光伏电池材料第四次形考任务国开内蒙古参考资料Word下载.docx

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H

第5题pecvd主要利用的是（）区域。

A.阳极辉光

B.法拉第暗区

C.正离子柱区

D.阴极辉光

正离子柱区

第6题以下太阳电池成本（单位：

美元/w）最低的是（）。

A.非晶硅薄膜

B.多晶硅

C.微晶硅薄膜

D.铜铟镓硒

非晶硅薄膜

第7题a-si指（）。

A.微晶硅

B.非晶硅

C.单晶硅

D.多晶硅

非晶硅

第8题锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。

A.3.2eV

B.2.2eV

C.2.8eV

D.3.0eV

3.2eV

第9题非晶硅的沉积温度为（）。

A.1000～1400℃

B.100～300℃

C.900～1300℃

D.500～700℃

100～300℃

第10题pecvd所使用的主要原料是（）。

A.SiH4

B.SiHCl3

C.SiO2

D.Si

SiH4

第11题非晶硅的禁带宽度为（）。

A.2.12eV

B.1.12eV

C.1.6eV

D.1.5eV，并且在一定程度上可调

1.5eV，并且在一定程度上可调

第12题非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。

A.102℃/s

B.103℃/s

C.105℃/s

D.104℃/s

105℃/s

第13题非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。

A.10%

B.5%

C.20%

D.15%

10%

第14题非晶硅的pin结构的p部分是采用（）形成的。

A.SiH4加BH3

B.PH3加BH3

C.SiH4加B2H6

D.SiH4加PH3

SiH4加B2H6

第15题铟储量最多的国家是（）。

A.日本

B.俄罗斯

C.美国

D.中国

中国

第16题二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。

A.都差不多

B.金红石

C.板钛矿

D.锐钛矿

锐钛矿

第17题

通常有机半导体中的导电电子是指（）。

A.离域Σ电子

B.离域π电子

C.Σ电子

D.π电子

离域π电子

第18题非晶硅薄膜的厚度约为（）。

A.数十微米

B.数十毫米

C.数百纳米

D.数百微米

数百纳米

第19题

大π键说法正确的是（）。

A.三键包含一个π键

B.有机分子中肯定有

C.苯环上6个碳原子各有1个未参加杂化的2p轨道，它们垂直于环的平面，并从侧面相互重叠而形成一个闭合的π键。

D.双键包含一个π键

苯环上6个碳原子各有1个未参加杂化的2p轨道，它们垂直于环的平面，并从侧面相互重叠而形成一个闭合的π键。

第20题关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。

A.最大限度的与电解质紧密接触

B.晶粒越大越好

C.尽可能多的吸附染料

D.高的比表面积和大量的孔隙

晶粒越大越好

第21题非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（）。

A.易于形成大规模生产能力以及大面积化生产

B.材料和制造工艺成本低

C.易实现柔性电池

D.具有S-W效应

材料和制造工艺成本低,易于形成大规模生产能力以及大面积化生产,易实现柔性电池

第22题关于d/a界面说法正确的是（）。

A.类似于无机太阳电池中的PN结

B.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差

C.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料

D.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料

类似于无机太阳电池中的PN结,D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差

第23题非晶硅太阳电池成本低原因在于（）。

A.廉价的衬底材料

B.非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度

C.制备是在低温下进行

D.可柔性化

廉价的衬底材料,制备是在低温下进行,非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度

第24题有机半导体薄膜成膜技术包括（）。

A.真空热蒸发沉积

B.丝网印刷技术

C.旋转涂层法

D.有机气相沉积法

旋转涂层法,真空热蒸发沉积,有机气相沉积法,丝网印刷技术

第25题有机太阳电池的层状三明治叠层结构包括（）。

A.负电极

B.有机半导体薄膜层

C.透明衬底

D.正电极

负电极,透明衬底,正电极,有机半导体薄膜层

第26题可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。

A.ZnO

B.SnO2

C.TiO2

D.Al2O3

TiO2,ZnO,SnO2

第27题非晶硅晶化制备多晶硅薄膜的途径有（）。

A.快速热处理晶化

B.激光热处理晶化

C.固相晶化

D.金属诱导固相晶化

