传感器与检测技术知识点汇总文档格式.docx
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系统误差是指服从某一规律(如定值、线性、多项式、周期等函数规律)的误差。
它包括仪器误差、环境误差、读数误差及由于调整不良、违反操作规程所引起的误差等,系统误差的特征是出现的规律和产生的原因具有可知性。
因此,可以设法消除或估计出未能消除的系统误差值。
随机误差:
服从大多数统计规律的误差,随机误差的特征是出现的规律和产生的原因不具有可知性。
6.最大引用误差和允许引用误差
7.工业仪表常见精度等级,用精度等级来判断仪表是否合格
8.检测技术的测量方法:
直接测量、间接测量(函数关系式)、联立测量(联立方程组)
9.偏差式测量(压力表,仪表指针的位置决定被测量量)、零位式测量(电位差计,用指零仪表的零位指示检测系统的平衡状态、微差式测量(被测未知量与标准量相比较,取差值)
第二章:
1.单圈绕线电位器
2.线性变位器:
电压分辨率,行程分辨率,产生2n-2个阶梯;
视在分辨脉冲由主分辨和次分辨脉冲组成。
为减小阶梯误差和分辨率,采取的措施:
1.增加线圈匝数(即减小导线直径)、2.或增加骨架直径
3.电位器的负载特性相对于空载特性的偏差为负载误差。
4.负载误差:
(1-
)*100%当电刷处于行程中心位置时,负载误差最大。
并且随着负载系数的增大时,即减小负载电阻时,负载误差也随之增大。
减小负载误差的方法:
采用高输入阻抗放大器;
或者限制电位器工作的区间来减少负载误差;
或将电位器空载特性设计成某种上凸特性,即设计非线性电位器。
5.非线性电位器的空载特性曲线与线性电位器的负载特性曲线是以特性直线为镜像的。
6.电位器式电阻传感器:
压力传感器、位移传感器、测小位移传感器、加速度传感器
7.应变片式电阻传感器:
缺点:
在大的应变状态下具有较大的非线性;
输出信号弱;
不适用于高温环境中(1000度以上);
应变片实际测出的只是某一面积上的平均应变。
8.金属电阻应变片敏感栅:
灵敏度系数K0比较大,电阻温度系数小,电阻率大,机械强度高。
9.应变片的主要特性:
横向效应、机械滞后、零漂及蠕变、应变特性、疲劳寿命、动态响应特性
10.横向效应:
为减少横向效应产生的误差,一般是减少r,增大L,采用直角线栅式或箔式应变片,因为箔式应变片的截面积比栅丝大,电阻值小,电阻变化量小。
11.机械滞后:
产生的原因:
粘合剂性能差;
过载;
过热
12.零漂和蠕变:
两者同时存在,蠕变值里面包含同一时间的零漂值;
产生原因:
在粘贴应变片时,本身被压缩或拉伸的力
13.应变极限、疲劳寿命;
1.应变片的敏感栅或引线断路;
应变片输出指示应变的极值l变化10%;
应变片输出信号波形上出现穗状尖峰。
14.单丝自补偿法:
15.双丝自补偿法、电桥补偿法
16.应变式测力传感器(圆柱式力传感器、梁式力传感器)、应变式压力传感器(膜片式传感器)、应变式扭矩传感器、应变式加速度传感器
第三章
1.自感式传感器的计算:
气隙型:
电感值:
灵敏度:
灵敏度好
截面型:
灵敏度低,线性好
螺线管型的自感值:
灵敏度:
2.零点残余电压:
1.复阻抗不容易达到真正的平衡;
2.磁化曲线的非线性产生高次波;
3.各种损耗;
4.分布电容的影响;
5.两个传感器的完全不对称;
工频干扰。
引起问题:
