68英寸硅抛光片扩产项目Word下载.docx
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6-8英寸硅抛光片扩产项目
环评类型:
环境影响报告表
评价单位:
宁波市环境保护科学研究设计院(公章)
6-8英寸硅抛光片扩产项目
环境影响报告表
项目编号:
20060117
项目负责人:
蔡锡明
评价人员情况
姓名
从事专业
职称
上岗证号
职责
签名
蔡锡明
环境工程
高工
环评岗证字第A20040026号
填表
赵永才
环评岗证字第A20040018号
审核
建设项目基本情况
法人代表
联系人
乐永幸
通讯地址
86881150
传真
86881152
邮编
315800
建设地点
立项审批部门
宁波市发改委
批准文号
甬发改备[2005]58号
建设性质
新建改扩建√技改
行业类别及代码
C41
占地面积
22368.82㎡
绿化面积
8276㎡
总投资
35000(万元)
其中:
环保投资
230万元
环保投资占总投资比例
0.65%
评价经费
万元
预期投产日期
2006年1月
工程内容及规模
1、项目背景
宁波立立电子股份有限公司(以下简称“立立电子”)系由浙江大学半导体学科相关的技术和管理人员共同组建的股份制企业,于2000年6月21日在宁波保税区注册成立。
五年来,通过贯彻“立信、立德、务实、创新”的理念,遵循着“追求纯净完美,满足顾客期望”的宗旨,致力于重掺系列硅单晶锭、硅抛光片、外延片及复合半导体材料的研制。
公司在技术上以浙江大学硅材料科学国家重点实验室、浙江大学半导体材料研究所为依托。
并拥有一批高素质的技术骨干,在全部512名员工中,本科以上学历有114人,其中高级职称20人,博士5人,硕士40人。
公司拥有十多项核心技术发明专利,独创了酸腐蚀工艺、有蜡贴片工艺、多层外延片工艺。
公司占地面积5万平方米,均按国际一流的生产要求设计,专用厂房最高净化级别为0.1μm10级。
公司相继通过了瑞士SGS公司的ISO9001:
2000和QS9000:
1998质量体系认证,目前正在推行TS16949/ISO14000的认证工作。
公司是国家“863”计划成果产业化基地,国家级重点高新技术企业,设有企业博士后流动站。
目前,立立电子已成为中国唯一拥有硅单晶锭、抛光片、外延片、芯片制造的完整产业链的企业。
拥有三家控股子公司宁波立立半导体有限公司、杭州立昂电子有限公司和杭州立立科技实业有限公司。
立立电子从成立之初的年销售不过500万元、资产总额3000万元,经过近五年来的发展成为注册资本金达7108万元,股东权益2.16亿元,资产总额5.81亿元,年销售达3.7亿元的公司规模,成为全国七家年产值超亿元的硅材料生产企业之一。
目前是国内已建成的最大的4-6英寸重掺砷、磷、锑、硼单晶锭,硅抛光片、外延片的生产基地,生产能力年产单晶锭120吨、抛光片300万片、外延片30万片。
产品已提供给国内外一批晶圆厂商,如上海先进、上海新进、上海贝岭、杭州士兰、无锡华晶、美国Fairchild、美国IR、美国TI、日本NEC。
并与国际著名的ST公司和美国ONSEMI公司建立了良好的战略合作伙伴关系,市场可以得到保障。
在战略远景规划上,公司将通过多种筹资渠道募集资金等来解决发展问题,拟在未来的三年中投入5-7亿元人民币技术改造资金,进一步提高重掺单晶硅锭产量和硅外延片生产规模,提高公司在集成电路行业内的核心竞争力,建立中国最大的具有国际影响力的年产300吨4-8英寸重掺单晶硅锭和420万片4-8英寸重掺系列硅抛光片、140万片4-8英寸重掺系列硅外延片和30万片6英寸功率芯片的生产基地,分别位列全球市场规模的前列,使公司年销售规模达到8-10亿元,成为全球半导体材料行业排名前十位的知名供应厂商。
力争在经过的20-30年的努力成长为全球半导体材料一流的制造商。
