反向器电路Word文档格式.docx
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7.6mW/℃
494mW
N
1150mW
9.2mW/℃
598mW
electricalcharacteristics,电气特性(除非另有说明)TA=25℃(unlessotherwisenoted)
PARAMETER参数
测试图
TESTCONDITIONS测试条件
ULN2001A
ULN2002A
单位
最小
典型
最大
最小
典型
-
VI(on)
On-stateinputvoltage输入电压
6
VCE=2V,IC=300mA
13
V
VCE(sat)
Collector-emittersaturationvoltage集电极-发射极饱和电压
5
II=250μA,IC=100mA
0.9
1.1
V
II=350μA,IC=200mA
1
1.3
II=500μA,IC=350mA
1.2
1.6
VF
Clampforwardvoltage正向钳位电压
8
IF=350mA
1.7
2
ICEX
Collectorcutoffcurrent集电极截止电流
VCE=50V,II=0
50
μA
2
VCE=50V,TA=70℃
II=0
100
VI=6V
500
II(off)
Offstateinputcurrent关闭状态下输入电流
3
VCE=50V,TA=70℃IC=500μA,
65
μA
II
Inputcurrent输入电流
4
VI=17V
0.82
1.25
mA
IR
Clampreversecurrent反向钳位电流
7
VR=50V,TA=70℃
100
VR=50V
hFE
Staticforward-currenttransferratio静态正向电流传输比
VCE=2V,IC=350mA
1000
Ci
Inputcapacitance输入电容
VI=0,f=1MHz
11.45IRClampreversecurrent反向钳位电流77VR=50V--50--50μAVR=50V,TA=70℃--100--100CiInputcapacitance输入电容-VI=0,f=1MHz-1525
1525pF
ULQ2003A
ULQ2004A
单位
Onstateinputvoltage输入电压
VCE=2V
IC=125mA
5
IC=200mA
2.7
6
IC=250mA
2.9
IC=275mA
IC=300mA
3
IC=350mA
8
ittCollector-emittersaturationvoltage集电极发射极饱和电压
II=250μA,IC=100mA
1.1
II=350μA,IC=200mA
1
II=500μA,IC=350mA
1.6
Collectorcutoffcurrent集电极截止电流
50
22
VCE=50V
II=0
100
VI=1V
VF
IF=350mA
II(off)
Offstateinputcurrent关闭状态下输入电流
VCE=50V,IC=500μA
30
65
Inputcurrent输入电流
VI=3.85V
0.93
1.35
mA
VI=5V
0.35
0.5
VI=12V
1.45
VR=50VTA=25℃
VR=50V
Inputcapacitance输入电容
VI=0,f=1MHz
15
25
25
pF
switchingcharacteristics,开关特性TA=25℃
TESTCONDITIONS测试条件
ULN2001A,ULN2002A,ULN2003A,ULN2004A
tPLH
Propagationdelaytime,low-tohigh-leveloutput传播延迟时间,从低到高输出
SeeFigure9
0.25
μs
tPHL
Propagationdelaytime,high-tolow-leveloutput传播延迟时间,从高到低输出
VOH
High-leveloutputvoltageafterswitching输出高电平电压
VS=50V,IO≈300mA,SeeFigure10
VS–20
mV
switchingcharacteristicsoverrecommendedoperatingconditions(unlessotherwisenoted)开关特性的建议运行条件(除非另有说明)
PARAMETER参数838电子
TESTCONDITIONS测试条件
ULQ2003A,ULQ2004A
最大
Propagationdelaytime,low-tohigh-leveloutput传播延迟时间,从低到高输出
10
VS–500
图一ULN2001A内部电路图
图二ULN2002A内部电路图
图三ULN2003AULN2004AULQ2003AULQ2004A内部电路图
图1
ICEX测试电路
图2
ICEX测试电路
图3
图4ICEX测试电路
图5
hFE,VCE(sat)测试电路
图6VI(on)测试电路
图四参数测量信息
应用电路:
图五MOS管加载到输入端
图六
TTL电路到输入端
图七冲区高电流负载
图八
使用上拉电阻提高驱动电流
图九实际应用的UL2003电路图
absolutemaximumratingsat=25℃free-airtemperature(unlessotherwisenoted)†绝对最大额定值at=25℃
Collector-emittervoltage集电极-发射极电压
50V
Clampdiodereversevoltage钳位二极管的反向电压(见注1)
Inputvoltage,VI(seeNote1)输入电压
30V
Peakcollectorcurrent(seeFigures14and15)峰值集电极电流
500mA
Outputclampcurrent,IOK.输出钳位电流
500mA
Totalemitter-terminalcurrent共发射极端子电流
–2.5A
Continuoustotalpowerdissipation.连续总功耗
SeeDissipationRatingTable
Packagethermalimpedance,θJA封装热阻(seeNote2):
Dpackage
73℃/W
Npackage
67℃/W
NSpackage
64℃/W
Operatingfree-airtemperaturerange,TA自由空气的温度范围内
ULN200xA
–20℃to70℃
ULQ200xA
–40℃to85℃
Leadtemperature1.6mm(1/16inch)fromcasefor10seconds
260℃
Storagetemperaturerange,Tstg储存温度范围
–65℃to150℃
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- 关 键 词:
- 反向 电路
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