物质结构 期中测试Word格式.docx
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迄今为止,人们对它的结构尚不清楚,只知道“N5”实际上是带正电荷的分子碎片,其结构是对称的,5个N排成V形。
如果5个N结合后都达到8电子结构,且含有2个N≡N键。
则“N5”分子碎片所带电荷是。
3.Q、R、X、Y、Z五种元素的原子序数依次递增。
已知:
①Z的原子序数为29,其余的均为短周期主族元素;
②Y原子价电子(外围电子)排布msnmpn;
③R原子核外L层电子数为奇数;
④Q、X原子p轨道的电子数分别为2和4。
请回答下列问题:
(1)Z2+的核外电子排布式是。
(2)在[Z(NH3)4]2+中,Z2+的空轨道接受NH3分子提供的形成配位键。
(3)Q与Y形成的最简单气态氢化物分别为甲、乙,下列判断正确的是。
a.稳定性:
甲>
乙,沸点:
乙
b.稳定性:
甲<
c.稳定性:
d.稳定性:
(4)Q、R、Y三种元素的第一电离能数值由小到大的顺序为
(用元素符号作答)。
(5)Q的一种氢化物相对分子质量为26,其中分子中的σ键与π键的键数之比为。
(6)五种元素中,电负性最大与最小的两种非金属元素形成的晶体属于。
4.硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业的基础。
(1)基态Si原子中,电子占据的最高能层符号为,该能层具有的原子轨道数为、电子数为。
(2)硅主要以硅酸盐、等化合物的形式存在于地壳中。
(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体,其中原子与原子之间以相结合,其晶胞中共有8个原子,其中在面心位置贡献个原子。
(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应来制备。
工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4,该反应的化学方程式为。
(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示,简要分析和解释下列有关事实:
化学键
C—C
C—H
C—O
Si—Si
Si—H
Si—O
键能/(kJ•mol-1
356
413
336
226
318
452
①硅与碳同族,也有系列氢化物,但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多,原因是。
②SiH4的稳定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是。
(6)在硅酸盐中,SiO4-4四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。
图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根,其中Si原子的杂化形式为,Si与O的原子数之比为,化学式为。
5.前四周期原子序数依次增大的元素A,B,C,D中,A和B的价电子层中未成对电子均只有1个,平且A-和B+的电子相差为8;
与B位于同一周期的C和D,它们价电子层中的未成对电子数分别为4和2,且原子序数相差为2。
回答下列问题:
(1)D2+的价层电子排布图为_______。
(2)四种元素中第一电离最小的是________,电负性最大的是________。
(填元素符号)
(3)A、B和D三种元素责成的一个化合物的晶胞如图所示。
①该化合物的化学式为_________________;
D的配位数为___________;
②列式计算该晶体的密度_______g·
cm-3。
(4)A-、B+和C3+三种离子组成的化合物B3CA6,其中化学键的类型有_____________;
该化合物中存在一个复杂离子,该离子的化学式为_______________,配位体是____________。
6.卤族元素包括F、Cl、Br等。
⑴下列曲线表示卤族元素某种性质随核电荷数的变化趋势,正确的是。
⑵利用“卤化硼法”可合成含B和N两种元素的功能陶瓷,右图为其晶胞结构示意图,则每个晶胞中含有B原子的个数为,该功能陶瓷的化学式为。
⑶BCl3和NCl3中心原子的杂化方式分别为和。
第一电离能介于B、N之间的第二周期元素有种。
⑷若BCl3与XYn通过B原子与X原子间的配位键结合形成配合物,则该配合物中提供孤对电子的原子是。
7.“物质结构与性质”模块(10分)
(1)N、AI、Si、Zn四种元素中,有一种元素的电离能数据如下:
(2)则该元素是__①___(填写元素符号)。
Zn原子的电子排布式是__②__。
Ce的最高价氯化物分子式是___③___。
该元素可能的性质或应用有__④___。
A.是一种活泼的金属元素
B.其电负性大于硫
C.其单质可作为半导体材料
D.其最高价氯化物的沸点低于其溴化物的沸点
(3)关于化合物
,下列叙述正确的有⑤。
A.分子间可形成氢键
B.分子中既有极性键又有非极性键
C.分子中有7个
键和1个
键
D.该分子在水中的溶解度大于2-丁烯
(4)NaF的熔点⑥
的熔点(填>
、<
或=),其原因是⑦
8.