固相晶化,金属诱导固相晶化,激光热处理晶化,快速热处理晶化

第28题旋涂成膜存在的问题有（）。

A.溶剂残留

B.挥发性

C.薄膜的均匀性难以保证

D.溶解性

溶解性,挥发性,溶剂残留,薄膜的均匀性难以保证

第29题常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。

A.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

B.将多晶硅片切薄

C.对多晶硅片进行热处理

D.非晶硅晶化制备

利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜,非晶硅晶化制备

第30题有机太阳电池产生电流的流程（）。

A.电子空穴分离

B.吸收光子

C.运输到D/A界面处

D.产生激子

吸收光子,产生激子,电子空穴分离,运输到D/A界面处

第31题铜铟镓硒薄膜的制备方法有（）。

A.后硒化

B.印刷法

C.电沉积

D.多元分步蒸发

后硒化,多元分步蒸发,印刷法,电沉积

第32题染料敏化太阳电池优点有（）。

A.可制得柔性器件

B.较低的成本

C.很好的装饰功能

D.简单的制备工艺

较低的成本,简单的制备工艺,可制得柔性器件,很好的装饰功能

第33题化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。

A.等离子增强化学气相沉积

B.热丝化学气相沉积制备多晶硅

C.低压化学气相沉积制备多晶硅

D.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜

等离子增强化学气相沉积,低压化学气相沉积制备多晶硅,热丝化学气相沉积制备多晶硅

第34题辉光放电系统中的i-v特性曲线可分为（）阶段。

A.电弧放电

B.正常放电

C.汤森放电

D.异常放电

汤森放电,正常放电,异常放电,电弧放电

第35题有机太阳电池基本的结构模型有（）。

A.PIN结构

B.单层混合膜异质结结构

C.双层异质结结构

D.单层同异质结结构

单层同异质结结构,双层异质结结构,单层混合膜异质结结构

第36题二氧化钛的晶体结构有（）。

A.锐钛矿

B.板钛矿

C.金刚石

D.金红石

金红石,锐钛矿,板钛矿

第37题关于光致衰减效应说法正确的是（）。

A.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低

B.在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态

C.简称S-W效应

D.铸造多晶硅没有光致衰减

简称S-W效应,在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低,在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态,铸造多晶硅没有光致衰减

第38题非晶硅太阳电池的多品种和多用途在于（）。

A.色彩鲜艳

B.厚度低

C.只要改变原材料的气相成分或者气体流量，便可使非晶硅薄膜改性

D.根据器件功率、输出电压和输出电流的要求，可以自由设计制造

只要改变原材料的气相成分或者气体流量，便可使非晶硅薄膜改性

第39题染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。

A.电解质

B.多孔纳米晶薄膜

C.染料敏化剂

D.对电极

多孔纳米晶薄膜,染料敏化剂,电解质,对电极

第40题对多晶硅薄膜的研究重点目前主要有（）。

A.热处理温度的选择

B.掺杂气体的选择

C.如何在廉价的衬底上，能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜

D.制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料

如何在廉价的衬底上，能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜,制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料

第41题非晶硅材料与晶体材料不同之处在于它的原子结构排列不是长程有序。

对

错

“错”。

第42题随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从1.5ev可以增加到1.8ev。

“对”。

第43题一般而言，衬度温度在200～300℃，功率在300～500w/m2时，比较适宜制备非晶硅。

第44题晶体硅太阳电池和非晶硅太阳电池都可以做成柔性太阳电池。

第45题铜铟镓硒具有高达6*10cm-l的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最低值。

第46题碲的材料供应可能会成为碲化镉薄膜太阳电池的材料瓶颈。

第47题非晶硅是间接带隙结构。

第48题在合适的热处理条件下，非晶硅可以转化为多晶硅、微晶硅和纳米硅。

第49题非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。

第50题晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构，而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。

