数字晶体管的原理文档格式.docx
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GI=IO/Iin
hFE=IC/IB
IO=IC,Iin=IB+IR2,IB=IC/hFE,IR2=VBE/R2
电压关系式VIN=VR1+VBE
■集电极电流关系式
∴IC=hFE×
((Vin-VBE)/R1)-(VBE/R2))・・・①
※这里所说的hFE是VCE=5V、IC=1mA时的值,不是饱和状态。
作为开关使用时,需要饱和状态的电流比率IC/IB=20/1
∴IC=20×
((Vin-VBE)/R1)-(VBE/R2))・・・②
将式子①的hFE替换成20/1。
而且,如果在考虑偏差的基础上计算
将R1的最大值+30%R2的最小值-20%VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。
根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2,使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。
∴Iomax≦20((Vin-0.75)/(1.3×
R1)-0.75/(1.04×
R2))
数字晶体管的型号说明
IO和IC的区别
IC:
能够通过晶体管的电流的最大理论值
IO:
能够作为数字晶体管使用的电流的最大值
解说
DTA/C系列为例,构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。
用IC=100mA定义。
个别晶体管连接电阻R1、R2,则成为数字晶体管。
此数字晶体管流过IC=100mA时,基极电流IB需要相对应的电流値,其结果需要高的输入电压VIN。
根据绝对最大额定值限制,由输入电阻R1的功率许容值(封装功率)决定输入电压VIN(max)。
电流IC=100mA流过时,可能超过这个额定值,在不超过VIN(max)条件下,数字晶体管中流过的电流值定义为IO。
如您所知,绝对最大额定值被定义为"
不能同时提供2项以上"
,仅用IC标记没有问题,但结合客户实际使用状态,合并标记为IO。
因此电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。
GI和hFE的区别
hFE:
作为晶体管的直流电流增幅率
GI:
作为数字晶体管的直流电流增幅率
GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率。
数字晶体管是指普通晶体管上连接2个电阻器的晶体管。
直流电流放大率为输出电流/输入电流,因此不因输入电阻R1,放大率下降。
仅有输入电阻R1的类型放大率表示为hFE,与个别晶体管hFE相等。
如果在E-B间附加电阻R2,输入电流则分为流过个别晶体管的电流和流过E-B间电阻R2的电流。
因此放大率比单体时下降。
此值称为GI,用以区分。
关于VI(on)和VI(off)的区别
VI(on)、VI(off)容易被混淆
VI(on):
数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min
错误观点
1:
由0开始依次加入输入电压。
2:
达到1.8V时,数字晶体管启动。
3:
因在规格书规定的3V(min)以下,故判断为不合格。
正确观点
A:
首先为了启动数字晶体管,加入足够的输入电压Vin(如10V)
B:
渐渐降低电压,到规格书规定的3V时停止。
因仍保持ON状态,故该产品为合格。
C:
如果继续降低基极电压,不能完全保持ON状态,而向OFF状态变化。
因这一变化点在3V以下,故产品为合格。
关于数字晶体管的温度特性
根据环境温度、VBE、hFE、R1、R2变化。
hFE的温度变化率约为0.5%/º
C
VBE的温度系数约为-2mV/º
C(-1.8to-2.4mV/º
C的范围有偏差)
R1的温度变化率,如下图表。
关于输出电压-输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)
数字晶体管的输出电压-输出电流特性,按以下测定方法测定。
IO(低电流区域)条件下,个别晶体管基极没有电流流过。
因此低电流区域输出电压(VO)[VCE(sat)]上升。
测定方法DTC114EKA的场合用IO/Ii=20/1测定。
Ii=IB+IR2、(IR2=VBE/10k=0.65V/10k=65μA)
IB=Ii-IR2=Ii-65μA即Ii在65µ
A以下时,IB没有电流流过,VO[VCE(sat)]上升。
因此,在低电流区域不能测定VO。
关于数字晶体管的开关动作
①晶体管的动作
图1
如图1,输入电压,启动NPN晶体管。
在这个电路中,基极(B)-发射极(E)之间输入顺向电压,注入基极电流。
就是说,在基极(B)领域注入+空穴。
如果在基极(B)领域注入+电子,发射极(E)的载流子-会被吸引至基极(B),但是正极(B)领域非常薄,因此通过加入集电极电压,载流子可以穿越基极(B)流向集电极(C)。
借此,电流可以由集电极(C)→发射极(E)流动。
②开关动作
图片
图2
晶体管的动作有增幅作用和开关作用。
在增幅作用中,通过注入基极电流IB,能够通过增幅hFE倍的集电极IC。
在活性领域中,通过输入信号持续控制集电极电流,可以得到输出电流。
在开关作用中,在ON时电气性饱和状态(降低集电极-发射极间的饱和电压)下使用。
关于数字晶体管的用语
VI(on)Min.:
输入电压(INPUTONVOLTAGE)
向OUT引脚、GND引脚间施加正向电压(VO),并得到规定的输出电流时需要的最小输入电压,即数字晶体管导通区域的最小输入电压值。
因此,如果要从ON状态变为OFF状态,需要进一步降低该最小输入电压值,所以正常产品的电压值低于这个数值。
VI(off)Max.:
输入电压(INPUTOFFVOLTAGE)
在向OUT引脚、GND引脚间施加电源电压(VCC)、输出电流(IO)的状态下,IN引脚、GND引脚间得到的最大输入电压,即可以保持数字晶体管OFF状态区域的最大输入电压值。
因此,如果要从OFF状态变为ON状态,需要进一步升高该最大输入电压值,所以正常产品的电压值高于这个数值。
VO(on):
输出电压(OUTPUTVOLTAGE)
在任意输入条件下不超过绝对最大额定值的输出引脚电压。
GND接地放大电路流过充足的输入电流时,输出电压降低,IN、OUT接合也变为正偏压状态。
在规定的VO、IO下将II设定为整数(通常10~20)分之一进行测定。
II(Max.):
输入电流(INPUTCURRENT)
向IN引脚、GND引脚间施加正向电压(VI)时,IN引脚连续流过电流的最大输入容许值。
GND接地直流电流增益(DCCURRENTGAIN)
在规定的VO、IO条件下的IO/II的比值。
R1:
输入电阻(INPUTRESISTANCE)
在IN引脚、晶体管基极之间内置的电阻。
R1的公差设定为±
30%。
另外,还会随着温度的变化而变化。
R2/R1:
电阻比率(RESISTANCERATIO)
晶体管的基极∙发射极之间的电阻与内置输入电阻的比率。
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- 关 键 词:
- 数字 晶体管 原理