1.零点附近灵敏度下降;
2.限制分辨率提高;
3.线性度差;
4.堵塞有用信号
解决方法:
设计与工艺上力求磁路与线圈对称;
拆线圈法来调整;
电路补偿。
3.测气体压力传感器:
改变空气间隙长度的电感传感器压差传感器(差接电感传感器)
4.变压器式传感器的灵敏度:
输出电压与衔铁位移之比。
1.与二次线圈匝数N2成正比;
2.与激励电压幅值成正比;
3.在低频时,与频率成正比。
低频时
高频时:
5.桥式电路:
可以调零,灵敏度低,不能判断方向,可以用来消除零点残余电压。
6.差动变压器式传感器:
灵敏度高,输出既可以反映位移大小,又可以反映位移极性的测量信号。
原理是把直流信号变成交流信号。
7.变压器也有零点残余误差,引起问题:
1.做到磁路对称、线圈对称;
2.差动整流电路,相敏检波电路;
3.补偿电路法(加串联电阻,加并联电阻,加并联电容,加反馈绕组,加反馈电容)
8.影响涡流效应的因素:
相互作用距离x,电阻率p,磁导率,导体厚度,电流频率
9.电涡流强度:
t为趋肤深度,
10.涡流式传感器:
1.测量位移,厚度,振动,转速,接近开关(X变);
2.测温度,材质(电阻率变化);
3.应力,硬度(μ变),4.金属探伤(x,ρ,μ综合)偏心振动测量
11.涡流式传感器的应用:
1.位移测量:
偏心、间隙、位置、倾斜、弯曲、变形、移动、振动、圆度、冲击、偏心率、冲程、宽度等等。
来自不同应用领域的许多量都可归结为位移或间隙变化。
2.振幅及频率的测量3.厚度及间隙测量镀层厚度测量:
利用集肤效应,镀层或箔层越薄,电涡流越小。
?
测量前,可先用电涡流测厚仪对标准厚度的镀层和铜箔作出“厚度-输出”电压的标定曲线,以便测量时对照。
4.零件计数、尺寸检查、表面粗糙度测量5.介质温度和金属表面温度测量6.介质温度和金属表面温度测量7.电涡流式表面探伤。
第四章:
磁电式传感器是通过磁电作用将被测量(如振动、位移、转速等)转换成电信号的一种传感器。
磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动产生感应电势的;
霍尔式传感器为载流半导体在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电势。
1.霍尔元件的零位误差:
不加磁场时,出现的霍尔元件;
原因:
控制极接触不良或不对称,半导体材料的不均匀性,霍尔元件安装的位置不对称;
在1,2之间加电阻。
2.寄生直流电势:
通交流控制电流时,除交流不等位电势外,存在直流电势分量。
(a)控制电极与霍尔电极接触不良引起整流效应。
(b)霍尔电极焊点大小不一致引起
的温差电势。
解决办法:
(a)改善电极接触性能和元件的散热条件;
(b)均匀散热(有效措施)
3.温度影响:
输入电阻Ri(控制电流两端之间的电阻)输出电阻(霍尔电势两端输出端的电阻)
4.霍尔元件传感器输出迭加的联接:
直流供电联接方式:
控制极相并联;
交流供电联接方式:
控制极相串联。
5.霍尔元件传感器的应用举例:
测量工程上大直流电流方法:
旁测法,贯串法,绕线法
第六章
1.正压电效应——某些晶体或多晶陶瓷受到外力作用时,内部就产生极化现象,表面上产生符号相反的电荷的现象;
2.石英晶体:
Z轴:
中心轴,不产生压电效应;
X轴:
压电效应最为显著;
Y轴:
在外电场的作用下,机械形最大。
2.
