二极管三极管部分习题文档格式.docx
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2.硅稳压二极管并联型稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串联,此限流电阻的作用是(C――调压限流)。
A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用
3.有两个2CW15稳压管,一个稳压值是8V,另一个稳压值是7.5V,若把两管的正极
并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是(B――
7.5V)。
8V;
B、7.5V;
C、15.5V
4.稳压管DW稳压值为5.3V,二极管VD正向压降0.7V,当VI为12V时,DW和VD是否导通,V0为多少?
R电阻的作用。
答:
DW和VD不导通,V0为5.3V,R电阻的作用是分压限流。
5.下图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?
()
ZjDl
A
B
C
6•在图所示的电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,
则电流的大小将。
A.I=2mAB.I<
2mAC.I>
2mA
7.图所示电路,设Ui=sin3t(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波
形应为图示图。
6V和7V,
图所示的电路中,Dz1和Dz2为稳压二极管,其稳定工作电压分别为
Dzl
且具有理想的特性。
由此可知输出电压Uo为。
lkQ
Ul=20¥
Uo
0—
9.二极管最主要的特性是,它的两个主要参数是反映正向特性的
和反映反向特性的。
10.图所示是一个输出6V正电压的稳压电路,试指出图中有哪些错误,并在图上加以改正。
11.
12.桥式整流滤波电路,以知v2仁20X1.414Sin3t(V)。
在下列情况时,说明Vo端对
应的直流电压平均值Vo(av)应为多少。
(1)电容C因虚焊未接上。
(2)有电容但RL开路。
(3)整流桥中有一个二极管因虚焊断路,有电容C,RL=a。
13•设二极管正向电阻为零,反向电阻无穷大,判断如图所示电路的输出端电压:
()
A、一3V;
B、一8V;
C、5V;
D、8V。
14•如果电阻R的阻值为1千欧,问:
二极管的电流正向电流为()。
(填空)
畔RPVo3V1I
图二概管工作电跻
15.PN结具有,偏置时导通,偏置时截止。
16•直流稳压电源的作用就是将转换为。
小功率直流稳压电源一般由、、和四部分
组成。
17•常温下,硅二极管的死区电压约为V,导通后两端电压基本保持约V不
变;
锗二极管的死区电压约V,导通后两端电压基本保持约V不变。
18.二极管2AP7是类型,2CZ56是类型,2CW56是类型,2CK70是类型,2CC122是类型,1N4007是类型,1N4148是类型,1N5401是类型。
正常情况下稳压管工作在区,具有稳压作用。
19.硅二极管两端加上正向电压时立即导通。
()
20•当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时,二极管才能导通。
21.二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿电压增大。
22•用万用表欧姆挡粗测2AP9时用RX10档。
23.在输出电压相同的情况下,桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大
电流可以相同。
24•同硅管相比,锗管的参数更易受温度的影响。
25.半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
26.稳压二极管正常工作时必须反偏,且反偏电流必须大于稳定电流ZIo()
27.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。
28•用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时,测试方法和判别依据完全一
样。
29.2CZ型二极管,以下说法正确的是()
A.适用于小信号检波B.适用于整流C.适用于开关电路
30.对于晶体二极管,下列说法正确的是()
A.正向偏置导通,反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻
C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小
D.反向击穿后立即烧毁
31.题图1.5.1所示电路,二极管为理想二极管,以下说法正确的是()
A.VD导通,UAO=6VB.VD导通,UAO=-6V
C.VD截止,UAO=9VD.VD导通,UAO=—9V
2KQ
卿()
+
32.硅二极管正偏时,正偏电压0.7V和正偏电压0.5V时,二极管呈现的电阻值()
A.相同B不相同C无法判断
33.用模拟万用表RX1K档测二极管,若红笔接阳极,黑笔接阴极,读数为50K,表
笔对换测得电阻一样大,则该二极管()
A.内部已断,不能使能B.内部已短路,不能使用
C.没有坏,但性能不好D.性能良好
34.如题图1.5.2所示电路:
1)该电路正常工作时,输出电压ou为多少?
