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(3)按结构分,有反射罩式、单条七段式及单片集成式。
(4)从各发光段电极连接方式分有共阳极和共阴极两种。
所谓共阳方式是指笔画显示器各段发光管的阳极(即P区)是公共的,而阴极互相隔离。
所谓共阴方式是笔画显示器各段发光管的阴极(即N区)是公共的,而阳极是互相隔离的。
如图13所示。
图13
(三)LED显示器的参数
由于LED显示器是以LED为基础的,所以它的光、电特性及极限参数意义大部分与发光二极管的相同。
但由于LED显示器内含多个发光二极管,所以需有如下特殊参数:
1.发光强度比
由于数码管各段在同样的驱动电压时,各段正向电流不相同,所以各段发光强度不同。
所有段的发光强度值中最大值与最小值之比为发光强度比。
比值可以在1.5~2.3间,最大不能超过2.5。
2.脉冲正向电流
若笔画显示器每段典型正向直流工作电流为IF,则在脉冲下,正向电流可以远大于IF。
脉冲占空比越小,脉冲正向电流可以越大。
(四)LED显示器的应用指南
1.七段数码显示器
(1)如果数码宇航局为共阳极形式,那么它的驱动级应为集电极开路(OC)结构,如图14(a)所示。
如果数码管为共阴极形式,它的驱动级应为射极输出或源极输出电路,如图14(b)所示。
例如国产TTL集成电路CT1049、CT4049为集电极开路形式七段字形译码驱动电路;
而CMOS集成电路CC4511为源极输出七段锁存、译码驱动电路。
(2)控制数码管驱动级的控制电路(也称驱动电路)有静态式和动态式两类。
①静态驱动:
静态驱动也称直流驱动。
静态驱动是指每个数码管各用一个笔画译码器(如BCD码二-十进制译码器)译码驱动。
图15是一位数码管的静态驱动之例。
图集成电路TC5002BP内含有射极输出驱动级,所以采用共阴极数码管。
A、B、C、D端为BCD码(二-十进制的8421码)输入端,BL为数码管熄灭及显示状态控制端,R为外接电阻。
图16为N位数字静态驱动显示电路。
②动态驱动:
动态驱动是将所有数码管使用一个专门的译码驱动器,使各位数码管逐个轮流受控显示,这就是动态驱动。
由于扫描速度极快。
显示效果与静态驱动相同。
图17是一种四位数字动态驱动(脉搏冲驱动)方法的线路。
图中只用了一个译码驱动电路TC5002BP。
图17
TC4508BP内含两个锁存器,每个锁存器可锁存四位二进BCD码,对应于四位十进制数的四组BCD码分别输入到四个锁存器,四个锁存器,四组BCD码由四个锁存器分时轮流输出进入译码器,译码后进入数码管驱动级集成电路TD62505P(输入端I1~I7与输出端Q1~Q7一一对应)。
Q1~Q7分别加到四个数码管的a~g七个阳极上。
数字驱动电路TD62003P是由达林顿构成的阵列电路,Q1~Q4中哪一端接地,由输入端I1~I4的四师长“使能”信号DS1~DS4控制。
由于四个锁存器的轮换输出也是受“使能”信号DS1~DS4控制。
所以四个数码管轮流通电显示。
由于轮流显示频率较高,故显示的数字不呈闪烁现象。
2.米字管、符号管显示器
米字管和符号管的结构原理相机,所以其驱动方式也基本相同,只是译码电路的译码过程与七段译码器不同。
米字管可以显示包括英文字母在内的多种符号。
符号管主要是用来显示+、-或±
号等。
3.LED点阵式显示器
LED点阵式显示器与由单个发光二极管连成的显示器相比,具有焊点少、连线少,所有亮点在同平面、亮度均匀、外形美观等优点。
点阵管根据其内部LED尺寸的大小、数量的多少及发光强度、颜色等可分为多种规格。
图18所示是具有代表性的P2057A和P2157A两种φ5高亮度橙红色5×
7点阵组件。
采用双列直插14脚封装,两种显示器的差别是LED极性不同,如图18所示。
该显示器用扫描驱动方式,选择较大峰值电流和窄脉冲作驱动源,每个LED的平均电流不应超过20mA。
LED点阵管可以代替数码管、符号管和米字管。
不仅可以显示数字,也可显示所有西文字母和符号。
如果将多块组合,可以构成大屏幕显示屏,用于汉字、图形、图表等等的显示。
被广泛用于机场、车站、码头、银行及许多公共场所的指示、说明、广告等场合。
图19是一个LED点阵显示器驱动电路之例。
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一)LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。
此外,在一定条件下,它还具有发光特性。
在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在*近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即
λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的单位为电子伏特(eV)。
若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
(二)LED的特性
1.极限参数的意义
(1)允许功耗Pm:
允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值,LED发热、损坏。
(2)最大正向直流电流IFm:
允许加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
(3)最大反向电压VRm:
所允许加的最大反向电压。
超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。
(4)工作环境topm:
发光二极管可正常工作的环境温度范围。
低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。
2.电参数的意义
(1)光谱分布和峰值波长:
某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。
由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。
(2)发光强度IV:
发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。
若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。
由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
(3)光谱半宽度Δλ:
它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.
(4)半值角θ1/2和视角:
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
半值角的2倍为视角(或称半功率角)。
图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。
中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。
显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。
由此图可以得到半值角或视角值。
(5)正向工作电流If:
它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。
在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·
IFm以下。
(6)正向工作电压VF:
参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。
一般是在IF=20mA时测得的。
发光二极管正向工作电压VF在1.4~3V。
在外界温度升高时,VF将下降。
(7)V-I特性:
发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。
在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。
当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。
由V-I曲线可以得出发光管的正向电压,反向电流及反向电压等参数。
正向的发光管反向漏电流IR<
10μA以下。
(三)LED的分类
1.按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿、标准绿和纯绿)、蓝光等。
另外,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。
根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。
散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2.按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。
圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。
国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;
把φ5mm的记作T-1(3/4);
把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。
由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。
从发光强度角分布图来分有三类:
(1)高指向性。
一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。
半值角为5°
~20°
或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或与光检出器联用以组成自动检测系统。
(2)标准型。
通常作指示灯用,其半值角为20°
~45°
。
(3)散射型。
这是视角较大的指示灯,半值角为45°
~90°
或更大,散射剂的量较大。
3.按发光二极管的结构分
按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4.按发光强度和工作电流分
按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED(发光强度<
10mcd);
超高亮度的LED(发光强度>
100mcd);
把发光强度在10~100mcd间的叫高亮度发光二极管。
一般LED的工作电流在十几mA至几十mA,而低电流LED的工作电流在2mA以下(亮度与普通发光管相同)。
除上述分类方法外,还有按芯片材料分类及按功能分类的方法。
(四)LED的应用
由于发光二极管的颜色、尺寸、形状、发光强度及透明情况等不同,所以使用发光二极管时应根据实际需要进行恰当选择。
由于发光二极管具有最大正向电流IFm、最大反向电压VRm的限制,使用时,应保证不超过此值。
为安全起见,实际电流IF应在0.6IFm以下;
应让可能出现的反向电压VR<
0。
6VRm。
LED被广泛用于种电子仪器和电子设备中,可作为电源指示灯、电平指示或微光源之用。
红外发光管常被用于电视机、录像机等的遥控器中。
(1)利用高亮度或超高亮度发光二极管制作微型手电的电路如图5所示。
图中电阻R限流电阻,其值应保证电源电压最高时应使LED的电流小于最大允许电流IFm。
(2)图6(a)、(b)、(c)分别为直流电源、整流电源及交流电源指示电路。
图(a)中的电阻≈(E-VF)/IF;
图(b)中的R≈(1.4Vi-VF)/IF;
