动整体幅度变大,抖动值整体变小,57个切片平均抖动为4.31ms。
以下是上行抖动分布情况,有93%的切片在7ms内,仅有7%的切片在7ms以上。
(10,16]
77.19%
15.79%
5.26%
1.75%
上行RTP传输时延方面,57个切片中仅有19个值是正常的。
在这19个切片中,当上行丢包率小于40%时,传输时延基本在1.5ms左右波动,当上行丢包率高于40%时,时延整体增高。
将传输时延与抖动对比发现,扣除两侧的切片,中间的切片传输时延与抖动基本上呈正相关关系。
19个切片传输时延平均值为1.98ms,以下是上行传输时延分布情况:
(3,6]
√上行吞字5次至10次
在573个上行吞字切片中,共91个切片吞字在5~10次间,这时几乎所有切片上行MOS均低于1,上行丢包率均在35%以上,当丢包率低于50%时,上行抖动基本在2~7ms间波动,当丢包率高于50%时,上行抖动整体波动幅度变大。
以下是上行抖动分布情况,有9成的切片抖动都在5ms以内:
(0,3]
(3,5]
43.96%
48.35%
6.59%
1.10%
上行RTP传输时延方面,91个切片中仅有34个时延值是正常的。
分析时延与抖动关系发现,时延与抖动基本呈负相关;
时延几乎在1.5ms左右波动,峰值达到了13.75ms,该切片对应上行总包数为87个,在34个切片中最低。
34个切片的传输时延均值为1.95ms,有近8成的切片时延在1.5ms以内,以下为时延分布情况:
13.75
√上行吞字10次以上
在573个上行吞字切片,有22个切片吞字达到10次以上,所有上行MOS均为0.9,丢包率基本都在50%以上,抖动均在4.5ms以内。
8个时延值正常的切片,上行传输时延均在1.5~3ms间波动。
II、下行吞字
下行吞字共计232个切片,以下是各KQI指标的关系折线图(以下行丢包率递增顺序排列):
(1)、从以上折线图可以看出,随着下行丢包率增加,MOS逐渐减低,当丢包率达到10%时,MOS开始低于3.5,达到16%时,开始低于3,达到25%时,开始低于2,达到35%时,开始低于1;
(2)、下行抖动方面,当MOS高于3时,下行抖动整体偏高,波动幅度也大,前85个切片抖动均值为10.7ms;
后146个切片抖动均值为5.07ms;
(3)、下行RTP传输时延方面,在MOS高于3时,传输时延均在1.5ms以内抖动,在MOS高于3.5时,时延整体提升,波动幅度也变大。
√下行吞字1次
在231个下行吞字的切片中,发生吞字1次的切片共131个,以下是各KQI指标关系:
下行MOS方面,前37个切片,MOS均高于3.6,随着下行丢包率的增加,MOS降低速度缓慢,此时下行丢包率均低于10%;
当MOS低于3.6时,随着丢包率的增加,MOS降低速度加快,直到第112个切片,MOS值降为0.9,此后一直保持在0.9不变;
以下是MOS的分布情况,当下行吞字1次时,有近7成的切片MOS在3.5以内,有4.5成的切片在3以内:
MOS分布区间
(3,3.5]
(3.5,4.5]
切片个数
30
42
切片占比
16.03%
12.98%
22.90%
32.06%
下行丢包方面,由此可以看出当MOS越低,丢包率越高时,到包数降低,丢包数增多,总包数会降低。
平均丢包数
28.6
8.7
平均到包数
34.6
74
108
146
平均丢包率
48.60%
30%
13.60%
8%
2.80%
下行抖动方面,当下行MOS高于3,下行丢包率低于17%时,下行抖动整体在10ms左右波动,当下行MOS低于3,抖动整体在5ms左右波动。
以下是下行抖动分布情况,有近7成的切片在10ms以内:
下行抖动分别区间
45
26.72%
0.76%
下行传输时延方面,131个切片中仅有73个切片时延值是正常的,在MOS大于3,丢高率低于15%的38个切片中,上行传输时延均在1m以内波动,在其余的35个切片中,传输时延在2ms左右波动;
将传输时延与抖动对比发现,传输时延与抖动此时基本呈负相关关系。
以下是传输时延分布情况,有近7成的切片时延在1.5ms以内:
√下行吞字2~3次
在231个下行吞字的切片中,发生2~3次吞字的共计56个,以下是各KQI指标间关系:
下行MOS方面,56个切片中,仅有7个切片MOS高于3.5,6个切片在3~3.5间,近8成切片在3以内:
(3.5,4]
33.93%
30.36%
12.50%
10.71%
下行丢包率方面,仅有4个切片是在10%以内,当丢包率达到18%时,MOS开始低于3,丢包率达到24%时,MOS开始低于2,当下行丢包率达到35%时,MOS开始低于1。
随着MOS的降低,丢包数增多,到包数减少,总包数也逐渐降低。
68
平均总包数
143
132
167
丢包率
47.44%
31.64%
21.06%
15.30%
9.45%
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