电子科技大学硕士考试大纲.docx

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电子科技大学硕士考试大纲

2011年电子科技大学硕士研究生入学考试大纲

考试科目

829数字电路与模拟电路

考试形式

笔试（闭卷）

考试时间

180分钟

考试总分

150分

一、总体要求

主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。

二、内容及比例

数字电路部分（50%）

1、数制和编码

掌握数制、码制及相互转换方法。

2、逻辑代数基础

1）、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则

真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。

2）、掌握逻辑关系式的化简方法

3、逻辑门电路

掌握TTL、CMOS逻辑门电路的功能、电气特性、应用和使用注意事项

4、组合电路分析与设计

1）、掌握组合电路特点及分析方法：

2）、掌握组合电路的设计方法（SSI）

对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。

对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。

3）、利用集成组合电路进行设计（MSI）

重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法。

能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。

5、时序电路分析与设计

1）、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式和特性方程

2）、掌握时序电路的分析方法与设计方法

重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理与设计。

重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：

74160/2、74161/3、74194等电路）的逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法。

能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。

6、存储器、CPLD和FPGA

了解常用半导体存储器（ROM、SRAM、DRAM）的结构特点和工作原理。

了解可编程逻辑器件的原理和结构。

模拟电路部分（50%）

第一章半导体材料及二极管

1、半导体基础知识（了解）：

本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念。

PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。

2、二极管特性（了解）：

二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻

与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管的区别。

二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。

3、二极管应用（掌握）：

二极管模型：

理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。

二极管单向导电特性应用：

半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。

二极管反向击穿特性应用：

稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的串并联等效。

第二章双极型晶体三极管

1、BJT原理（了解）

NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。

2、BJT静态伏安特性曲线（掌握）

共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。

3、BJT参数（掌握）

β￣,α,β,ICBO,ICEO,ICM,PCM,BVCEO和fT的含义

BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。

4、BJT模型（掌握）

BJT的小信号等效模型：

简化模型（gm参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。

BJT的混合π等效模型：

会画完整模型和了解模型参数的物理含义。

第三章BJT放大电路

1、放大器的一些基本概念（正确理解）

信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。

2、BJT偏置电路（掌握）

掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。

3、BJT三种基本组态放大器（掌握）

小信号放大器指标（正确理解）：

端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。

CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。

交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。

4、多级放大器（掌握）

级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。

第四章MOSFET及基本放大电路

1、FET原理（了解）

了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响

2、FET特性曲线（掌握）

以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。

3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）

掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。

4、FET的小信号模型（掌握）

理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。

5、FET的CS和CD组态放大器（掌握）

放大器电路、指标计算及特点。

第五章放大器的频率响应

1、放大器频率响应的概念及描述（了解）

产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL、fH、BW的定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线——波特图的概念。

放大器的增益函数，零、极点（了解）。

2、放大器的低、高频截止频率的估算（掌握）

用短路时间常数法估算fL，用开路时间常数法估算fH。

第六章模拟集成单元电路

1、恒流源（理解电路原理和特点）

恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。

2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）

差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric,Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解）。

3、OCL和OTL功率输出电路（掌握）

功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。

OCL和OTL电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（ICM,PCM,BVCEO）对OCL和OTL功放的限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）。

第七章负反馈技术

1、单环理想模型（了解）

基本概念：

原输入xs、净输入xi和反馈信号xf，A放大器、B网络，开环增益A与Af闭环增益，反馈系数B，反馈深度F，环路传输系数T，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈。

四种反馈类型及其双口网络模型。

2、实际反馈放大器类型及极性的判断（掌握）

3、负反馈对放大电路的影响（定性了解）

了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用

4、在深负反馈条件下正确计算Af和Avsf（掌握）

5、负反馈放大器的稳定性（掌握）

产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的T（jω）和A（jω）的波特图判断稳

第八章集成运算放大器

1、集成运放电路组成及特点（定性了解）

2、了解集成运放的主要参数：

Avd，KCMR，Rid，Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIio/dT

3、理想运放分析法（重点掌握）

虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。

4、运放的线性应用电路（重点掌握）

代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用的线性应用电路。

三、题型及分值

数字电路部分：

填空题：

30%

选择题：

20

分析设计题：

50%

模拟电路部分：

填空题:

40%；

计算题:

