模电复习题Word格式.docx

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19.所谓放大器工作在闭环状态是指（）

A.考虑信号源内阻B.有反馈通路

C.接入负载D.信号源短路

20.负反馈放大电路的环路增益是指（）

A.

B.

C.1+

D.

21.如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）

A.反向导通B.反向截止

C.反向击穿D.反向饱和

22.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为（）

A.VC<

VB<

VEB.VC>

VB>

VE

C.VC<

VE<

VBD.VC>

VE>

VB

23.场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现________关系。

（）

A.指数B.平方

C.对数D.线性

24.某放大电路负载开路时，输出电压为4V，负载短路时，输出电流为10mA，则该电路的输出电阻为（）

A.200ΩB.300Ω

C.400ΩD.500Ω

25.某放大电路的增益A=100dB，若希望引入负反馈使其增益下降为Af=100倍，问反馈系数kf应选多少？

A.0.1B.0.01

C.0.001D.0.00999

浙江省2009年4月

一、填空题（本大题共10小题，每空1分，共10分）

1.当PN结外加正向电压时，耗尽层的宽度将_____。

2.在比例运算电路中，_____比例运算电路的闭环增益大于等于1。

3.理想集成运放的输出电阻为_____，因此具有很强的带负载能力。

4.晶体三极管的三种基本组态放大电路中，_____具有倒相作用。

5.负反馈放大电路的开环放大倍数为100，而闭环放大倍数为10，则该电路的反馈深度为______。

6.在差分放大电路中，常用_____来表示抑制共模信号的能力，希望它越大越好。

7.晶体三极管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结_____。

8.根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为_____和耗尽型。

9.反馈放大器是一个由基本放大器和_____构成的闭合环路。

10.在差分放大器中，已知Vi1=20mv，Vi2=10mv，则共模电压Vic=_____。

1.半导体二极管是温度的敏感器件，当温度升高时，参数IS和VD（on）的变化是（）

A.IS上升，VD（on）下降B.IS上升，VD（on）上升

C.IS下降，VD（on）下降D.IS下降，VD（on）上升

2.晶体管共集电极放大电路的信号是从（）

A.基极输入，集电极输出B.基极输入，发射极输出

C.发射极输入，集电极输出D.集电极输入，发射极输出

3.二极管的小信号模型是（）

A.B.

C.D.

4.放大器电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）

A.10KΩB.2KΩ

C.3KΩD.4KΩ

5.对放大电路，要求增大输入电阻，稳定输出电流，应选择（）

A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈

C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈

6.与工作在运算电路中的运放不同，电压比较器中的运放通常工作在（）

A.深度负反馈状态B.开环或正反馈状态

C.放大状态D.线性工作状态

7.典型差动放大电路的公共射极电阻REE，对_____抑制作用。

A.差模信号有B.共模信号有

C.差模与共模信号均有D.差模与共模信号均没有

8.同相输入的过零电压比较器的电压比较特性曲线是（）

A.B.

9.同相比例电路中引入的负反馈是（）

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈

10.负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则环路增益的表达式是（）

B.-Akf

C.AkfD.1+Akf

11.场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（）

A.饱和区B.非饱和区

12.对放大电路，闭环是指电路（）

A.考虑交流信号源内阻B.接入直流电源

C.存在反馈通路D.接入负载

13.当信号频率等于截止频率时，放大倍数的值约为中频放大倍数的_____倍。

A.0.1B.0.5

C.0.707D.0.9

14.判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为（）

A.方框图法B.瞬时极性法

C.短路法D.开路法

15.集成运算放大器实质上是一种（）

A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器

C.高增益的高频放大器D.高电压增益的直接耦合放大器

浙江省2009年7月

1.在P型半导体中，导电时以______为主。

2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于______。

3.晶体三极管工作在放大区时，IC=______IB。

4.晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和______结反向偏置。

5.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈______关系。

6.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为______电压。

7.三种晶体三极管基本组态放大电路中，______组态输入电阻最小。

8.已知某晶体三极管的高频参数fT、β，则共基截止频率fα约为______。

9.需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入______负反馈电路。

10.为充分提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻______。

1.半导体中的载流子是指（）

A.自由电子B.空穴

C.离子D.自由电子和空穴

2.稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在______状态。

A.反向截止B.反向击穿

C.正向导通D.零偏

3.测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA，而IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（）

