IRFP460中文资料.docx

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IRFP460中文资料

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功率场效应管

1、动态dV/dt额定值

2、额定重复性雪崩

3、中央隔离安装孔

4、快速切换

5、易于并联

6、简单的驱动要求

特性：

1、Vishay公司提供的具有最佳坚固耐用、快速切换特性的第三代场效应管，低导通电阻和成本效益的最佳组合。

2、TO-247封装是工业和商业应用首选的具有更高功率水平的设备，不需要使用TO-220。

该TO-247的绝缘安装孔与TO-218封装相似但又优于TO-218，它还提供引脚tomeet的最安全规范的要求之间更大的爬电距离。

注释：

a、重复性评估；最大结温值下的有限脉冲宽度（见图11）；

b、VDD=50V,开始温度TJ=25°C,L=4.3mH,RG=25Ω,

12）；

c、ISD≤20A,dI/dt≤160A/μs,VDD≤VDS,TJ≤150°C.；d、根据情况选1.6mm.

IAS（=见2图0

SPECIFICATIONSTj=25°C.unlessotherwisenoted

PARAMETER

SYMBOL

TESTCONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Static

Drait-SourceBreakdownVoltage

VDS

VGS=CV.ID=250pA

500

•

V

Vqs*emperatureCoefficient

驱山

Referenceto25°C,lo=1mA

■

0.63

•

V/°C

Gate-SourceThresholdVoltage

Vg蒯

VDS=VGS,lD=250pA

2.0

4.0

V

Gate-SourceLeakage

■gss

Vgs=±20V

±100

nA

ZeroGateVohageDrainCurrent

hss

Vds=5MV,Vgs=0V

■

25

UA

VDs=400V,YG8=0ViTj=125<>C

■

250

Drair-SourceOn-StateResistance

RdS（oo）

Vqs=10V

l0=12Ab

0.27

Q

ForwardTranscooductance

VDS=50V,lD=12Ab

13

•

S

Dynamic

InputCapacitance

Gss

VGS=0V,

Vds=25V.

f=1.0MHz,seefig.5

4200

pF

OutpjtCapacitance

Cess

870

■

ReverseTransferCapacitance

Crss

350

■

TotalGateCharge

Qg

VGS=10V

|d=20A,Vds=400V

seefig.6and136

210

nC

Gate-SourceCharge

Qe

■

29

Gale-DrainCharge

Qgd

110

Turn-OnDelayTime

3（on）

VDo=250VJo=20At

Rg=4.3Q.RD=13Q.seefig.10b

18

ns

RiseTime

59

Turn-OffDelayTime

tcL

110

■

FalTime

tf

58

■

InternalDramInductance

Ld

Betweenlead.\

6mm（0.251）from/LI

packageandcenterofJI闻diecontact

5.0

nH

InternalSourceInductance

Ls

13

■

Drain-SourceBodyDiodeCharacteristics

ContinuousSource-DrainDiodeCurrent

•s

MOSFETsymbol

showingthe/Ml

integralreverse4J!

1E/

p•njunctiondiode飞之

■

■

20

A

PulsedDiodeForwardCurrent8

Ism

■

80

BodyDiodeVoltage

VsD

Tj=25oC,l5=20A,VGs=0Vb

■

■

1.8

V

BodyDiodeReverseRecoveryTime

Tj«25°CtlF-20A,d/dt«100A/ps^

570

860

ns

BodyDiodeReverseRecoveryCharge

Qrr

■

5.7

8.6

pc

ForwardTurn-OnTime

Intrinsicturn-ontimeisnegligible（turn-onisdominatedbyL$andL“

注释：

a、重复性评估；最大结温值下的有限脉冲宽度（见图11）；

b、脉冲宽度≤300μs;dutycycle≤2%.

在没有特殊说明的情况下典型温度为25°C

Top

4.5V

Vgs15V10V8.0V7.0V

6.0V

5.5V5.0VBottom4.5V

o

<）catnou-soo-

20psPulseWidth

10°—

10°

9123702

VDS,Drain-to-SourceVoltage（V）

Fig.2・TypicalOutputCharacteristics,Tc=150°C

9123704TJtJunctionTemperature（°C）

Fig.4・NormalizedOn・Resistancevs.Temperature

10000

VDSfDrain-to-SourceVoltage（V）

o2

5・TypicalCapacitancevs.Drain-to・SourceVoltage

101

0.60.81.01.21.41.61.82.0

9123707VSD1Source-to-DrainVoltage（V）

Fig.7-TypicalSource-DrainDiodeForwardVoltage

（>26$一0>30」nos・oT£eo・so>

I。

=

20A

Vc

>s=z

100V

\

V

—J

>50V

）S4

vc

）S=1

00V

、

艺

/

/

estcfigure

rcuit*

13

L

see

0

80

120

160

Qg,TotalGateCharge（nC）

20161284

200

«123706

Fig.6・TypicalGateChargevs.Gate-to-SourceVoltage

IH

103

9123708

ms

M

0ms

OperationinthisarealimitedbyRg（or0

ds，Drain-to-SourceVoltage（V）

10

<）c①tnou<占・0_

Fig.8•MaximumSafeOperatingArea

2

a10ps

尹

1100ns

a

■■-Tc=25°C「=150°C..SiacloPulao

25

20

0

255075100125150

9123709

TClCaseTemperature（°C）

Fig.9•MaximumDrainCurrentvs.CaseTemperature

10^

心

23

10?

tvnoctangularPuImDuration（S）

105

12

6a

1

（OTMKr〉asuodsacr石uneuj.

10

Fig.11a-MaximumEffectiveTransientThermalImpcdanco.Junction-to-Case

Fig.12b・UnclampedInductiveWaveforms

9123712cStartingTj.JunctionTemperature（°C）

Fig.12c•MaximumAvalancheEnergyvs.DrainCurrent

Fig.13a・BasicGateChargeWaveform

Currentsamplingresistors

Fig.13b・GateChargeTestCircuit

PeakDiodeRecoverydV/dtTestCircuit

Circuitlayoutconsiderations

•Lowstrayinductance

•Groundplare

•Lowleakageinductancecurrenttransformer

Fig・14・ForN-Channel