半导体工艺仿真指导书Word格式.docx
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图1.9结果显示窗口
d)在二维结构结果显示窗口中依次点击“plot”——“display”选项,弹出如图1.10的图形显示设置窗口。
在窗口中可以分别设置网格、边距、区域、等位线、矢量信息、光特性、结、电极、三维信息、颜色信息参数。
图1.10图形显示设置窗口
e)在特性曲线结果显示窗口中依次点击“plot”——“display”选项,弹出如图1.11所示的波形显示设置窗口。
在窗口中可设置曲线显示类型、坐标类型、XY轴显示量等参数。
图1.11波形显示设置窗口
f)在二维结构结果显示窗口中依次点击“tool”——“cutline”选项,弹出如图1.12所示的cutline窗口。
可以通过选取cutline,提取结构中某一点的特性参数。
图1.12cutline窗口
g)调取仿真实例
h)在deckbuild界面依次点击“help”——“example”菜单,启动如图1.13的“exampleloader”窗口。
图1.13“exampleloader”窗口
在“exampleloader”窗口第一行的下拉菜单中可以选择MOS、BJT等器件或Athena-implant等工艺类型,选定类型后可从下方列表中选取所需实例。
二、
silvacoTCAD工艺仿真操作
1、基本命令
a)go与quit
作用:
启动和退出仿真器。
例子:
goathena
#
linexloc=0spac=0.1
linexloc=0.2spac=0.006
.
tonyplot-overlay-stmos1ex02_1.log
quit
b)set
设置全局变量或tonyplot显示方式
settemp=1000
difusetime=30temp=$temp
此例中将“temp”设置为全局变量,在之后的仿真中声明“$temp”即可调用变量值。
c)tonyplot
图形显示仿真生成的器件结构、波形曲线等信息。
tonyplot-overlaycv.logiv.log-setshow.set
此例中将cv.log和iv.log两个文件,按照设置文件show.set的设置,叠加显示在一个窗口中。
d)extract
提取仿真中得到的器件、材料特性信息。
extractname=“gateox”thicknessoxidemat.occno=1
提取名称gateox厚度氧化物材料截取点1个x.val=0.49
x轴坐标0.49
此例中在x坐标0.49处,截取一个采样点,提取氧化物厚度,生成名为“gateox”的参数,并输出。
extractname=“nxj”xjsiliconmat.occno=1x.val=0.1
提取名称nxj结深硅材料截取点1个x轴坐标0.1
junc.occno=1
结截取点1个
此例中在x坐标0.1处,截取一个采样点,提取硅材料中的结深,生成名为“nxj”的参数,并输出。
e)structure
翻转已有结构,或保存、倒入结构文件
structureoutfile=filename.str
保存当前结构为结构文件“filename.str”。
structureinfile=filename.str
导入名为“filename.str”的结构文件。
structuremirrorleft
对当前结构做镜像翻转。
structureflip.y
对当前结构做上下翻转。
2、网格定义
a)衬底网格定义
命令:
line
参数:
x——x轴
y——y轴
location——坐标位置
spacing——格点间距
linexloc=0.0spacing=0.1
linexloc=1.0spacing=0.1
lineyloc=0.0spacing=0.2
lineyloc=2.0spacing=0.2
此例中定义x坐标起点0.0、终点1.0,格点间距0.1;
y坐标起点0.0、终点2.0,格点间距0.2。
b)新增淀积层网格定义
divisions——格点分层数量
dy——设定格点间距
ydy——格点间距起始位置
min.dy_最小格点间距
min.space——最小边界间距
depositpolysiliconthick=0.50divisions=10dy=0.1
ydy=0.02min.dy=0.01min.space=0.01
此例中将厚度为0.5的多晶硅坐标格点分为10层,设定格点间距为0.1,从0.02处开始执行0.1的间距,最小格点间距0.01,最小边界间距0.01。
3、衬底初始化
a)命令与语法
INITIALIZE
[MATERIAL][ORIENTATION=<
n>
][ROT.SUB=<
][C.FRACTION=<
]
[C.IMPURITIES=<
|RESISTIVITY=<
][C.INTERST=<
[C.VACANCY=<
][BORON|PHOSPHORUS|ARSENIC|ANTIMONY]
[NO.IMPURITY][ONE.D|TWO.D|AUTO][X.LOCAT=<
][CYLINDRICAL]
[INFILE=<
c>
][STRUCTURE|INTENSITY][SPACE.MULT=<
]
[INTERVAL.R=<
][LINE.DATA][SCALE=<
][FLIP.Y]
[DEPTH.STR=<
][WIDTH.STR=<
b)常用参数:
MATERIAL——衬底材料
ORIENTATION——衬底晶向
C.IMPURITIES——衬底杂质浓度
RESISTIVITY——衬底电阻率
ONE.D,TWO.D,AUTO——仿真维度
c)例子:
initsiliconc.boron=3.0e15orientation=100two.d
此例中初始化衬底为100晶向的单晶硅,衬底掺杂浓度为3.0e15的硼杂质,仿真维度为二维。
