华南理工数字数逻辑随堂作业Word格式.docx
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A热敏性和光敏性B光敏性和混杂性
C热敏性和混杂性D热敏性、光敏性和混杂性
4.(单项选择题)以下各项中()是本征半导体
AP型半导体BN型半导体
CPN结D纯净的半导体
5.(单项选择题)N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的()
A电子B空穴C三价硼元素D五价磷元素
6.(单项选择题)P型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的
A电子B.空穴C.三价硼元素D.五价磷元
7.(单项选择题)按掺入杂质的不一样,杂质半导体分为()。
A电流型和电压型半导体
B电子型和空穴型半导体
C空穴型和电流型半导体
D电压型和电子型半导体
B
8.(单项选择题)
P型半导体中不可以挪动的杂质离子带负电,说明
P型半导体呈
()性
A负电
B正电
C电中
D弱负电
9.(单项选择题)
在N型半导体中,拥有的载流子的特征为(
A电子为多子,空穴为少子
B空穴是多子
电子为少子
C电子和空穴相同多D
电子和空穴都比较少
A
(单项选择题)PN结拥有(
)特征
10.
A正偏
B反偏
C单向
D双向
11.(单项选择题)半导体受光照,导电性能()。
A加强B减弱C不变D先加强后减弱
12.(单项选择题)半导体中传导电流的载流子是()。
A电子B空穴
C电子和空穴D以上都不对
13.(单项选择题)交通讯号灯采纳的是()管。
A发光二极管B光电二极管
C变容二极管D整流二极管
14.(单项选择题)对于PN结以下说法正确的选项是:
()。
APN结是P型,N型半导体混淆制成的
BPN结是P型,N型半导体相接触形成的
CPN结是P型半导体中掺入少许
N型半导体形成的
DPN结是N型半导体中掺入少许
P型半导体形成的
15.(单项选择题)
半导体的导电能力(
A与导体相同
B与绝缘体相同
C介于导体和绝缘体之间
D比导体好
16.(单项选择题)
PN结外加正向电压时,其耗尽层(
)。
A不变
B变宽
C变窄
D没法确立
17.(单项选择题)PN结反向偏置时,其内电场被()
A.削弱B加强
C不变D不确立
18.(单项选择题)PN结两头加正向电压时,其正向电流是()而成。
A、多子扩散;
B、少子扩散;
C、少子漂移;
D、多子漂移。
第一章微电子器件基础·
半导体二极管
2020-06-1423:
目前页有7题,你已做7题,已提交7题,此中答对6题。
1.(单项选择题)半导体二极管的主要特色是拥有()
A电流放大作用B单导游电性
C电压放大作用D双导游电性
2.(单项选择题)二极管导通的条件是加在二极管两头的电压()
A正向电压大于二极管的死区电压B正向电压大于零
C一定加反向电压D以上都不对
3.(单项选择题)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的利害,好的管子应为()
A正、反向电阻相等B正向电阻答,反向电阻小
C反向电阻比正向电阻大好多D正、反向电阻都等于无量大
4.(单项选择题)二极管反偏时,以下说法正确的选项是()
A在达到反向击穿电压以前经过电流很小,称为反向饱和电流;
B在达到死区电压以前,反向电流很小;
C二极管反偏必定截止,电流很小,与外加反偏电压大小没关。
D电流向来很小
5.(单项选择题)把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管()。
A、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏D、电流为零
6.(单项选择题)
当环境温度高升时,二极管的反向饱和电流将增大,是由于此时
PN结内部(
A多半载流子浓度增大
B少量载流子增大
C多半载流子浓度减小
D少量载流子减小
7.(单项选择题)
用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于
1KΩ,说明该二极管(
A、已经击穿;
B、完满状态;
C、内部老化不通;
D、没法判断。
双极型晶体管及其开关特征
目前页有10题,你已做10题,已提交10题,此中答对7题。
1.(单项选择题)双极型晶体管是一种()的半导体器件。
A电压控制B电流控制
C既是电压控制又是电流控制D功率控制
2.(单项选择题)双极型晶体管要能正常实现放大功能,一定()
A发射结正偏,集电结反偏B发射结反偏,集电结正偏
C发射结和集电结都正偏D发射结和集电结都反偏
3.(单项选择题)双极型晶体管在制作工艺上的详细要求为()
A发射区混杂浓度最高,集电区混杂浓度最低
B发射区混杂浓度最低,集电区混杂浓度最高
C三个区的混杂浓度相同
D基区混杂浓度最高,发射区和集电区混杂浓度相同
4.(单项选择题)
三级管工作在截止区,要求(
A发射结正偏,集电结正偏
B发射结正偏,集电结反偏
C发射结反偏,集电结正偏
D发射结反偏,集电结反偏
5.(单项选择题)
在数字电路中,双极型晶体管一般工作在(
)状态。
A截止和饱和
B放大和截止
C放大和饱和
D放大、饱和和截止
测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为