A.80B.60

C.75D.100

4.晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应？

A.饱和区B.截止区

C.放大区D.击穿区

5.根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种______器件。

A.电压控制电压源B.电流控制电压源

C.电压控制电流源D.电流控制电流源

6.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道耗尽型MOS管

C.P沟道增强型MOS管D.N沟道增强型MOS管

7.共集电极放大电路的特点之一是（）

A.输入电阻高B.电压增益大

C.输入输出反相D.输出电阻高

8.集成运算放大器实质上是一种（）

A.交流放大器B.高增益的交流放大器

C.高增益的直接耦合放大器D.高增益的高频放大器

9.负反馈可以改善放大器的性能，问关于放大器下述哪种说法不正确？

A.减少放大器的增益B.改变输入电阻

C.改变输出电阻D.改善信号源的噪声系数

10.某放大电路的电压增益为40dB，而加入负反馈后变为6dB，它的反馈深度F为（）

A.30dBB.34dB

C.46dBD.50dB

11.温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VD（on）将（）

A.增大B.减小

C.不变D.未知

12.已知某晶体三极管的β=99，则该管的共基电流放大系数α为（）

A.1.00B.0.995

C.0.99D.0.985

13.当场效应管的VGS<

VGS（th）时，则该管工作在（）

A.饱和区B.非饱和区

C.击穿区D.截止区

14.要求晶体管工作在放大区，若是NPN晶体管，则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系？

A.VC>

VB

VED.VC<

15.反馈放大器工作在开环状态是指（）

A.考虑信号源作用B.接入反馈网络

C.断开反馈网络D.考虑负载作用

浙江省2010年4月

1.温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将______。

2.半导体有两种导电方式：

在外加电场作用下将形成______电流。

3.晶体三极管ICEO的中文含义是______。

4.晶体三极管工作在放大区时具有______作用。

5.MOS管作开关应用时，其工作状态应在截止区和______之间转换。

6.场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被______的工作区。

7.三种基本组态晶体管放大电路中，______组态输入电阻最低。

8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察v0和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则v0和vi的相位______。

9.某一放大电路，要使输出电压稳定，应引入______负反馈电路。

10.已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度F为______。

1.PN结击穿后，它的反向电流将（）

A.急剧减小B.减小

C.几乎不变D.急剧增大

2.PN结反向工作时，流过的电流主要是（）

C.传导电流D.扩散和漂移电流并存

3.工作在放大状态的某NPN晶体三极管，各电极电位关系为（）

4.以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（）

A.VBR（CEO）B.ICM

C.PCMD.β

5.场效应管工作在饱和区时具有______的转移特性。

A.线性B.指数律

C.平方律D.对数律

6.场效应管是一种（）

A.电压控制器件B.电流控制器件

C.双极型器件D.少子工作的器件

7.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）

A.10kΩB.2kΩ

C.4kΩD.3kΩ

8.设单级共射放大电路Avsm=100dB，fH=105Hz，当输入信号频率f=106Hz时，该电路的电压放大倍数约为（）

A.100dBB.90dB

C.80dBD.70dB

9.反馈放大电路的含义是（）

A.输出与输入之间有信号通路

B.电路中存在反向传输的信号通路

C.除放大电路以外还有信号通路

D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路

10.负反馈放大电路产生自激的条件是（）

（jωo）=1B.

（jωo）=-1

C.

（jωo）<

1D.

（jωo）>

1

11.在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）

A.本征半导体B.N型半导体

C.P型半导体D.杂质半导体

12.温度减少时，晶体三极管的______将增加。

A.VBE（on）B.β

C.ICBOD.ICEO

13.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是（）

A.VGS>

VGS（th）,VDS>

VGS-VGS（th）B.VGS>

VGS（th）,VDS<

VGS-VGS（th）

C.VGS<

VGS-VGS（th）D.VGS<

14.设计一只单级晶体管放大电路，要求输入电压和输出电压同相，输出电阻很低，应选择（）

A.共射放大B.共基放大

C.共集放大D.共源放大

15.直流负反馈的作用是（）

A.稳定直流工作点B.稳定电压放大倍数

C.稳定输出电流D.稳定输出电压

浙江省2010年7月

1.在N型半导体中，掺入_________价杂质元素。

2.半导体中有_________和空穴两种载流子。

3.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应_________。

4.PNP型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_________极电位最高。

5.N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越_________。

6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_________两种类型。

7.与共发、共集组态相比较，共基组态的输入电阻较_________。

8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_________两种。

9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流，应引入_________负反馈。

10.某一放大电路，其信号源内阻很大，应引入_________负反馈电路，才能使反馈更加有效。

1.当PN结外加正向电压时，阻挡层的宽度将（）

2.当PN结反向工作时，其结电容主要是（）

A.势垒电容B.扩散电容

C.平面电容D.势垒和扩散电容并存

3.晶体三极管工作在饱和区时，要求（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏

C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏

4.三极管的ICEO大，说明其（）

A.工作电流大B.击穿电压高

C.寿命长D.热稳定性差

5.结型场效应管的基本工作原理是（）

A.改变导电沟道中的载流子浓度B.改变导电沟道中的横截面积

C.改变导电沟道中的有效长度D.改变导电沟道中的体积

6.衡量场效应管控制能力的主要参数是（）

A.电流放大倍数B.电压放大倍数

C.跨导D.转移电阻

7.有两个放大电路Ⅰ和Ⅱ，其|Av|都为100，它们分别与具有相同内阻的电压源连接后，测得V01=4.85V,V02=4.95V，由此得知电路Ⅱ比Ⅰ好，因为它的（）

A.放大倍数大B.输入电阻高

C.输出电阻小D.频带宽

8.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的（）

A.和值B.差值

C.迭加D.平均值

9.已知某一放大器的A=100，现要求引入负反馈后，增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?

