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nitrogenn.[化]氮;
phosphorusn.磷;
sulfurvt.用硫磺处理n.硫磺;
硫磺色;
silicondioxide[无化]二氧化硅
Comprehension
Theconductivitiesofasemiconductorisgenerallysensitivetotemperature,illumination,magneticfield,andminuteamountofimpurityatoms.
半导体的导电性一般对温度敏感、照明、磁场与少量的杂质原子存在引起的。
Germaniumprovedunsuitableinmanyapplicationbecausegermaniumdevicesexhibitedhighleakagecurrentsatonlymoderatelyelevatedtemperatures.
锗被证明不适合许多应用,因为锗器件在只有轻度升高的温度时展出很高的泄漏电流。
1.1.2CrystalStructure
Diagonaln.对角线;
斜线adj.斜的;
Latticen.格子;
格架;
晶格vt.使成格子状;
unitcell[晶体]晶胞,[晶体]单胞;
[晶体]单位晶格;
reciprocaln.[数]倒数;
adj.相互的;
倒数的,彼此相反的
cubic-crystal立方晶体;
latticeconstant晶格常数;
点阵常数;
body-centeredcubic体心立方;
Face-centeredcubic;
diamondlattice金刚石点阵钻石格子金刚石晶格;
tetrahedronn.[晶体]四面体;
zincblendelattice闪锌矿晶格;
tungstenn.[化学]钨;
Cartesiancoordinates笛卡儿坐标Equidistantadj.等距的;
距离相等的;
Sodiumn.[化学]钠(11号元素,符号Na);
Millerindices密勒指数;
Thisstructurealsobelongstothecubic-crystalfamilyandcanbeseenastwointerpenetratingfccsublatticeswithonesublatticedisplacedfromtheotherbyonequarterofthedistancealongadiagonalofthecube.
该结构也属于立方晶体家庭和可以被看作是两个面心立方晶格,其中一个沿另一个的对角线平移四分之一距离而构成的立方。
Allatomsareidenticalinadiamondlattice,andeachatominthediamondlatticeissurroundedbyfourequidistantnearestneighborsthatlieatthecornersofatetrahedron.
所有的原子都是相同的金刚石晶格,每一个原子在晶格中都有四个等距的最近邻居,处在四面体的四个角上。
ExtracurricularReading
Asemiconductorisamaterialwithelectricalconductivityduetoelectronflow(asopposedtoionicconductivity)intermediateinmagnitudebetweenthatofaconductorandaninsulator.Thismeansconductivityroughlyintherangeof103to10−8Siemenspercentimeter.Semiconductormaterialsarethefoundationofmodernelectronics,includingradio,computers,telephones,andmanyotherdevices.Suchdevicesincludetransistors,solarcells,manykindsofdiodesincludingthelight-emittingdiode,thesiliconcontrolledrectifier,anddigitalandanalogintegratedcircuits.Similarly,semiconductorsolarphotovoltaicpanelsdirectlyconvertlightenergyintoelectricalenergy.
半导体是一种物质,它由于电子流动而产生的电导率(相对于离子电导率)在导体和绝缘体之间的中间级。
这意味着电导率大致范围为103到108西门子每厘米。
半导体材料是现代的电子产品,其中包括收音机,计算机,电话,和许多其他的设备的基础。
这样的设备包括晶体管、太阳能电池、多种二极管包括发光二极管,硅可控整流器、数字和模拟集成电路。
同样,半导体太阳能光伏板直接转换光能为电能。
1.1.3ValenceBonds
holen.洞,孔;
洞穴,穴;
突破口vt.凿洞vi.凿洞,穿孔;
valenceelectron价电子;
covalentbonding共价键;
共价键结;
共价结合;
positivecharge[物]正电荷;
deficiencyn.缺陷,缺点;
缺乏;
;
fictitiousadj.虚构的;
假想的;
编造的;
假装的;
analogousadj.类似的;
[昆]同功的;
可比拟的
Eachelectronspendmostoftheirtimebetweenthetwonuclei.However,bothelectronsspendmostoftheirtimebetweenthetwonuclei.
每一个电子把大部分时间花在两个细胞核之间。
不管怎样,两位电子把大部分时间花在两个细胞核之间的。
GaAshasaslightionicbondingforcethatisanelectrostaticattractiveforcebetweeneachGa-ionanditsforneighboringAs+ions,orbetweeneachAs+ionanditsfourneighboringGa-ions.
砷化镓有轻微的离子键合力,是Ga-离子及其附近的As+离子之间的静电吸引力,或者是每个Ga+离子及其四个邻国Ga-离子之间的静电吸引力。
Thisdeficiencymaybefilledbyoneoftheneighboringelectrons,whichresultsinashiftofthedeficiencylocation,asfromlocationAtolocationB.