图(c)中的R≈Vi/IF
式中,Vi——交流电压有效值。
(3)单LED电平指示电路。
在放大器、振荡器或脉冲数字电路的输出端,可用LED表示输出信号是否正常,如图7所示。
R为限流电阻。
只有当输出电压大于LED的阈值电压时,LED才可能发光。
(4)单LED可充作低压稳压管用。
由于LED正向导通后,电流随电压变化非常快,具有普通稳压管稳压特性。
发光二极管的稳定电压在1.4~3V间,应根据需要进行选择VF,如图8所示。
(5)电平表。
目前,在音响设备中大量使用LED电平表。
它是利用多只发光管指示输出信号电平的,即发光的LED数目不同,则表示输出电平的变化。
图9是由5只发光二极管构成的电平表。
当输入信号电平很低时,全不发光。
输入信号电平增大时,首先LED1亮,再增大LED2亮……。
(五)发光二极管的检测
1.普通发光二极管的检测
(1)用万用表检测。
利用具有×
10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。
正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。
如果正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则易损坏。
这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×
10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。
如果有两块指针万用表(最好同型号)可以较好地检查发光二极管的发光情况。
用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。
余下的“-”笔接被测发光管的正极(P区),余下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。
两块万用表均置×
10Ω挡。
正常情况下,接通后就能正常发光。
若亮度很低,甚至不发光,可将两块万用表均拨至×
1Ω若,若仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极管性能不良或损坏。
应注意,不能一开始测量就将两块万用表置于×
1Ω,以免电流过大,损坏发光二极管。
(2)外接电源测量。
用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测量发光二极管的光、电特性。
为此可按图10所示连接电路即可。
如果测得VF在1.4~3V之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。
如果测得VF=0或VF≈3V,且不发光,说明发光管已坏。
2.红外发光二极管的检测
由于红外发光二极管,它发射1~3μm的红外光,人眼看不到。
通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW,不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。
红外LED的正向压降一般为1.3~2.5V。
正是由于其发射的红外光人眼看不见,所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常,而无法判定其发光情况正常否。
为此,最好准备一只光敏器件(如2CR、2DR型硅光电池)作接收器。
用万用表测光电池两端电压的变化情况。
来判断红外LED加上适当正向电流后是否发射红外光。
其测量电路如图11所示。
半导体发光二极管(LED)是在半导体p-n结或类似的结构中通以正向电流,以高效率发出可见光或红外辐射的器件。
由于它发射准单色光、尺寸小、寿命长和廉价,因此被广泛用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领域。
一、发光二极管的发光机理
1.p-n结电子注入发光
图1、图2表示p-n结未知电压是构成一定的势垒;
当加正向偏置时势垒下降,p区和n区的多数载流子向对方扩散。
由于电子迁移率μ比空穴迁移率大得多,出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。
这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到的能量以光能的形式释放。
这就是P-N结发光的原理。
发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙Eg。
如Eg的单位为电子伏(eV), Eg=hv/q=hc/(λq) λ=hc/(qEg)=1240/Eg
(nm)
半导体可分为置接带隙和间接带隙两种,发光二极管大都采用直接带隙材料,这样可使电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光,有很高的效率。
反之,采用间接带隙材料,其效率就低一些。
下表列举了常用半导体材料及其发射的光波波长等参数。
3.异质结注入发光 为了提高载流子注入效率,可以采用异质结。
图4表示未加偏置时的异质结能级图,对电子和空穴具有不同高度的势垒。
图5表示加正向偏置后,这两个势垒均减小。
但空垒的势垒小得多,而且空穴不断从P区向n区扩散,得到高的注入效率。
N区的电子注入P区的速率却较小。
这样n区的电子就越迁到价带与注入的空穴复合,而发射出由n型半导体能隙所决定的辐射。
由于p取得能隙大,光辐射无法把点自己发到导带,因此不发生光的吸收,从而可直接透射处发光二极管外,减少了光能的损失。
发光二极管与半导体二极管同样加正向电压,但效果不同。
发光二极管把注入的载流子转变成光子,辐射出光。
一般半导体二极管注入的载流子构成正向电流。
应严格加以区别。
二、发光二极管的特性
1.