根据我国半导体集成电路市场和半导体材料市场发展需要,宁波立立电子股份有限公司在公司现有厂房和完善的检测设备及处理系统的基础上,扩大6-8英寸硅抛光片的生产,根据《中华人民共和国环境影响评价法》和《建设项目环境保护管理条例》,为了切实做好环保工作,宁波立立电子股份有限公司委托宁波市环境保护科学研究设计院对该本项目进行环境影响评价工作。
2、生产内容及规模
根据项目可行性报告,本项目主要进行硅抛光片的生产,项目建成后公司将新增月产25万片6-8英寸硅抛光片;
产品可用于生产MOS、双极型集成电路及集成电路外延衬底片等。
与本项目有关的原有污染情况及主要环境问题
本项目相关企业主要有宁波立立半导体有限公司和宁波立立电子股份有限公司,上述二企业所有公用工程设施为共用,根据硅外延片生产工艺,硅外延片的生产一般可分三步:
第一步是单晶硅晶锭的生产,是利用单晶炉将半导体级多晶硅在最高温度达1700℃的热场中熔化,然后通过籽晶生长在用户所需的直径和电学参数的单晶硅锭;
第二步是将硅锭进行切、磨、抛加工,转化成抛光片;
第三步在抛光片基础上,在特定的气相反应炉内在硅片的正表面生长一层簿膜加工成外延片。
其生产工艺流程分工如下:
根据生产分工情况,其二个企业目前主要包括已建工程、在建研发项目、公用工程概况及三废排放情况如下:
一、已建工程概况
1、宁波立立半导体有限公司生产及污染情况
(1)企业概况
宁波立立半导体有限公司成立于1998年,主要从事单晶硅片的加工生产,由宁波立立电子股份有限公司全资控股。
其年生产能力为单晶硅抛光片300万片,注册资本5000万元,职工定员175人。
(2)生产工艺
其生产工艺及排污位置如下:
(3)主要设备
其主要生产设备如下:
序号
名称
数量
单位
1
27英寸切片机
31
台
6
硅片干燥机
8
2
16英寸切片机
5
7
自动硅片热处理炉
3
磨片机
12
高纯水设备30t/h
套
4
倒角机
15
高纯水设备12t/h
硅片清洗机
22
9
压缩空气系统20m3/h
(4)主要原材料消耗
主要原材料消耗量如下:
用量
单晶硅
100t/a
行星片
500片/a
27英寸内园刀片
100片/a
冷却液
40t/a
16英寸内园刀片
2000片/a
研磨液
10t/a
倒角砂轮
120片/a
硅片包装盒
20000个/a
研磨砂
根据现有企业实际情况,其生产用水45t/d,纯水用量146t/d。
(5)三废排放情况
①废水:
根据生产工艺调查,生产过程废水产生情况为:
切割废水产生量6t/d,其废水水质:
COD150mg/l,SS1000mg/l,PH7.2;
研磨废水产生量153t/d,其废水水质:
COD610mg/l,SS1000mg/l,PH8.3;
酸碱废水产生量20t/d,其废水水质:
COD250mg/l,SS100mg/l,PH5.0~11;
清洗废水产生量10t/d,其废水水质:
COD210mg/l,SS100mg/l,PH6~10;
目前厂内进行清污分流,对生产废水排入废水处理站处理达标后排放。
②废气:
废气主要为腐化工序产生的酸性废气,其主要成份为HF、HNO3,其废气排放量主要通过引风机,采用水洗吸收塔吸收处理后通过排气筒排放。
现有5套废气处理装置,其每套处理风量为989.5m3/h,其总废气排放量为4947.5m3/h。
废气经处理后正常运行情况下可以达到GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》。
2、宁波立立电子股份公司生产及污染情况
宁波立立电子股份有限公司系股份制企业,主要股东是浙江大学半导体学科的专家和技术骨干,公司成立于2000年6月,主要经营范围为硅单晶锭、硅单晶抛光片及外延片的制造及销售。
注册资本金7108万元,总占地面积90亩。
建筑面积20937m2,职工定员165人,公司是目前国内已建成最大的4-6英寸重掺砷、磷、硼、锑单晶锭、4-6英寸硅外延片生产基地;