第51题用于制备多孔纳米晶薄膜的二氧化钛具体指锐钛矿相二氧化钛。

第52题高纯硅原料价格增加，对薄膜太阳电池的成本影响不大。

第53题非晶硅太阳电池中也存在晶体硅太阳电池中一样的pn节结构。

第54题在150～200℃热处理，可以使得因为s-w效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。

第55题有机太阳电池中电离电势（ip）较小的材料被称为电子施主（donor，简称d型材料），相当于无机半导体中的p型材料。

第56题pecvd技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。

第57题单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性

第58题非晶硅的结构决定了它的物理性质也是具有各向同性的。

第59题酞菁类化合物是典型的d型有机半导体。

第60题苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和a型材料，在450到600nm波段内具有较强的吸收，在光照条件下稳定性好，成本低。

第61题参考答案是：

当前答案是:

将太阳电池与其禁带宽度一一对应。

（1）非晶硅一一[A.1.5eV]

（2）铜铟镓硒一一[B.1.04eV]

（3）碲化镉一一[C.1.45eV]

第62题参考答案是：

将PECVD是充入气体与形成的半导体类型一一对应。

（1）SiH4一一[A.本征]

（2）SiH4加PH3一一[B.n型]

（3）SiH4加B2H6一一[C.p型]

第63题参考答案是：

将以下太阳电池与其特点一一对应。

（1）非晶硅一一[B.PECVD]

（2）多孔纳米晶一一[C.锐钛矿]

（3）铜铟镓硒一一[A.吸收系数的最值]

第64题参考答案是：

将有机半导体薄膜制备方法与描述一一对应。

（1）旋转涂层法一一[C.所采用的主要设备为匀胶机]

（2）有机气相沉积法一一[B.可得到有机材料和金属电极材料良好接触的界面，减少界面处的截流子流过的损耗，提高了转换效率]

（3）丝网印刷技术一一[A.是有机太阳电池具有低成本和高生产率的主要原因]

第65题参考答案是：

将有机小分子化合物与描述一一对应。

（1）酞菁类化合物一一[A.耐热性非常好，在400℃以下比较稳定]

（2）苝衍生物一一[C.既具有很高的化学稳定性和耐有机溶剂性，又具有很强的刚性]

（3）并五苯一一[B.最大的不足之处在于比较脆]

第66题参考答案是：

将太阳电池与转换效率一一对应。

（1）单晶硅太阳电池一一[B.25]

（2）非晶硅薄膜太阳电池一一[C.9.5]

（3）有机太阳电池一一[A.5.15]

第67题参考答案是：

将化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应。

（1）等离子增强化学气相沉积一一[C.采用卤硅化合物（如SiF4）或者是硅烷和卤硅化合物的混合气体]

（2）低压化学气相沉积一一[B.内部含有高密度的微孪晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大]

（3）热丝化学气相沉积一一[A.薄膜生长速率高，薄膜结构均匀，一致性高，载流子迁移率高]

第68题参考答案是：

非晶硅晶化制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应

（1）固相晶化一一[C.会引进金属杂质，这些金属对半导体硅的电学性能也将产生致命影响]

（2）激光晶化一一[B.设备复杂、生产成本高，难以实现大规模工业应用]

（3）快速热处理晶化一一[A.晶粒尺寸严重影响了多晶硅的性能]

第69题参考答案是：

（1）有机半导体薄膜一一[A.的层状三明治叠层结构]

（2）染料敏化太阳电池一一[C.良好装饰效果]

（3）多晶硅薄膜一一[B.无光致衰减，低成本、制备简单和可以大面积制备]

第70题参考答案是：

（1）晶体硅一一[C.块体]

（2）非晶硅薄膜一一[A.很明显的光致衰减]

（3）碲化镉一一[B.与蓄电池共有同种金属元素]