2)若要电路
正常工作,变压器次级电压2u的最小值是多少?
最大值是多少?
3)如果变压器次级
电压2u的有效值为15V,则整流、滤波后电压3u的数值大略为多少?
若测得3u为13.5V左右,分析故障原因与部位,并列出检修的步骤。
36.硅稳压管稳压电路如题图1.5.3所示。
已知硅稳压管VD的稳定电压Uz=10V、
动态电阻和反向饱和电流均可以忽略,限流电阻R=RL=1kQ,未经稳压的直流输入电
压Ui=24V。
(1)试求Uo、Io、I及Iz;
(2)若负载电阻RL的阻值减小为0.5K,再求Uo、Io、丨及Iz。
1•三极管
2.三极管的饱合特性
3•三极管的截止特性
4.三极管的放大特性
三极管习题
10.某晶体管的iB从20卩A变到40卩A时,对应的iC从1.55mA变化到3.05mA,则该管的B为()。
A、3=75B3=50C3=100D3=77.5
12.
其中硅材料的NPN管是()。
测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示,
、基本放大电路基础知识习题作业
1.按要求填写下表。
电路名称
连接方式(e、c、b)
性能比较(大、中、小)
公共极
输入极
输出极
|Au|
Ai
Ri
Ro
其它
共射电路
共集电路
共基电路
2.分别改正图2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原
来的共射接法和耦合方式。
3.
画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
4.电路如图4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ0.7V。
利用图解法分
别求出RL=s和RL=3kQ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。
5.电路如图5所示,已知晶体管1=50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电
位,应分别为多少?
设VCC=12V,晶体管饱和管压降UCES=0.5V。
6.电路如图6所示,晶体管的丄80,気'
=100@。
分别计算RL=s和RL=3kQ时的Q点、
Au、Ri和Ro。
7.在图6所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图7
(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。
图7
8.若由PNP型管组成的共射电路中,输出电压波形如图P3.7(a)、(b)、(c)所示,则分别
产生了什么失真?
9.已知图9所示电路中晶体管的|:
'
=100,rbe=1kQ。
(1)现已测得静态管压降UCE睦6V,估算Rb约为多少千欧;
(2)若测得Ui和U。
的有效值分别为imV和100mV则负载电阻RL为多少千欧?
3kal
Q十比「
(+I2V)
10.电路如图10所示,晶体管的—100,気'
=100Q。
(1)求电路的Q点、A、Ri和Ro;
(2)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?
如何变化?
图10
25kQU
n
臨n
5kQU
11.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。
试问:
图11
(1)Au1=Uo1/Ui〜?
Au2=Uo2/Ui〜
(2)画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2的波形;
12.电路如图12所示,晶体管的1=80,rbe=1kQ。
(1)求出Q点;
(2)分别求出RL=s和RL=3kQ时电路的Au和Ri;
(3)
求出Ro。
图12
13.电路如图13所示,晶体管的―60,気'
(1)求解Q点、u、Ri和Ro;
(2)设Us=10mV(有效值),问Ui=?
Uo=?
若C3开路,则Ui=?
U°
=?
图13
r'
14.图14所示电路参数理想对称,晶体管的B均为50,bb=100q,UBE@0.7。
试计算
RW骨动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ,以及动态参数Ad和Ri。
15.如图15所示的差动放大电路中,设晶体管3仁B2=80,r'
bb=200Q,其他参数标在图
上,试求:
(10分)
(1)画出直流通路,求静态时的ICQ1、ICQ2和UO
(2)画出差模输入时的微变等效电路,并求接入负载RL=24KQ时的差模电压放大倍数Avd,差模输入电阻rid和输出电阻rod
图15
17.电路如图15所示,已知场效应管的低频跨导为gm试写出A、Ri和Ro的表达式。
d
图17
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