生产厂房面积30000m2,其中净化面积3300m2,最高净化级别0.1μm10级,厂房按国际一流的生产要求设计,一期工程于2000年10月正式投产,二期工程用于硅晶体生长于2001年3月投入试生产,三期外延厂房于2003年12月竣工。
①单晶硅晶锭生产工艺
单晶硅晶锭生产工艺及排污位置如下图:
②硅外延片生产工艺
硅外延片生产工艺及排污位置如下图:
(3)主要生产设备
①单晶硅晶锭生产主要生产设备如下:
单晶炉
14
检测仪器
真空泵
18
冷却塔
组
割断机
高纯水设备20t/h
滚圆机
清洗机
②硅外延片生产主要设备
型号
外延炉
PE2061S
4PP测试仪
C-V测试仪
SRP测试仪
SSM-2000
甩干机
FTIP测试仪
10
外延炉尾气处理系统
LTV测试仪
颗粒度测试仪
ADECR81e
①单晶硅晶锭生产主要原材料消耗如下:
多晶硅
48t/a
盐酸
1.2t/a
硝酸
2.4t/a
氢氧化钠
氢氟酸
0.3t/a
其用水量为20t/d,其中:
工艺用水70t/d;
冷却水补充300t/d;
生活用水及其它用水30t/d。
②硅外延片生产主要原料消耗如下:
年用量
来源
抛光片
32
万片
宁波立立半导体
石墨基座
只
德国SGL
石英钟罩
意大利LPE
三氯氢硅
200
kg
美国PRAXAIR,香港特气公司
17460
600
2700
HCl
175
美国PRP
PH3
B2H6
11
N2
78840
宁波MESSER阳光公司
包装袋
13500
根据现有企业实际情况,其生产用水8t/d,纯水用量1t/d。
(5)三废处理及排放情况
①废气
酸性废气:
清洗机、化腐机使用氢氟酸、硝酸,由于酸的挥发及与硅的反应产生的酸性废气,其生产过程中集中在密闭槽子内进行,通过引风机引入废气洗涤吸收塔进行处理,其废气排放量为2968.5m3/h。
外延炉废气:
硅片在外延过程中将产生含氯化氢及浓度极低(ppm级)PH3、B2H6的废气,根据可行性研究报告,本项目将采用意大利CIR公司进口的专用外延炉尾气处理塔进行处理。
②废水
切割、滚园研磨废水:
切割机、滚园研磨机在对硅片切割、研磨过程中,需采用纯水进行冲洗,将产生含微量硅屑的研磨切割废水,废水量6m3/d。
酸碱废水:
坩锅清洗过程中将产生含硝酸、氢氟酸、氢氧化钠的酸碱废水,废水排放量为1t/d。
含HF、HNO3酸废液:
含HF、HNO3酸废液主要来自坩锅清洗工序,其产生量为0.1t/d,该废液将排入新建回收槽由HF供应单位回收处理。
3噪声
噪声主要来自于生产设备(包括纯水制作设备)运行产生的噪声,产生的噪声在50~80dB之间;
公用动力设备运行产生的噪声,包括空压机房、真空机、水泵等,产生的噪声在60~85dB之间;
废水、废气处理设备运行产生的噪声,产生的噪声在50~85dB之间。
冷却水塔运行时产生的噪声,产生的噪声在60~85dB之间。
4固体废物
根据本项目生产工艺,其固体废物产生情况如下:
生产工序中使用的石墨基座废料,其主要成份为废石墨等,年产生量为30t/a;
二、在建研发工程概况
2004年根据发改办高技[2004]1196号《国家发展改革委办公厅关于开展2004年信息产业企业技术进步和产业升级专项可行性研究的通知》精神,宁波立立电子有限公司和宁波立立半导体有限公司分别在公司现有超净厂房和完善的检测设备及处理系统的基础上,将从国外引进先进的线切割机等机器设备,并与浙江大学硅材料国家重点实验室合作,再结合公司已有的技术成果和多年的产业化成功经验,经宁波市环境保护局审批建设8英寸抛光硅片技术改造和8-12英寸硅外延片生产的二个研发项目,目前上述二个项目正在建设之中,预计2006年底进行试生产,为了明确企业现有情况,本评价对在建项目说明如下:
1、8英寸抛光硅片技术改造研发项目
(1)项目概况
该项目总投资6542万元,主要进行8英寸抛光硅片的生产,项目建成后公司将生产8英寸抛光硅片10万片/年。