A.0.01B.0.05

C.0.09D.0.10

10.反馈量是指（）

A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号

B.反馈到输入回路的信号

C.前面两信号之比

D.前面两信号之差

11.稳压二极管正常工作时，它处在______状态。

A.截止B.击穿

C.导通D.不定

12.已知三极管的ICQ=1mA，则在常温下跨导gm为（）

A.19.2msB.38.5ms

C.77msD.154ms

13.已知场效应管的λ=0.01，IDQ=1mA，则rds为（）

A.10kΩB.50kΩ

C.100kΩD.200kΩ

14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点？

A.输入电阻很高B.电压增益约为1

C.输出电阻很低D.输入输出电压反相

15.某放大电路的增益为105，则折算成dB数为（）

A.60dBB.80dB

C.100dBD.120dB

浙江省2011年4月

1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在______状态。

2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V，VB=-2.2V，VC=-6V，则该管的管型是______。

3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是______。

4.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在非饱和区和______之间转换。

5.晶体管的高频参数fT是指β（ω）下降到______dB时所对应的频率。

6.集成运算放大器最大输出电压为±

Vom，若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是______。

7.在放大电路中，要稳定输出电压，应引入______负反馈。

8.在差分放大器中，已知Vi1=15mv，Vi2=10mv，则输入差模电压Vid=______。

9.理想集成运放的共模抑制比为______，因此具有很强的抑制共模信号的能力。

10.场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈______关系。

1.二极管的伏安方程是（）

A.iD=Is（

-1）B.iD=Is

C.iD=-IsD.iD=Is

2.晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

3.场效应管共漏极放大电路的信号是从（）

A.栅极输入，漏极输出B.源极输入，漏极输出

C.栅极输入，源极输出D.漏极输入，源极输出

4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换，应选用______实现。

A.同相比例电路B.反相比例电路

C.积分电路D.微分电路

5.当集成运放工作在线性放大状态时，可运用______两个重要的概念。

A.开环和闭环B.虚短和虚断

C.虚短和虚地D.线性和非线性

6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻，可采用______放大电路。

A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈

7.由运算放大器构成的电压比较器，抗干扰能力最强的是（）

A.单限电压比较器B.过零电压比较器

C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器

8.负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则闭环增益Af的表达式是（）

B.

9.设计一负反馈放大器，实现电压——电流的变换，应引入（）

10.放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是（）

A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在

C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理

11.放大器产生零点漂移的主要原因是（）

A.电压增益太大B.环境温度变化

C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式

12.由NPN管组成的单级共发射电路，当集电极电阻Rc增大时，工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是（）

A.ICQ增大、VCEQ增大B.ICQ增大、VCEQ减小

C.ICQ不变、VCEQ减小D.ICQ不变、VCEQ不变

13.随着温度的升高，晶体三极管的______将减小。

A.βB.VBE（on）

14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。

A.共集电极放大B.共发射极放大

C.差分放大D.共基极放大

15.设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择______电路。

浙江省2011年7月

1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。

2．稳压管是一种特殊的二极管，它一般工作在_______状态。

3．VA的大小可用来表示晶体三极管输出特性曲线的上翘程度，其值与_______宽度有关。

4．常温下，若晶极管的ICQ=2mA，则gm=_______。

5．场效应管按结构分为结型和_______两种类型。

6．N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与VGS有关，VGS越大，则等效电阻_______。

7．设置合适且稳定的静态工作点是保证放大器不出现_______失真的前提。

8．差动放大电路中，射极耦合电阻REE对共模信号_______。

9．串联负反馈只有在信号源内阻_______时，其反馈效果才显著。

10．负反馈放大电路中，要稳定输出电流，应引入_______负反馈。

1．P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的?

（　　　）

A.电子B.空穴

C.三价硼元素D.五价磷元素

2．当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿？

A.雪崩击穿B.齐纳击穿

C.热击穿D.碰撞击穿

3．衡量双极型三极管放大能力的参数是（　　　）

A.ICBOB.β

C.ICEOD.VBE（on）

4．三极管工作在饱和区，要求（　　　）

5．场效应管本质上是一个（　　　）

A.电流控制电流源器件B.电压控制电流源器件

C.电流控制电压源器件D.电压控制电压源器件

6．MOS场效应管的高频小信号电路模型，适合分析下列哪种情况？

A.输入信号很大B.输出信号很大

C.输入输出信号都很大D.输入输出信号都很小

7．差分放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益（　　　）

A.增加一倍B.为双端输入时的1/2

C.不变D.不确定