initsiliconphosphorresistivity=10orientation=111
此例中初始化衬底为111晶向的硅,衬底掺杂磷,电阻率10。
4、氧化、扩散
DIFFUSE
TIME=<
[HOURS|MINUTES|SECONDS]
TEMPERATURE=<
[T.FINAL=<
|T.RATE=<
[DRYO2|WETO2|NITROGEN|INERT][HCL.PC=<
][PRESSURE=<
[F.02=<
|F.H2=<
|F.H20=<
|F.N2=<
|F.HCL=<
][NO.DIFF][REFLOW]
[DUMP][DUMP.PREFIX=<
][TSAVE=<
][TSAVE.MULT=<
[B.MOD=<
][p.MOD=<
][AS.MOD=<
][IC.MOD=<
][VI.MOD=<
TIME——时间
HOURS,MINUTES,SECONDS——时间单位
TEMPERATURE——工作氛围温度
DRYO2,WETO2,NITROGEN——工作气体氛围
HCL.PC——氧化剂中HCL百分比
PRESSURE——工作气压
F.02,F.H2,F.H20,F.N2,F.HCL——气体流速
C.IMPURITIES——工作气氛中杂质及其浓度
diffusetime=30temp=1000c.boron=1.0e20
此例中设定扩散时间30分钟、恒温1000℃、掺杂硼浓度1.0e20。
diffusetime=30temp=1000dryo2
此例中设定扩散时间30分钟、恒温1000℃、气氛为干氧,则实际为氧化工艺。
diffusetime=10temp=1000f.o2=10f.h2=10f.hcl=.1
此例中设定扩散时间10分钟、恒温1000℃、氧气10L/min、氢气10L/min、HCL0.1L/min。
5、离子注入
IMPLANT
[GAUSS|PEARSON|FULL.LAT|MONTECARLO|BCA][CRYSTAL|AMORPHOUS]
IMPURITYENERGY=<
DOSE=<
[FULL.DOSE]
[TILT=<
][ROTATION=<
][FULLROTATION][PLUS.ONE][DAM.FACTOR=<
[DAM.MOD=<
][PRINT.MOM][X.DISCR=<
][LAT.RATIO1][LAT.RATIO2]
[S.OXIDE=<
][MATCH.DOSE|RP.SCALE|MAX.SCALE][SCALE.MOM][ANY.PEARSON]
[N.ION=<
][MCSEED=<
][TEMPERATURE=<
][DIVERGENCE=<
[IONBEAMWIDTH=<
][IMPACT.POINT=<
][SMOOTH=<
[SAMPLING][DAMAGE][MISCUT.TH][MISCUT.PH][TRAJ.FILE=<
[N.TRAJ=<
][Z1=<
][M1=<
GAUSS,BCA,PEARSON,FULL.LAT,MONTECARLO——离子注入模型
CRYSTAL,AMORPHOUS——设定衬底晶体结构
IMPURITY——注入杂质类型
ENERGY——注入能量
DOSE——注入剂量
TILT——离子束入射角
ROTATION——离子束与仿真面夹角
FULLROTATION——设置为全角度注入
TEMPERATURE——注入时衬底温度
implantphosphdose=1e14energy=50tilt=10
此例中设定磷注入、注入剂量1e14、注入能量energy=50、入射角10°
。
6、淀积
DEPOSIT
MATERIAL[NAME.RESIST=<
]THICKNESS=<
[SITOPOLY][TEMPERATURE=<
[DIVISIONS=<
][DY=<
][YDY=<
][MIN.DY=<
][MIN.SPACE=<
][F.IMPURITIES=<
][F.INTERST=<
][F.VACANCY=<
]F.FRACTION=<
[MACHINE=<
][TIME=<
][HOURS|MINUTES|SECONDS]
[N.PARTICLE=<
][OUTFILE=<
][SUBSTEPS=<
][VOID]
MATERIAL——淀积材料
NAME.RESIST——淀积光刻胶类型
THICKNESS——淀积厚度
C.IMPURITIES——淀积层杂质浓度
F.IMPURITIES——淀积层顶部杂质浓度
depositaluminthick=0.03divi=2
此例中淀积厚度为0.03的铝,材料厚度纵向分为2层。
depositmaterial=BPSGthickness=0.1div=6c.boron=1e20c.phos=1e20
此例中淀积厚度为0.1的BPSG,含硼杂质浓度1e20,磷杂质浓度1e20,材料厚度纵向分为6层。
7、刻蚀
ETCH
[MATERIAL][NAME.RESIST]
[ALL|DRY][THICKNESS=<
][ANGLE=<
][UNDERCUT=<
[LEFT|RIGHT|ABOVE|BELOW][P1.X=<
][P1.Y=<
][P2.X=<
][P2.Y=<
[START|CONTINUE|DONE][X=<
][Y=<
][TOP.LAYER][NOEXPOSE][DT.FACT=<
][DT.MAX=<
[DX.MULT=<
][MACHINE=<
[MC.REDEPO][MC.SMOOTH=<
][MC.DT.FACT=<
][MC.MODFNAME=<
MATERIAL——刻蚀材料
NAME.RESIS——刻蚀光刻胶种类
THICKNESS——刻蚀厚度
LEFT,RIGHT,ABOVE,BELOW——指定刻蚀区域方向
P1.X,P1.Y,P2.X,andP2.YT——指定刻蚀区域坐标
