浅谈光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术Word文件下载.docx
- 文档编号:16537660
- 上传时间:2022-11-24
- 格式:DOCX
- 页数:7
- 大小:17.86KB
浅谈光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术Word文件下载.docx
《浅谈光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术Word文件下载.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《浅谈光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术Word文件下载.docx(7页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
(一)形成性考核
通过形成性考核一方面可以加强对地方电大教师教学过程的引导、指导和管理,优质的完成教学任务,实现教学目标;
另一方面可以加强对学生平时自主学习过程的指导和监督,重在对学生自主学习过程进行的指导和检测,引导学生按照教学要求和学习计划完成学习任务,达到掌握知识、提高能力的目标,提高学生的综合素质。
第一部分形考说明
设计4次测验题,占课程综合成绩的50%。
形式:
4次测试题,题型有单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题。
注:
每次形考任务按百分制进行成绩评定。
操作:
所有形成性考核试题均由国家开放大学统一编制。
第二部分形考内容
序号
章节
内容
形式
发布
时间
最迟提交时间
权重
1
第一章
第二章
硅单晶常规电学参数的物理测试
化学腐蚀法检测晶体缺陷
单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题
第3周
第4周
30%
2
第三章
第四章
半导体晶体定向
红外吸收法测定硅单晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的检验
第6周
第7周
3
第五章
第六章
纯水的检测
高纯分析方法
第9周
第10周
20%
4
第七章
其他物理检测仪器简介
第12周
第13周
第一次考核目的与要求
学习完第一章、第二章之后完成本测试(100分)。
题型:
单项选择题、多项选择题,判断题,配伍题。
样题:
1.单项选择题(每小题2分)
(
)是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。
A.冷热探笔法
B.三探针法
C.单探针点接触整流法
D.冷探笔法
答案:
A
2.多项选择题(每小题3分)
国内外导电类型测量的具体方法主要有(
)。
A.冷热探笔法B.三探针法C.单探针点接触整流法D.冷探笔法
ABCD
3.判断题(每小题2分)
位错是半导体中最主要的缺陷,它属于线缺陷。
√
4.配伍题(每小题3分)
将下列缺陷一一对应。
(1)空位
A.点缺陷
(2)位错
B.线缺陷
(3)层错
C.面缺陷
(1)-A、
(2)-B、(3)-C
目的:
考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度,并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。
帮助学生找出学习的薄弱环节,明确努力的方向,帮助教师了解学生的学习效果,根据学生的需求不断调整教学策略,提高教学效果。
要求:
1.认真研读教材第一、二章内容,理清各知识点之间的联系和主要脉络。
2.认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。
解题思路:
1.冷热探笔法测试硅单晶导电类型以及测试原理和操作步骤;
四探针法测试硅单晶电阻率的原理及操作步骤;
2.硅单晶导电类型、多数载流子、少数载流子、非平衡少数载流子寿命等参数的概念;
3.硅单晶电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂;
硅单晶中缺陷的腐蚀;
测试方法及步骤;
4.影响硅单晶电化学腐蚀速度的各种因素。
第二次考核目的与要求
学习完教材第三章、第四章以后完成本测试(100分)。
1.认真研读教材第三、四章内容,理清各知识点之间的联系和主要脉络。
1.硅单晶晶体取向的表示方法;
光图定向法的原理及操作;
2.影响光图定向法及X光定向法的各种因素;
X光的性质与产生;
3.红外吸收法测定硅单晶中氧碳含量的原理及操作步骤;
多晶硅中基硼、基磷含量的检测原理、步骤及计算;
4.红外吸收法测定硅单晶中氧、碳含量的测准因素。
第三次考核目的与要求
学习完教材第五章、第六章以后完成本测验(100分)。
1.认真研读教材第五章、第六章的内容,理清各知识点之间的联系和主要脉络。
2.认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题
1.离子交换法制高纯水的全部工艺操作及步骤;
高纯水的测试;
2.离子交换法制备高纯水的原理;
3.三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定;
三氯氢硅中硼的分析;
4.露点法测定气体中的水分。
第四次考核目的与要求
学习完教材第六篇、第七章内容后完成本测试(100分)。
1.认真研读教材第六章、第七章内容。
1.三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定;
2.三氯氢硅中磷的气相色谱测定;
气相色谱法测定干法氢的组分;
3.露点法测定气体中的水分;
氯化氢中水分的测定;
4.X射线形貌技术;
质谱分析;
中子活化分析;
电子显微镜。
(二)终结性考试
主要目的:
主要考核学生对光伏(硅)材料检测技术的基本理论、基本知识、基本概念、基本技能的理解与把握。
第一部分考核说明
比重:
占课程综合成绩的50%,按百分制计算。
单项选择题、多项选择题,配伍题、简答题。
采用网络终考考试系统考试,国家开放大学统一编制试题,地方广播电视大学组织考试。
时间:
60分钟
第二部分考核内容
一、单项选择题(在各题的备选答案中,只有1项是正确的,请将正确答案的序号,填写在题中的括号内。
每小题2分,共20分)
1.(
A.冷热探笔法
二、多项选择题(本题共30分,每小题3分,多选、少选、错选均不得分)
1.国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有(
A)冷热探笔法B)三探针法C)单探针点接触整流法D)冷探笔法
2.构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有(
A)被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差
B)具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触
C)半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中
D)电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的
1.ABCD
2.ABCD
三、配伍题(本题共20分,每小题2分)
1.将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。
(1)冷热探笔法
A.10-4~104Ω?
cm
(2)整流法
B.1~1000Ω?
(3)两探针法
C.1000Ω?
cm以下
(1)-C、
(2)-B、(3)-A
四、简答题(简要回答下列各题,每小题10分,共30分)
1.用冷热探笔法测量P型半导体时,为什么冷端带正电,热端带负电?
答:
对于P型半导体,空穴扩散流的方向是从热端到冷端,电场的方向是从冷端指向热端,冷端带正电,热端带负电。
五、考试手段
形成性考核运用“形成性考核测评系统”。
终结性考试运用网络终考考试系统进行。
考试方式:
开卷。
考试时间:
及格条件:
双及格
六、考试日期
另行通知。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 浅谈 检测 分析 替代 教材 材料 技术