这个缺陷是由一个充满相邻的电子,有电子位置转移如从地点A移到地点B而产生的缺陷。
1.16IntrinsicCarrierConcentration
1.17DonorsandAcceptors
Intrinsicadj.本质的,固有的;
impuritiesn.杂质(impurity的复数);
effectivedensityofstates有态密度;
incrementaladj.增加的,增值的;
donor施者;
acceptor受者;
extrinsicadj.外在的;
外来的;
非固有的;
massactionlaw质量作用定律;
agitationn.激动;
搅动;
煽动;
烦乱;
excitationn.激发,刺激;
激励;
激动;
integratingn.集成化;
综合化v.整合;
积分;
集成化(integrate的ing形式);
Thisdensityn(E)isgivenbytheproductofdensityofallowedenergystatesperunitvolumeN(E)andbytheprobabilityofoccupyingthatenergyrangeF(E).
这样的密度n(E)是由能量状态单位体积内所允许的浓度N(E)和占领能量范围的概率F(E)所得到的。
TheelectrondensityintheconductionbandisgivenbyintegratingN(E)F(E)dEfromthebottomoftheconductionbandtothetopoftheconductionband.
导带的电子密度是通过整合了N(E)F(E)dE从导带的底部到导带的顶部。
Bycontrastmostofthoseareoccupiedbyelectrons.Thus,theprobabilityofanelectronoccupyingoneofthesestatesinthevalencebandisnearlyunity.
与此形成鲜明对比的是他们大多数都是由电子所占用。
因此,一个电子占领这些位置的其中一个的概率在价带中几乎是一致的。
Forshallowdonorsinsiliconandgalliumarsenide,thereusuallyisenoughthermalenergygosupplytheenergyEDtoionizealldonorimpuritiesatroomtemperatureandthusprovideanequalnumberofelectronsintheconductionband.
对于在硅和砷化镓中的浅的施者,通常是足够的热能去提供了能量ED使施主杂质在室温下电离,从而在导带中提供相等数量的电子。
1.2CarrierTransportPhenomena
1.2.1CarrierDrift
Equipartitionn.[物][化学]均分;
impactionization[物]碰撞电离;
meanfreepath[物]平均自由程;
collisionn.(意见,看法)的抵触,冲突;
Saturationn.饱和;
色饱和度;
浸透;
磁化饱和;
driftvelocity[电子]漂移速度
Successionn.连续;
继位;
轮栽演替;
sufficientlyadv.充分地;
足够地;
Injectionn.注射;
注射剂;
充血;
射入轨道;
Superimposedadj.[地物]叠加的;
上叠的;
重叠的;
Netn.网;
网络;
净利;
实价adj.纯粹的;
净余的vt.得到;
净赚;
用网捕vi.编网;
scatteringn.散射;
分散v.散射;
散布;
驱散(scatter的ing形式)adj.分散的;
mobilityn.移动性;
机动性;
[电子]迁移率;
Thethermalmotionofanindividualelectronmaybevisualizedasasuccessionofrandomscatteringfromcollisionswithlatticeatoms,impurityatoms,andotherscatteringcenters.
一个单独电子的热运动的可以想象成与晶格原子,杂质原子,和其他散射中心碰撞而产生随机散射。
1.2.2CarrierDiffusion
1.2.3CarrierInjection
carrierinjection载体注入;
spatialadj.空间的;
受空间条件限制的;
excitationn.激发,刺激;
overwhelmvt.压倒;
淹没;
受打击
derivativen.[化学]衍生物,派生物adj.派生的;
引出的;
gradientn.[数][物]梯度;
坡度;
倾斜度adj.倾斜的;
步行的;
biasn.偏见;
偏爱;
斜纹;
乖离率adj.偏斜的vt.使存偏见adv.偏斜地;
magnituden.大小;
量级;
[地震]震级;
重要;
光度;
Thediffusioncurrentisproportionaltothespatialderivativeoftheelectrondensity.Diffusioncurrentresultsfromtherandomthermalmotionofcarriersinaconcentrationgradient.
扩散电流与电子密度空间导数成正比的。
扩散电流产生于随机热运动中载流子的浓度梯度。
IfthephotonenergyhrofthelightisgreaterthanthebandgapenergyEgofthesemiconductor,wherehisthePlanckconstantandvistheopticalfrequency,thephotonisabsorbedbysemiconductorandanelectron-holepairisgenerated.