VE=,VB=,VC=,说明此三极管处在(
A放大区
B饱和区
C截止区
D反向击穿区
8.(单项选择题)三极管超出()所示极限参数时,必然被破坏。
A集电极最大同意电流
ICM;
B集―射极间反向击穿电压
U(BR)CEO;
C集电极最大同意耗散功率
PCM;
D管子的电流放大倍数
。
C.D.(已提交)
9.(单项选择题)以下选项中,不属三极管的参数是(
A.电流放大系数
B.最大整流电流
C.集电极最大同意电流
D.集电极最大同意耗散功率
10.(单项选择题)三极管β值是反应(B)能力的参数。
(三极管可改为电流控制电流源)
A.电压控制电压B.电流控制电流
C.电压控制电流D.电流控制电压
场效应管及其开关特征
目前页有
7题,你已做
7题,已提交
7题,此中答对
5题。
1.(单项选择题
单极型半导体器件是(
A二极管
B双极型三极管
C场效应管
D稳压管
C
2.(单项选择题
绝缘栅型场效应管的输入电流(
A较大
B较小
C为零
D没法判断
3.()
A非饱和区B饱和区
C截止区D击穿区
4.(单项选择题)描绘场效应晶体管的输入特征的主要参数是()。
A漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量
B漏极电流,栅极电压,以楼-源电压为参变量
C基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量
D漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量
5.(单项选择题)场效应晶体管的控制方式是()
A输入电流控制输出电压B输入电压控制输出电流
C输入电压控制输出电压D输入电流控制输出电流
6.(单项选择题)场效应晶体管是用()控制漏极电流的。
A栅源电流B栅源电压
C漏源电流D漏源电压
7.(单项选择题)场效应管靠()导电。
A一种载流子B两种载流子
C电子D空穴
第二章数字逻辑的数学基础·
进位计数制
目前页有10题,你已做10题,已提交10题,此中答对9题。
1.(单项选择题)十进制数100对应的二进制数为()。
A1011110B1100010
C1100100D
数字电路中机器辨别和常用的数制是(
A二进制
B八进制
C十进制
D十六进制
A
3.(单项选择题)十进制数93变换为二进制数为(
A1110111B1110101
C1010111D1011101
4.(单项选择题)十进制数100变换成二进制数是(
A1100010B1100111
C1010111D1100100
5.(单项选择题)二进制数01001101变换为十进制数为()。
A45B85
C77D75
6.(单项选择题)以下不一样数制表示的数中,最大的是()。
A95HBBCD
C96DD01100100B
7.(单项选择题)进位计数制包含______两个因素。
A基数和权数
B基数和位数
C位数和权数
D进制和基数
7.进位计数制中最简单的是(
在进位计数制中,
“基数”是指(
A一个数位同意使用的最大数码
B一个数位同意使用的数码个数
C确立一个数位实质数值的因子
D与一个数位数值相关的常数
10.(单项选择题)进位计数制中使用的基本数码个数被称为()。
A基数B尾数
C阶码D位权
目前页有1题,你已做1题,已提交1题,此中答对1题。
11.(单项选择题)在进位计数制中,当某一位的值达到某个固定量时,就要向高位产生进位,这个固定量就是该种进位计数制
的()。
A尾数B原码
C基数D阶码
带符号数的表示
目前页有4题,你已做4题,已提交4题,此中答对4题。
1.(单项选择题)[+56]的补码是()。
A00111000BBB
C01000111BD01001000B
2.(单项选择题)
对于正数,其原码,反码和补码是(
A一致的
B不一致的
C互为相反的
D互为相补的
3.(单项选择题)
已知8
位机器码是,若其为补码时,表示的十进制真值是(
-76
B
-74
74
D
76
负数的补码是在原码的基础上(
A按位取反
B按位取反加1
C按位取反减
1
D与原码相同
数的编码表示
目前页有4题,你已做4题,已提交4题,此中答对2题。
1.(单项选择题)ASCII码是表示()的代码。
A汉字B标点符号
C英文字符D制表符
2.(单项选择题)在数的编码中,()是有权码。
A8421BCD编码
B余3码
C格雷码D8421BCD码和余3码
3.(单项选择题)(100001101001)余3BCD变换成十进制数是(
A536
B869
C2153
D263
4.(单项选择题)(001110010001)8421BCD变换成十进制数是(
A913
B391
C623
D390
逻辑代数
目前页有6题,你已做6题,已提交6题,此中答对6题。
1.(单项选择题)履行以下逻辑加运算(即逻辑或运算)V01001010,其结果是()。
ABCD
2.(单项选择题)履行以下二进制数算术加法运算+00101010,其结果是()。
AB
CD00101010
3.(单项选择题)对于卡诺图,以下说法正确的选项是()。
A卡诺图是用来化简逻辑表达式的有效手段
B卡诺图化简逻辑表达式时,只好归并卡诺图中的
C卡诺图化简逻辑表达式时,只好归并卡诺图中的0
D卡诺图能减少逻辑错误
4.(单项选择题
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