效率 发光二极管的效率可以用电光源的常用术语来表征,即对红外光采用辐射效率ηe,对可见光则用发光效率ηl.但是也有用内量子效率ηqi和外量子效率ηqe来表征的;
ηqi=NT/G 公式中NT为辐射复合产生光子的效率,G为注入的电子空穴对书。
这样ηqi等于注入每个电子空穴对在半导体内所发生的光子数,最高可接近100%。
ηqe=NT/G 公式中,NT为从发光二极管输出光子的效率。
这样qei等于注入每个电子空穴对所产生的输出器件外的有效光子数,一般只有0.01----13%。
发射红外的ηqe可达15%,而绿光ηqe,下降到1%以下。
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使外量子效率显著下降的主要原因是半导体本身的吸收,是光从半导体射入空气时的反射损失和全反射损失造成的。
例如GaAs的折射率n=3.6,反射损失为32%,用图6所示结构的全反射损失为96%,出射的光只有百分之几。
采用图7的结构,全反射损失大为减少。
目前常用透明树脂替代图7的球型部分,以降低成本。
2.光的光谱分布 对大多数半导体材料来说,由于折射率较大,在光逸出半导体之前,往往以经过多次反射,由于短波光比长波光易于吸收,所以峰值波长所对应的光子能量比带隙Eg小些。
例如,GaAs发射的峰值波长所对应的光子能量为1.1eV,比室温下的带隙Eg小0.3eV。
改变GaAs1-xPx中的x值,峰值波长在620---680nm范围内变化。
谱线半宽度为200-300A。
由此可知,发光二极管提供的是半宽度很大的单色光。
由于半导体的能隙温度的上升而减小,因此它所发射的峰波长随温度的上升而增长,温度系数约为2-3A/°
C。
3.发光强度分布 一种在GaP基片上生成GaAsP的发光二极管的发光分布温度如图8所示,谱线宽度为400A,发射的角度宽度约为22°
,500μW/sr。
总之,发光二极管的幅通量是集中在一定角度内发射出去的。
4.光出射度 图9表明几种半导体P-N结发射的光出射度与输入电流的关系。
可见,GaAs1-xPx和Ga1-xAlxAs,半导体发光管具有良好的线性,其他两种则相当差。
图10表明发光二极管输出的光通量强烈地依赖环境温度,使用时必须加以考虑。
5.响应时间 发光二极管的响应时间是标志反应速度的一个重要参数,尤其在脉冲驱动或电调制时显得非常重要。
响应时间是指注入电流后发光二极管启亮(上升)和熄灭(衰减)的时间。
发光二极管的上升时间随着电流的增大近似的成指数地衰减。
直接跃迁的材料如(GaAs1-xPx)的响应时间仅几个ns,而间接跃迁材料(如GaP)的响应时间则是100ns。
发光二极管可利用交流供电或脉冲供电获得调制光或脉冲光,调制频率可高达几十兆赫。
这种直接调制技术使发光二极管在相位测距仪、能见度仪及短距离通讯中得到应用。
发光二极管的寿命一般很长,电流密度小于1A/cm2的情况下,寿命可达1000000小时,即可连续点燃一百多年。
这是任何光源均无法与它竞争的。
发光二极管的亮度随着工作时间的加长而衰退,这就是老化。
老化的快慢与电流密度j和老化时间常数r有关。
目前限于工艺水平,发光二极管发射的幅通量(功率)只有微瓦、毫瓦级,几十毫瓦的已很少见。
随着大功率器件的出现,其应用的领域将会日益扩大。
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