如果光的光子能量hr比半导体的带隙能量大,其中h是普朗克常数和v是光学频率,光子被半导体吸收同时一个空穴对产生的。
Thewidthofthebandgapinasemiconductorissmallenoughtoallowforelectronsto"
jump"
fromthevalencebandintotheconductionbandandreciprocally.Inaddition,electronscanalso"
fromtheconductionorvalencebandintopermittedenergylevelslocatedinsidethebandgap.Theselevelsarisefromthepresenceoftraceimpurityelementsorcrystallinedefects.If,forinstance,anelectronjumpsfromthevalencebandintotheconductionband,itbecomesfreetomoveinthecrystal.Atthesametime,afreeholeiscreatedinthevalenceband,whichisfreetomoveaswell.Suchaneventiscalled"
carrierpairgeneration"
or,moresimply,"
generation"
.Anelectroncanalso"
fall"
fromtheconductionbandintothevalenceband.Inthisprocesscalled"
recombination“bothafreeelectronandafreeholearelost.Morecomplexgeneration/recombinationprocessescanoccuraswell,inwhichpermittedenergystateswithinthebandgapareinvolved.
带隙的宽度在半导体足够小,以便电子从价带“跳”进导带和参考。
此外,电子也可以从传导或价带“跳”进坐落在带隙的允许能级。
这些层面引起的微量杂质元素的存在或晶体的缺陷。
例如,如果一个电子从价带跳进导带,它在晶体中就会变得自由移动。
与此同时,一个自由的空穴在价带中创造,这是自由移动。
这样的一个活动被称为“载体对一代”,或者更简单地说,“世代”。
一个电子可以从导带“下落”到价带。
在这个过程叫做“复合”一个自由的电子和一次自由的空穴消失了。
在允许能量状态的带隙内参与的情况下,同样会更复杂的生成/重组过程发生。
1.3PNJunction
carrierinjection载体注入;
quantitativeadj.定量的;
量的,数量的;
amplificationn.[电子]放大(率);
扩大;
详述;
steadystate[物]定态;
恒稳态;
transientstate瞬态;
过渡状态;
qualitativeadj.定性的;
质的,性质上的;
biasn.偏见;
overwhelmvt.压倒;
受打击;
potentialbarrier[物]势垒;
[电子]位垒;
voltmetern.[电]伏特计,电压计
ThecontactpotentialappearingacrossWisabuilt-inpotential,inthatitisnecessarytothemaintenanceofequilibriumatthejunction;
itdoesnotimplyanyexternalpotential.
接触潜在的出现在W是一个内置的潜力,在于它对维持平衡的交汇处是必要的,它不含有任何外部的潜力。
However,wecouldpredictthelackofspatialvariationoftheFermilevelfromthermodynamicarguments.Anygradientinthequasi-Fermilevelimpliesanetcurrent.
然而,我们可以从热力学参数费米能级预测空间变异性的缺乏。
准费米能级的任何梯度蕴含着净电流。
Chapter2SemiconductorDevice
2.1BipolarJunctionTransistor
2.2TheMOSFET
2.3MicrowaveandPhotonicDevices
2.4Summary
endeavorn.vi.vt.努力;
尽力(等于endeavour)努力;
conceivevi.怀孕;
设想;
考虑vt.怀孕;
构思;
以为;
持有;
postulatingvt.假定;
要求;
视…为理所当然n.基本条件;
假定;
unfoldingn.演变;
[生化]伸展;
[生物物理]解折叠v.展开(unfold的ing形式);
Primen.初期;
adj.主要的;
最好的;
基本的vt.使准备好;
填装adv.极好地vi.作准备;
Primitiven.原始人adj.原始的,简单的,粗糙的;
artisticadj.艺术的;
风雅的;
有美感的;
supervisorn.监督人,管理人;
检查员;
instinctn.本能,直觉;
天性adj.充满着的;
analogn.模拟;
类似物adj.模拟的;
有长短针的;
analyticaladj.分析的;
解析的;
善于分析的;
genuineadj.真实的,真正的;
诚恳的;
adjectiven.形容词adj.形容词的;
从属的;
inferiorn.下级;
次品adj.差的;
自卑的;
下级的,下等的;
acronymn.首字母缩略词;
insofaras在…的范围内;
到…程度;
embodimentn.体现;
化身;
具体化;
proliferate.增殖;
扩散;
激增vt.使激增;
constantlyadv.不断地;
时常地;
complementaryadj.补足的,补充的;
dissipationn.浪费;
消散;
[物]损耗;
vehiclen.[车辆]车辆;
工具;
交通工具;
传播媒介
Hewasendeavoring,withsoundengineering
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