γ能谱及γ射线的吸收Word格式文档下载.docx
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cot1E2tan
m0c22
由式
(2)给出,当180时,反冲电子的
动能Ee有最大值:
E
max2
1m0c2
2E
4)
这说明康普顿效应产生的反冲电子的能量有
一上限最大值,称为康普顿边界EC。
3)电子对效应
当γ光子能量大于2m0c2时,γ光子从原子核旁边经过并受到核的库仑场
作用,可能转化为一个正电子和一个负电子,称为电子对效应。
此时光子能量可表示为两个电子的动能与静止能量之和,如
EEeEe2m0c2(5)
其中2m0c21.02MeV
综上所述,γ光子与物质相遇时,通过与物质原子发生光电效应、康普顿效应或电子对效应而损失能量,其结果是产生次级带电粒子,如光电子、反冲电子或正负电子对。
次级带电粒子的能量与入射γ光子的能量直接相关,因此,可通过测量次级带电粒子的能量求得γ光子的能量。
闪烁γ能谱仪
2.1、闪烁谱仪的结构框图及各部分的功能
闪烁谱仪的结构框图示于图2.2.1-3中,它可分为闪烁探头、供电与信号放
图2.2.1-3闪烁能谱仪结构框图
大模块、计算机数据采集系统等三部分。
以下分别介绍各部分的功能
1)闪烁探头
闪烁探头包括闪烁体、光电倍增管、分压电路以及屏蔽外壳。
实验中测量
γ能谱多使用无机闪烁体如NaI(T1)晶体。
闪烁体的功能是在次级带电粒子的作用下产生数目与入射γ光子能量相关的荧光光
子。
这些荧光光子被光导层引向光电倍增管,并在其光敏阴极再
次发生光电效应而产生光电子,这些光电子经过一系列倍增极的倍增放大,从而
使光电子的数目大大增加,最后在光电倍增管的阳极上形成脉冲信号。
脉冲数目是和进入闪烁体γ光子数目相对应的。
而脉冲的幅度与在闪烁体中产生的荧光光子数目成正比,从而和γ射线在闪烁体中损失的能量成正比。
整个闪烁探头应安装在屏蔽暗盒内以避免可见光对光电倍增管的照射而引起损坏。
(2)供电与信号放大模块
高压电源通过分压电路为光电倍增管阳极和各倍增极提供工作电压。
由于探头输出的脉冲信号幅度很小,需要经过线性放大器将信号幅度按线性比例进行放
大,一般输入脉冲的极性正或负均可,输出脉冲均为正极性,放大倍数可通过十圈电位器连续调节。
(3)计算机数据采集系统
数据采集系统包括多道脉冲幅度分析器及其软件。
多道脉冲幅度分析器的功能是将输入的脉冲按其幅度不同分别送入相对应的道址(即不同的存贮单元)中,通过软件可直接给出各道址(对应不同的脉冲幅度)中所记录的脉冲数目,因此测量能谱就非常方便。
闪烁γ能谱仪正是利用γ光子与闪烁体相互作用时产生次级带电粒子,进而由次级带电粒子引起闪烁体发射荧光光子,通过这些荧光光子的数目来推出次级带电粒子的能量,再推出γ光子的能量,以达到测量γ射线能谱的目的。
2.2、γ能谱的形状
闪烁γ能谱仪可测得γ能谱的形状,图2.2.1-6所示是典型137Cs的γ射线能谱图。
图的纵轴代表各道址中的脉冲数目,横轴为道址,对应于脉冲幅度或γ射线的能量。
从能谱图上看,有几个较为明显的峰,光电峰Ee,又称全能峰,其能量就对应
充,同时放出能量EzBi的X射线,一般来说,闪烁体对低能X射线有很强的
吸收作用,这样闪烁体就吸收了EeEz的全部能量,所以光电峰的能量就代表
γ射线的能量,对137Cs,此能量为0.661MeV。
EC即为康普顿边界,对应反冲电子的最大能量。
背散射峰Eb是由射线与闪烁体屏蔽层等物质发生反向散射后进入闪烁体内而形成的光电峰,一般背散射峰很小。
2.3、谱仪的能量刻度和分辨率
(1)谱仪的能量刻度
闪烁谱仪测得的γ射线能谱的形状及其各峰对应的能量值由核素的蜕变纲图所决定,是各核素的特征反映。
但各峰所对应的脉冲幅度是与工作条件有关系的。
如光电倍增管高压改变、线性放大器放大倍数不同等,都会改变各峰位在横轴上的位置,也即改变了能量轴的刻度。
因此,应用γ谱仪测定未知射线能谱时,必须先用已知能量的核素能谱来标定γ谱仪。
由于能量与各峰位道址是线性的:
EkNb,因此能量刻度就是设法得到k和b。
例如选择137Cs的光电峰E=0.661MeV和60Co的光电峰E11.17MeV,
如果对应E10.661MeV的光电峰位于N1道,对应E21.17MeV的光电峰位于
N2道,则有能量刻度
将测得的未知光电峰对应的道址N代入EkNb即可得到对应的能量值。
(2)谱仪分辨率
γ能谱仪的一个重要指标是能量分辨率。
由于闪烁谱仪测量粒子能量过程中,伴随着一系列统计涨落过程,如γ光子进入闪烁体内损失能量、产生荧光光子、荧光光子在光阴极上打出光电子、光电子在倍增极上逐级倍增等等,这些统计涨落使脉冲的幅度服从统计规律而有一定分布的。
定义谱仪能量分辨率:
7)
其中FWHM(FullWidthHalfMaximum表)示选定能谱峰的半高全宽,E为与谱峰对应的光子能量,表示闪烁谱仪在测量能量时能够分辨两条靠近的谱线的本领。