该项目主要从事抛光硅片的生产,主要将单晶硅锭在专用设备上进行切片、磨片、抛光加工生产,加工成抛光硅片,控制其几何尺寸和表面质量,使之能满足外延片生产的要求。
其生产工艺流程及排污情况如下:
(3)主要新增设备
根据生产要求,其主要新增生产设备如下表:
线切割机
E400-E12
瑞士HTC
抛光机
SPEEDFAM-59
日本SPEEDFAM
24B-5L
WGM-W4200B
日本ACCRETECH
干燥机
GENEX
日本SET
超声清洗机
SST-200
日本SES
检测设备:
(1)表面颗粒测试仪
CR82
美国ADE
(2)厚度分选仪
ADE7200
(3)厚度分选仪
ADE7000
(4)主要原辅材料及用量
主要原辅材料及用量见下表。
8000
宁波立立电子公司
1800
片
南昌威金、美国NIFEC
美国UCC、山东嘉详碳素厂
100
美国MICRABRASIVE
美国RODEL
t
美国RODEL-NALCO
抛光液
50
1200
盐酸(MOS纯)
15000
升
江苏江阴润玛、北京化试
NH4OH(MOS纯)
20000
加仑
H2O2(MOS纯)
13
氢氟酸(MOS纯)
1850
硝酸(分析纯)
1120
80000
美国EMPAK
16
高纯气体Ar
150
上海宝普
17
高纯气体N2
400
本项目主要在现有生产车间内进行重新布局和增添相应的8英寸生产设备,其污染源分析如下:
本项目腐化工序在现有生产车间通风柜内进行,各通风柜均配置相应的引风机、废气水洗吸收塔,从腐化工序所用原料来看,其废气主要为腐化工序产生的酸性/碱性废气,其主要成份为HF、HNO3、NaOH等,目前,其废气排放量主要通过引风机,采用水洗吸收塔吸收处理后通过排气筒排放。
废气经处理后在正常运行情况下可以达到GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》二级标准。
本项目建成投产后,其新增工艺废水如下:
抛光废水产生量3t/d,其废水水质:
化腐、清洗废水产生量3t/d,其废水水质:
COD210mg/l,SS100mg/l,PH4~10;
③噪声
噪声主要来自于生产设备运行产生的噪声,其噪声源强如下:
切片机80dB、研磨机75dB、清洗机77dB、热处理机62dB、空压机80dB、纯水制备70~80dB之间;
④固体废物
化学腐蚀过程产生的腐化废液,其主要成份为HNO3、HF等,年产生量为1.5t/a;
污水处理站混凝沉淀后产生污泥,根据废水中SS浓度,确定其污泥排放量为12t/a。
2、8-12英寸硅外延片生产研发项目概况
该项目总投资19435万元,主要进行硅外延片的生产,项目建成后公司将生产8英寸硅外延片24万片/年((折合6英寸P型/N型单层/多层硅外延片42.7万片/年);
同时开发12英寸硅外延片,形成小批量生产能力。
本项目主要涉及第三步生产工艺,硅外延片生产工艺流程及排污情况如下:
根据生产要求,其主要生产设备如下表:
HT2000
HT3000
495CN
激光打标机
8NR20
备注
8英寸衬底片
24
立立电子提供
三氯氢硅气体
147
盐酸(试剂级)
瓶
(500ml/瓶)
氨水(试剂级)
双氧水(试剂级)
85
130
59000
m3
洁净包装袋
10000
0#柴油
2128
定额用量266kg/h
本项目主要为增设外延炉及其相关检测设备,其污染源分析如下:
酸、碱性废气:
酸、碱性废气主要来自外延片钟罩机架清洗工序,清洗工序主要使用盐酸、氨水、过氧化氢,由于盐酸、氨气的挥发产生的酸、碱性废气,其生产过程中集中在密闭槽子内进行,通过引风机引入废气洗涤吸收塔进行处理,其废气排放量为1000m3/h。
②生产废水
酸、碱废水:
外延片清洗机使用盐酸、氨水、双氧水清洗硅片,清洗废水含有一定的盐酸、氨水及废气吸收废水,废水排放量为0.5t/d。
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- 68 英寸 抛光 片扩产 项目