4.压电陶瓷是一种经过极化处理的人工多晶铁电体,在极化方向上压力效应最为显著。
压电陶瓷的压电常数矩:
5.压电陶瓷常数:
d31=-78*10^(-12)(C/N)d33=190*10^(-12)(C/N)d15=250*10^(-12)(C/N)
6.压电陶瓷的效果比较显著;
7.影响压电传感器的主要因数:
1.压电材料的特性参数;
2.某些压电材料的热释电效应(晶体受热时,晶体两端会产生数量相等而符号相反的电荷)3.环境温度变化会使压电材料的压电常数d、介电常数ξ、电阻率ρ和弹性系数k等机电特性参数发生变化。
8.压电材料必须具有以下几点:
转换性能(较大的压电常数)、机械性能(机械强度大,具有更宽的线性范围和高的固有振动;
电性能:
较高的电阻率和大的介电常数;
温度和湿度稳定性要好;
时间稳定性:
压电特性不随时间蜕变。
9.电压放大器:
其输出电压与输入电压(压电元件的输出电压)成正比;
电荷放大器:
其输出电压与输入电荷成正比。
10.电压放大器:
高频响应非常好,要扩大低频响应范围,必须增加R来增加测量会理的时间常数;
误差来源:
电压灵敏度将随着电缆分布电容及传感器自身电容的变化而变化。
11.电荷放大器:
具有深度电容负反馈的高增益运算放大器
12.高频时,运放K足够大,(Rf可忽略)
低频时,(Rf不可忽略)
13.压电元件串并联使用并联增加输出电荷,电容变大,时间常数大,适合测量缓慢变化的信号,以及一电荷输出的场合。
串联时,增加输出电压,电容小,时间常数小,适合测量高频信号,以及以电压的形式输出的场合。
14.压电传感器提高灵敏度的方法:
一般用增加压电片数目和采用合理的连接方法也可以提高传感器的灵敏度。
第七章
1.热电式传感器:
利用敏感元件的电磁参数随温度的变化而变化的特性来达到测量目的。
2.热电阻测温度:
温度升高,电阻率增大,电阻增大特点:
精度高,适宜测量低温
3.测温热电阻特点:
电阻温度系数大,电阻率大,热容量小,具有稳定性的物理和化学性质,电阻和温度的关系最好近似于线性,容易加工,复制性好。
4.Pt100和Pt50分别表示温度为0度时其阻值为100欧姆的铂热电阻;
温度为0度时其阻值为50欧姆的铂热电阻;
5.XX电阻比W(100)W(100)=R100/R0R100水沸点(100度)时的铂电阻的电阻值;
R0为水冰点(0度)时的铂电阻的电阻值。
6.热电偶:
是由两种不同性质的导体或半导体互相绝缘并将一端焊接在一起而成的。
7.凡是有电势的回路,必须为非均与导电物质组成,可用来检查热电极材料的均匀性。
8.中间导体定律:
在热电偶回路中插入多种导体,只要插入导体的两端温度相等.且插入导体是匀质的,则无论插入导体的温度分布如何,都不会影响原来热电偶的热电势的大小。
9.热电偶材料:
1.具有较大的热电势,并且热电势与温度之间成线性关系;
电导率要求高,电阻温度系数小。
10.热电偶参考端温度的处理:
0度恒温法,热电偶参考端温度为tn时的补正方法、冷端延长法
11.热电偶参考端温度为tn时的补正方法:
中间温度定律补正法
12.热电偶的串并联
第八章
1.激光的形成:
原子的激发、自发辐射、受激辐射(高能级的原子受频率为ν外来光子激发,跳回到低能级,同时发出与外来光子有相同特征的光(频率、相位、振幅及方向相同)。
2.激光产生的条件:
维持受激辐射。
3.激光具有高度的相干性,相干性就是指相干波在叠加区得到稳定的干涉条纹;
时间的相干性:
同一光源的光经过不同的路径到达同一位置,尚能发生干涉,其经过的时间差为相干时间两列光波间允许的最大光程差称为相干长度;
空间相干性:
同一时间,由空间不同的点发出的光波的相干性。
4.激光器中间有一谐振腔:
使辐射出去的光子的一部分再反射回来,产生新的受激辐射。
5.常用的激光器:
气体、液体、固体、半导体激光器
6.气体激光器:
氦氖激光器(转换效率低,输出功率小)、CO2激光器(转换效率高,输出功率大)
固体激光器:
激励方式:
光激励,用强光照射工作物质(功率高)。
液体激光器:
高速闪光灯作为激光源;
半导体激光器:
把适当大的电流通过PN结时,就会发出激光。
7.光电元件:
光电(倍增)管—线性,适合测量模拟/数字量;
光敏电阻—非线性,适合测量数字量;
光电池—线性,适合测量模拟/数字量;
光敏二/三极管—线性,适合测量模拟/数字量。
8.激光测量方法分类:
衍射测量法、干涉测量法、多普勒效应法、扫描测量法
9.激光测量液位:
反射法、透射法
干涉仪测量位移:
光程差的变化2Δl=Nλ/4
10.一种单色光的最大可测长度L与该单色光的波长λ及其普线宽度Δλ(单色性)之间的关系为L=λ2/Δλ,即为相干长度(能测量的范围)。
11.激光长度的测量:
数据的采集;
测距;
漆包线激光动态测径仪(衍射法);
血液流速的测量;
管道水流速测量,激光位移测量;
12.外光电效应:
在光的照射下,材料中的电子逸出表面的现象;
(光电管以及光电倍增管),在入射光的频谱成分不变时,产生的光电流与光强成正比。
13.光导效应——半导体材料在光线作用下,其电阻值往往变小的的现象。
(光敏电阻)
14.光生伏特效应:
在光的照射下,物体内部产生一定方向的电势。
(光电池)
15.PN结的光电效应:
光敏二极管:
光敏二极管在电路处于反向偏置,当光照射在PN结上,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,使少数载流子的浓度大大增加,通过PN结的反向电流也随着增加。
15.光电管:
1.光电特性:
对于真空光电管中,当光电管阳极电压一定时,光电流与光通量之间成线性关系,转换灵敏度为常数,转换灵敏度随极间电压的提高而增大。
伏安特性:
当光谱和光通量一定时,阳极和阴极之间的电压同光电流成伏安特性,随电压升高,光电流也随之增大,当阴极电压全部到达阳极时,电流趋于稳定状态。
16.硒光敏电阻适合做光电导开关元件,不适合做检测元件。
7.光电池在短路时,光电流与光照强度成线性关系,在开路时,非线性关系,因此,在光电池作检测元件使用时,应该把它当作电流源的形式来使用,使其接近短路工作状态。
8.伏安特性:
光敏电阻电压和光电流呈现良好的线性关系,随着光照强度的增加,光敏电阻的电阻率减小,电阻阻值减小。
9.光敏晶体管:
(光电管):
与一般三极管的伏安特性相似,其光电流相当于反向饱和电流,其值取决于光照强度,把PN结所产生的光电流看作一般的基极电流。
随电压增加,光电流
10.光电流:
当U<
100mv时,伏安特性曲线基本保持平衡,说明电流保持不变,当超过100mv时,光电流开始下降。
10.光敏电阻中:
只有硫化镉的光谱响应峰值处于可见光区,硫化铅的光谱响应峰值处于红外区。
11.光敏晶体管:
锗光敏晶体管的响应频段为500纳米~1700纳米的波长范围内,最灵敏峰高1400纳米附近;
硅光晶体管的响应频段在400纳米~1000纳米的波长范围内,最灵敏峰出现在800纳米附近。
12.硒电池的响应频段在300纳米~700纳米波长之间,最灵敏峰为500纳米左右,硅电池的响应频段在400纳米~1200纳米波长范围内,最灵敏峰为800纳米附近。
13.频率特性:
输出电信号与调制光频率变化的关系
硫化铅的光敏电阻和硅光电池的频率特性最好,他们的相对灵敏度几乎不随入射光调制频率的变化而变化,硅光敏三极管:
负载电阻阻值越小,频率特性越好。
13.温度特性:
光敏晶体管:
温度变化对光电流的影响很小,对暗电流的影响很大。
硅光电池:
开路电压随温度的升高下降很快,短路电流随温度的升高上升很快,他们与温度都成线性。
14.光电管的测量电路:
有效功率很小,不能直接推动笔记本记录仪,所以通常与某种放大器相连接。