ALL——刻蚀所有指定材料
etchaluminiumrightp1.x=1.5
此例中刻蚀x坐标1.5右侧的铝。
etchoxideall
此例中刻蚀所有氧化物。
etchsiliconthick=0.5
此例中刻蚀硅材料厚度为0.5。
etchoxidestartx=1.5y=0.0
etchcontinuex=1.5y=−0.6
etchcontinuex=3.5y=−0.6
etchdonex=3.5y=0.0
此例中以x=1.5y=0.0;
x=1.5y=−0.6;
x=3.5y=−0.6;
x=3.5y=0.0四个坐标为顶点,刻蚀坐标点包围区域内的氧化物。
8、光刻
MASK
NAME=<
[REVERSE][DELTA=<
ILLUMINATION
[I.LINE|G.LINE|H.LINE|KRF.LASER|DUV.LINE|ARF.LASER|F2.LASER|LAMBDA=<
[X.TILT=<
][Z.TILT=<
][INTENSITY=<
PROJECTION
[NA=<
][FLARE=<
PUPIL.FILTER
CIRCLE|SQUARE|GAUSSIAN|ANTIGAUSS
[GAMMA=<
][IN.RADIUS=<
][OUT.RADIUS=<
][PHASE=<
[TRANSMIT=<
][CLEAR.FIL]
NAME——导入掩模文件名
I.LINE,G.LINE,H.LINE——照明系统所用波长
LAMBDA——定义和改变光源波长
X.TILT,Z.TILT——照明系统与光轴夹角
NA——光学投影系统孔隙数
FLARE——成像时的耀斑数
CIRCLE,SQUARE,GAUSSIAN——发射孔形状
GAMMA——发射孔透明度
TRANSMIT——透射率
三、
silvacoTCAD器件仿真操作
图3.1silvacoTCAD器件仿真流程
1.初始化网格
meshspace.mult=<
value>
location——格点位置
x.meshlocation=0.0spacing=0.05
此例中定义x格点坐标0.0,格点间距0.05。
2.区域定义
regionnumber=<
<
material>
[<
position>
b)例子:
regionnum=1y.max=0.5silicon
regionnum=2y.min=0.5y.max=1.0x.min=0x.max=1.0oxide
regionnum=3y.min=1.0y.max=2.0x.min=0x.max=1.0GaAs
此例中定义了3个区域,材料分别是硅、氧化物、砷化镓;
每个区域通过x、y轴的最大与最小坐标确定范围。
3.电极定义
electrodename=<
en>
[number=<
][substrate]<
region>
elecname=emitterx.min=1.75x.max=2.0y.min=-0.05
y.max=0.05
此例中定义电极名称为“emitter”,并通过x、y轴的最大与最小坐标确定电极位置。
4.杂质分布
doping<
distributiontype>
dopanttype>
positionparameters>
dopinguniformconc=1e16n.typeregion=1
此例中定义在区域1中形成浓度为1e16的n型均匀掺杂。
5.电极连接
a)使用contact命令和common参数短接两个电极
contactname=basecommon=collector
实现基极与集电极的短接
6.获取器件特性
使用solve命令通过对器件施加电流或电压来获取器件特性。
a)直流特性
solveinit
初始化,所有电极电压加为0V;
solvevbase=0.1
基极电压加为0.1V;
solvevdrain=0.0vstep=0.05vfinal=5.0name=drain
对漏极施加0-5V,步长为0.05V的扫描电压;
solvevbase=0.2
...
solvevbase=2.0
基极电压从0.1V加到0.2V,再逐步加到2V,可用于获取BE结I-V特性;
solveprevious
将之前计算所得结果用作当前计算的初始近似。
b)交流小信号特性
solvevbase=0vstep=0.05vfinal=2.0name=baseacfreq=1e6
频率不变,改变基极直流电压偏置,可用于获取特定频率下CV特性;
solvevbase=0.7acfreq=1e9fstep=1e9nfstep=10
基极电压0.7V,交变频率以1GHz步长,从1GHz增加到11GHz;
solvevbase=0.7acfreq=1e6fstep=2mult.fnfstep=10
solveprevacfreq=1e6fstep=2mult.fnfstep=10
基极电压0.7V,初始频率1MHz,频率每次增加变为原来的2被,最终频率1GHz;
7.提取仿真结果
a)命令:
extractextract-parameters
b)语法:
<
QSTRING>
——表示字符串;
EXPR>
——表示整数;
竖线|——表示在左右的参数中选其一;
中括号[]——表示其中的参数为可选参数;
c)参数提取
extractname=“chan_surf_conc”surf.concimpurity=“Net
Doping”material=“Silicon”mat.occno=1x.val=0.45
在x坐标0.45处选取1个材料截取点,提取名为“chan_surf_conc”对硅表面浓度;
extractname=“n++sheetrho”sheet.resmaterial=“Silicon”
mat.occn
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