60%

考试科目

复试模拟电路

考试形式

笔试（闭卷）

考试时间

180分钟

考试总分

200分

（推免生复试100分）

一、总体要求

《模拟电路》要求掌握半导体器件：

晶体二极管、双极型晶体三极管（BJT）和场效应晶体三极管（FET）的工作原理；掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用；掌握BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法，并应用于实用电路的工程估算；理解放大器的频率特性概念及其描述，根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率；掌握模拟IC中重要单元电路，如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法；掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法；能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路；掌握直流电源基本概念及其应用。

二、内容及比例

A半导体材料及二极管

1、了解半导体的基本知识

本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。

2、掌握二极管的基本知识

二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。

3、二极管应用

掌握单向导电特性应用：

整流与限幅。

能分析简单二极管电路。

正向导通特性应用：

恒压源模型及小信号模型。

反向击穿特性及应用：

了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。

了解电容效应及应用：

势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。

B双极型晶体三极管（BJT）

1、理解BJT工作原理

NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，

，

，ICBO，ICEO的概念）；放大偏置时的vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。

2、BJT静态伏安特性曲线

理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。

3、BJT参数

理解

、

、α、β、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义

4、混合π模型

理解完整模型和了解模型参数的物理含义。

熟练掌握两种简化模型（gm参数和β参数模型）及其模型参数的计算方法。

CBJT放大电路

1、理解放大器的一些基本概念

信号源（内阻，源电压，源电流）；负载电阻；输入输出电压（电流）；耦合电容与旁路电容；直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。

2、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法

工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。

3、BJT三种基本组态放大器（中频段）

熟练掌握小信号放大器指标及其意义：

端增益、源增益、输入与输出电阻。

掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。

掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。

4、多级放大器

理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标计算。

DMOSFET及其放大电路

1、FET原理

了解FET的分类、电路符号；了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。

2、FET特性曲线

以N沟道FET（包括JFET和MOSFET）为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。

3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）

掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。

4、FET的小信号模型

理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。

5、FET的CS和CD组态放大器

熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。

E模拟集成单元电路

1、恒流源

熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标；理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点；熟练掌握有源负载放大器工作原理。

2、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法

差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系）；各种差放电路；差放工作点估算；差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric，Ro）及用单边等效电路法求指标，差放抑制零漂的原因；了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。

3、功率输出电路

了解功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点；理解乙类功放的交越失真及克服方法。

掌握互补功放的电路原理及满激励指标（效率、管耗、电源功率）的计算；理解功率管极限参数（ICM，PCM，BVCEO）；理解复合管的连接方式。

F放大器的频率响应

1、放大器频率响应的概念及描述

掌握产生频率响应的原因；理解放大器频率特性函数，掌握fL、fH、BW的定义；理解幅频特性和相频特性函数；了解频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别；了解对数频率特性曲线−波特图的概念。

理解放大器的增益函数与零、极点分布的关系。

2、根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率

用放大器增益响应函数求解fL、fH。

H负反馈放大器

1、单环理想模型

理解基本概念：

原输入xs、净输入xi和反馈信号xf；A放大器、B网络；开环增益A与闭环增益Af；反馈系数B；反馈深度F；环路传输系数T；基本反馈方程；正反馈与负反馈；深度负反馈。

四种反馈类型及其双口网络模型。

2、掌握反馈放大器类型及极性的判断

3、理解负反馈的效果

理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减小非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用。

4、熟练掌握深负反馈条件下Af和Avsf的计算。

5、负反馈放大器的稳定性

理解产生自激振荡的原因和自激条件；了解用已知的T（jω）和A（jω）的波特图判断稳定性的方法；了解稳定裕量的计算方法；了解自激振荡的消除方法。

I集成运算放大器及其应用电路与设计

1、了解集成运放电路组成及特点，理解放大电路的四种模型。

2、了解集成运放的主要参数：

Avd，KCMR，Rid，Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIIO/dT

3、熟练掌握理想运放分析法

虚短路与虚开路法则；理想运放分析法成立的原因；两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。

4、掌握运放的线性应用电路的分析和设计方法

代数和运算电路；差动放大器；积分器与微分器；了解线性应用电路（有源滤波器、振荡器、比较器、波形发生器等）。

J直流电源

掌握直流电源基本电路及其应用。

三、题型及分值

选择题：

15%

填空题：

30%

简答题：

15%

计算题：

40%

考试科目

复试数字逻辑电路设计及应用

考试形式

笔试（闭卷）

考试时间

120分钟

考试总分

100分

一、总体要求

掌握数字逻辑电路的基本原理与特性、数字逻辑电路的基本分析方法和设计方法，具备数字逻辑电路设计和综合的基本技能。

二、内容及比例

1、数系与代码～5％

数的十进制、二进制、八进制和十六进制表示以及它们之间的相互转换，符号数的S-M码，补码，反码表示以及它们之间的相互转换；带符号数的补码的加减运算；BCD码、GREY码；