光电倍增管的测量电路:
当辐射为脉冲通量时要把电源负极接地,这事接入隔离电容,同时用几个电容器来稳定最后几个倍增极在脉冲期间的电压,这些电容器有足浴稳定增益,防止饱和,并且通过电源去耦电容器C将脉冲电压接地。
光敏电阻开关电路:
采用硫化铅光敏电阻为探测元件的火焰探测器电路图:
光敏电阻传感器—信号处理—一二级放大电路—扬声器报警
光电池转换电路:
路灯自动点灭器。
灯泡代表一个路灯,当感测的亮度太暗,路灯必须亮起,但当亮度超过设定时,路灯必须熄灭,停止照明。
15.光电传感器的应用
模拟式光电传感器:
可分为吸收式(测量浊度)、反射式(测量粗糙度)、遮光式(测量位移)、辐射式:
可测浓度,浊度,表面性质,粗糙度,位移,振动,颜色,温度,报警等。
16.脉冲式:
可用于(冲床的)安全保护,接近开关,报警,计数,测量(转动)速度等;
17.光的调制:
光源—(入射光纤)调制器—(出射光纤,调制光)光探测器—解调—输出被测信号
18.光在光纤中的传播模式:
a为纤芯半径,λ0为入射光在真空中的波长;
V值越大,允许传输的模式数越多,当V<
2.404时,只允许一个波或模式在光纤中传输。
19.光纤传感器:
分类:
功能型:
光纤在这类传感器中不仅作为光传播的波导而且具有测量的功能。
非功能型:
只作为传光的介质,加上其他敏感器件才能组成传感器。
20.光纤传感器的调制形式:
透射式:
径向和轴向
反射式:
微弯式:
改变光纤的几何形状,从而改变光线的传播入射角,使传播的光强损失(用变形器使光纤变形)
21.偏振态调制:
利用磁旋效应、光旋效应、光弹效应等可对光的偏振态进行调制。
22.相位调制:
将光纤的光束(从物理上)分成两束,一束相位受外界信息的调制,另一束作为参考光,使两束光叠加形成干涉条纹。
调制方法:
直接改变相位或通过改变光程差或折射率来改变相位。
1.晶体的双折射现象:
一束遵循折射定律(寻常光O光),一束不遵循折射定律,
(非寻常光e光)。
23.相位调制器:
用外力使光纤的几何形状改变,从而改变其光程差。
24.频率调制:
多普勒效应
25.
1.功能型光纤温度传感器
1、黑体辐射型2.光纤温度开关传感器(利用芯线和包层的折射率随温度变化不一致,使原来n1>
n2变成n1<
n2)
2.非功能型光纤温度传感器
1、半导体吸收型温度传感器(利用半导体吸收响应随温度变化而改变。
当温度升高时,其透过的光强将减弱)
2.热色敏光纤温度传感器(热色效应——无机溶液的颜色会随温度变化而改变。
)
3.功能型光纤测力传感器
1、偏振干涉型光纤压力传感器(原理:
当光纤受到拉伸作用时,通过它的两正交的偏振光会发生不同的相移,从而产生相位差Δφ)
2.微弯式光纤压力传感器
3.光纤悬臂梁测试仪(把光纤粘在悬臂梁的上、下两边。
当悬臂梁受力作用时,悬臂梁弯曲,使光纤一根伸长,一根缩短,引起相位变化。
4.光纤振动传感器(在各向同性的介质上,施加外力,能使介质变为各向异性,产生感应双折射现象。
5.光纤加速度传感器:
利用外力使光纤拉长或缩短,改变光程,从而改变相位差。
4.非功能型光纤压力传感器
1.反射式光纤压力传感器原理:
利用光的反射来调制光强。
2.快门式光纤压力传感器原理:
利用光闸来调制光强。
3.光栅式光纤压力传感器原理:
用等宽的光栅对光纤的光作透射式径向光强调制
5.功能型光纤位移传感器
1.相位调制型光纤位移传感器
2.光纤液位检测传感器(利用破坏光在两个介质表面发生全反射的条件——从光疏到光密媒质。
6.非功能型光纤位移传感器
1.移动光栅光纤位移传感器原理:
用等宽的光栅对光纤的光作透射式径向光强调制。
2.球透镜光纤位移传感器原理:
利用球透镜的径向运动,对光纤的光作透射式径向光强调制。
7.非功能型光纤电流传感器:
原理:
利用法拉第磁旋效应
8.功能型光纤电流传感器
1.偏振调制型光纤电流传感器原理:
利用法拉第磁旋效应。
2、磁致伸缩型光纤电流传感器原理:
利用某些金属材料对磁场敏感的特性。
3、加热型光纤电流传感器:
利用电流发热使光纤受热。
9.功能型光纤电压传感器
1.利用克尔电光效应或普克尔斯效来实现。
10.功能型光纤磁场传感器:
利用磁致伸缩效应
P91.传感器静态误差:
传感器在其全量程内任一点输出值与其理论输出值的偏离程度,是一项综合指标,主要包括非线性误差、迟滞误差、重复性误差、灵敏度误差。
P342.机械滞后:
应变片安装在试件上,在一定温度下,在零和某一应变之间,作出应变片电阻相对变化a与试件机械应变b之间加载和卸载之间的特性曲线,发现曲线并不重合,在同一机械应变下,卸载时的应变片电阻相对变化a高于加载时的a,即为机械滞后。
之间的最大差值称为滞后值。
P523.零点残余电压:
2.磁化曲线中的非线性产生高次波;
电路补偿,选择合适的测量电路,如:
相敏整流电路。
P1704.热电阻的二线制并没有消除导线中的温度误差;
三线制:
热电阻是通过r2,r3,Rg的三根导线和电桥相连接,r2和r3分别接在相邻的两臂,当温度变化时,只要他们长度和电阻温度系数相同,他们电阻变化不会引起电桥状态,即不产生温度误差,达到温度补偿的效果。
缺点是可调电阻的接触电阻和电桥臂电阻相连接,导致电桥的零点不稳。
四线制:
调零的Rp电位器的接触电阻和指示。
5.光纤温度传感器:
如果光纤纤芯和包层材料的折射率随温度变化,且在某一温度下出现交叉,这种光纤可以做成光纤温度传感器。
当n1>
n2时,光可以被传输;
当n1=n2时,光开始泄漏;
当n1<
n2时,光不可以被传输;
6.光谱特性:
同一光电元件对不同频率的光响应各不相同,描绘光电元件响应灵敏度与不同光频率的曲线叫做光电元件的光谱特性。
7.热电偶的串并联串联:
提高测量精度和灵敏度,降低相对误差。
8.利用法拉第效应可以对光的相位进行调制,从而可以用来测量电流。
法拉第效应是磁场引起介质折射率变化而产生的旋光现象,实验结果表明,光在磁场的作用下通过介质时,光波偏振面转过的角度(磁致旋光角)与光在介质中通过的长度L及介质中磁感应强度在光传播方向上的分量B成正比,θ=VBL,V为费尔德常数。
9.互感系数的求解
10.传感器通常是由敏感元件、转换元件、信号调节转换电路组成。
11.热电偶所产生的电势是由两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成。
12.偏差式测量(压力表,仪表指针的位置决定被测量量)、零位式测量(电位差计,用指零仪表的零位指示检测系统的平衡状态、微差式测量(被测未知量与标准量相比较,取差值)。
13.当沿着一定方向受到外力作用时,内部就产生极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷;
当外力去掉后,又恢复到不带电状态;
当作用力方向改变时,电荷的极性也随着改变;
晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。
上述现象称为正压电效应。
反之,如对晶体施加一定变电场,晶体本身将产生机械变形,外电场撤离,变形也随着消失,称为逆压电效应。
石英晶体就没有体积变形压电效应,但它具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。
14.电阻应变片的工作原理是基于电阻应变效应,即在导体产生机械变形时,它的电阻值发生相应变化。
15.霍尔元件的灵敏度的物理意义:
表示在单位磁感应强度和单位控制电流的作用下的霍尔电势的大小。
16.冷端延长线法:
是在连接导线和热电偶之间,接入延长线,
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