目前一般的NaI闪烁谱仪对137Cs光电峰的分辨率在10%左右。
对的影响因素很多,如闪烁体、光电倍增管等等。
3、物质对γ射线的吸收
当γ射线穿过物质时,一旦与物质中的原子发生三种相互作用,原来的光子就消失或通过散射改变入射方向。
通常把通过物质且未经相互作用的光子所组成的射线称为窄束γ射线(或良好几何条件下的射线束)。
实验表明,单能窄束γ射线的衰减遵循指数规律:
(8)
其中、分别是通过物质前、后的γ射线强度,在本实验中可用全能峰的峰面积表示,是γ射线通过物质的厚度,是三种作用截面之和,N是吸收物质单位体积的原子数,是物质的线性吸收系数,表示单位路程上γ射线与物质发生三种相互作用的总几率,其大小反映了物质吸收γ射线能力的大小。
可见,如果在半对数坐标图上绘制吸收曲线,那么这条曲线就是一条直线,直线的斜率的绝对值就是线性吸收系数。
γ射线强度减弱一半所需的吸收层厚度称为半吸收厚度d1,从(8)式可知:
实验仪器
闪烁γ能谱仪、Co60放射源、Cs137放射源、铜片10块
实验内容
1.实验前开启高压电源,预热20分钟;
2.测量并观察137Cs和60Co的γ能谱的形状,在图上指出光电峰、康普顿边界、电子对峰、背散射峰等峰位;
FWHM
3.根据公式E100%测量γ能谱仪能量的分辨率;
4.在放射源前增加铜片的厚度,测量137Cs的γ射线在铜片中的吸收曲线,求出相应的线性吸收系数和半吸收厚度。
数据处理:
1.测Co60右侧光电峰能量
由公式
k1.170.661MeVN2N1
b(0.6611.17)k(N1N2)MeV
2
将N2=788.8N1=416.8代入得k=1.368103MeVb=9.087102MeVEkNb
将Co60右侧光电峰道址代入,得E=1.337MeV
查阅资料得真实值为E0=1.33MeV
测量相对误差x=(1.337-1.33)/1.33*100%=0.53%
13760
2.测量137Cs和60Co的γ能谱图,指出各峰位
自动寻峰:
光电峰道址为416.8
左侧道址788.8,右侧道址910.8.
3.测量能量分辨率实验测得峰半高宽FWHM=42.7对应光电峰道址416.8由公式
FWHM100%
得=42.7/416.8*100%=10.24%
4.测量137Cs的γ射线在铜片中的吸收曲线
Equation
y=a+b
Adj.R-Squa
0.99938
Value
StandardErr
ln(I/I0)
Intercept
0.023
0.00696
Slope
-0.0510
4.00993E-4
15202530x
0)-x拟合直线
测量数据列表如下
铜片数
峰面积
单片铜片厚度
(mm)
总厚度x(mm)
103296
1
89776
3.14
78326
2.90
6.04
3
66917
3.00
9.04
4
58459
2.84
11.88
5
49984
14.78
6
43315
17.68
7
36923
2.96
20.64
8
32134
2.80
23.44
9
27416
2.88
26.32
10
23495
29.12
根据表中数据用计算机软件作出ln(I/I0)对x的拟合曲线
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
I/)0
lI(n-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
0510
ln(I/I
得ln(I/I0)=-ux由表中数据u=0.0510mm-1
所以半吸收厚度d1ln20.693mm13.59mm
120.0510
误差分析
1.测量137Cs和Co的γ能谱图时,误差与测量时间的长短有关,时间越长由
137于随机现象造成的误差越小,所得的图像也越准确,如137Cs的峰值要达到
60
2000,60Co的第二个峰值要达到400也是这个道理。
2.用游标卡尺测铜片的厚度时会有误差,应该可以用多次测量求平均值的方法来把误差减少到最低限度。
3.在采用软件自动寻峰时,计算机寻找的峰往往不是很准确,有时需要自己调整,这也会产生误差。
心得体会
1.本次实验采用的是γ放射源,一定要注意安全,不能用眼睛直视放射源的小孔,取出和送回时也要小心轻放;
2.做实验时要注意合理的利用和分配时间,如可以在测量光电峰的等待时间内把铜片的厚度测完;
3.如果本次实验采用分辨率再高一点,应该可以看到比较清晰的康普顿边界和电子对效应等,而不只有光电峰。
思考题
1.用闪烁谱仪测量γ射线能谱时,要求在多道分析器的道址范围内能同时测量出137Cs和60Co的光电峰,应如何选择合适的工作条件?
在测量过程中该工作条件可否改变?
答:
可以选择60Co右侧的光电峰的右侧峰脚在道址1000附近,这样第二
的能量不同
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- 射线 吸收