2、逻辑门电路～5％

门电路的工作原理和特性、CMOS传输门、施密特触发器结构和工作原理。

逻辑电路的静态、动态特性分析；三态输出结构、漏极开路输出结构；

3、逻辑代数基础～15％

逻辑代数的公理、定理，对偶关系；逻辑函数的表达形式：

积之和与和之积标准型、真值表；组合电路的分析：

逻辑函数的化简，无关项的处理、冒险问题和多输出逻辑化简的方法。

4、组合逻辑设计～20％

利用基本的逻辑门完成组合逻辑电路的设计，利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路（MSI）逻辑器件如译码器、编码器、多路选择器、多路分配器、异或门、比较器、全加器、三态器件等作为设计的基本元素完成更为复杂的组合逻辑电路设计的方法。

5、时序逻辑基础与分析～15％

基本时序元件R-S型,D型,J-K型,T型锁存器、触发器的电路结构，工作原理，时序特性,功能表，特征方程表达式，不同触发器之间的相互转换；钟控同步状态机的模型图，状态机类型及基本分析方法和步骤，使用状态表表示状态机状态转换关系；钟控同步状态机的设计：

状态转换过程的建立，状态的化简与编码赋值、使用状态转换表的设计方法、使用状态图的设计方法。

6、时序逻辑设计～20％

利用基本的逻辑门、时序元件作为设计的基本元素完成规定的钟控同步状态机电路的设计任务：

计数器、位移寄存器、序列检测电路和序列发生器的设计；利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路（MSI）时序功能器件作为设计的基本元素完成更为复杂的时序逻辑电路设计的方法。

7、存储器及其在数字逻辑系统实现中的运用～5％

存储器（ROM,SRAM）的基本工作原理和结构；存储器在数字逻辑系统设计的硬件实现中的运用。

8、模数转换器、数模转换器（ADC/DAC）原理及应用简介～5％

模拟-数字转换器、数字-模拟转换器（ADC/DAC）的基本电路结构、工作原理和应用。

9、脉冲电路～10％

单稳态电路工作原理、电路结构和工程应用，限幅电路工作原理和电路结构，多谐振荡器工作原理和电路结构、工程应用，555定时器的工作原理和应用。

三、题型及分值比例

1、选择题：

10%

2、填空题：

10%

3、画图题：

10%

4、化简题：

10%

5、分析题：

30%

6、设计题：

30%

考试科目

复试英语写作与翻译

考试形式

笔试（闭卷）

考试时间

120分钟

考试总分

200分

一、总体要求

根据英语专业本科高级阶段教学大纲有关要求和英语语言文学专业培养目标，主要考察考生的书面表达能力和汉英/英汉互译能力。

作文要求考生做到立意清楚，通篇布局合理，语言流畅，选词用语准确。

翻译要求考生掌握翻译的基本技巧，做到忠实于原文，译文准确，流畅，基本体现原文风格。

二、内容及比例

1.命题作文（50%）

根据要求用英语写出300-500字左右的文章。

要求考生必须紧扣题目，语言通顺，用词得体，结构合理，文体恰当，具有说服力。

速度为每小时300～500词。

考生应掌握选词、构句、段落的展开方式、写作的基本步骤和组织、不同文体类型的写作、论文写作的基本知识等。

重点在于考察考生用英语进行书面表达的能力。

2.汉英/英汉翻译（50%）：

要求考生运用英译汉或汉译英的理论和技巧，翻译英美报刊杂志上有关政治、经济、历史、文化等方面的论述，国情介绍，以及一般文学作品的节录文。

英语文章为200-300字左右，速度为每小时600词左右。

汉语文章或节选150-200字左右，速度为每小时150左右。

译文要求忠实原意，语言流畅，用词准确。

三、题型及分值

命题作文：

100分

英译汉：

50分

汉译英：

50分