(1)依据第2周期元素第一电离能的变化规律,参照右图B、F元素的位置,用小黑点标出C、N、O三种元素的相对位置。
(2)NF3可由NH3和F2在Cu催化剂存在下反应直接得到:
4NH3+3F2
NF3+3NH4F
①上述化学方程式中的5种物质所属的晶体类型有_________(填序号)。
a.离子晶体b.分子晶体c.原子晶体d.金属晶体
②基态铜原子的核外电子排布式为________。
(3)BF3与一定量水形成(H2O)2·
BF3晶体Q,Q在一定条件下可转化为R:
①晶体Q中各种微粒间的作用力不涉及___________(填序号)。
a.离子键b.共价键c.配位键d.金属键e.氢键f.范德华力
②R中阳离子的空间构型为_______,阴离子的中心原子轨道采用_______杂化。
(4)已知苯酚(
)具有弱酸性,其Ka=1.1×
10-10;
水杨酸第一级电离形成的离子
能形成分子内氢键。
据此判断,相同温度下电离平衡常数Ka2(水杨酸)_______Ka(苯酚)(填“>
”或“<
”),其原因是__________。
9.铜在我国有色金属材料的消费中仅次于铝,广泛地应用于电气、机械制造、国防等领域。
(1)铜原子基态电子排布式为;
(2)用晶体的x射线衍射法可以测得阿伏加德罗常数。
对金属铜的测定得到以下结果:
晶胞为面心立方最密堆积,边长为361pm。
又知铜的密度为9.00g·
cm-3,则铜晶胞的体积是
cm3、晶胞的质量是g,阿伏加德罗常数为(列式计算,己知Ar(Cu)=63.6);
(3)氯和钾与不同价态的铜可生成两种化合物,这两种化合物都可用于催化乙炔聚合,其阴离子均为无限长链结构(如下图),a位置上Cl原子的杂化轨道类型为。
已知其中一种化合物的化学式为KCuCl3,另一种的化学式为;
(4)金属铜单独与氨水或单独与过氧化氢都不能反应,但可与氨水和过氧化氢的混合溶液反应,其原因是,反应的化学方应程式为。
10.一项科学研究成果表明,铜锰氧化物(CuMn2O4)能在常温下催化氧化空气中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。
(1)向一定物质的量浓度的Cu(NO3)2和Mn(NO3)2溶液中加入Na2CO3溶液,所得沉淀经高温灼烧,可制得CuMn2O4。
①Mn2+基态的电子排布式可表示为。
②NO3-的空间构型是(用文字描述)。
(2)在铜锰氧化物的催化下,CO被氧化为CO2,HCHO被氧化为CO2和H2O。
①根据等电子体原理,CO分子的结构式为。
②H2O分子中O原子轨道的杂化类型为。
③1molCO2中含有的σ键数目为。
(3)向CuSO4溶液中加入过量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-。
不考虑空间构型,[Cu(OH)4]2-的结构可用示意图表示为。
11.VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离
子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为;
(3)Se原子序数为,其核外M层电子的排布式为;
(4)H2Se的酸性比H2S(填“强”或“弱”)。
气态SeO3分子的立体构型
为,SO32-离子的立体构型为;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7xl0-3和2.5xl0-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,
K2为1.2X10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:
;
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因:
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。
立方ZnS晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0pm.密度为(列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为pm(列示表示)
12.图表法、图像法是常用的科学研究方法。
Ⅰ.图(A)是短周期某主族元素X的电离能所示情况。
则X元素位于周期表的第 族。
图B是研究部分元素的氢化物的沸点变化规律的图像,折线c可以表达出第 族元素氢化物的沸点的变化规律。
Ⅱ.下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分别代表一种化学元素。
试回答下列问题:
(1)请写出元素o的外围电子排布式:
。
(2)由j原子跟c原子以1∶1相互交替结合而形成的晶体,晶型与晶体j相同。
两者相比熔点更高的是
(填化学式),试从结构角度加以解释:
(3)i单质晶体中原子的堆积方式如下图甲所示,其晶胞特征如下图乙所示,原子之间相互位置关系的平面图如下图丙所示。
请回答:
晶胞中i原子的配位数为 ,一个晶胞中i原子的数目为 。
13.决定物质性质的重要因素是物质结构。
请回答下列问题。
(1)下图是石墨的结构,其晶体中存在的作用力有(填序号)
Aσ键;
Bπ键;
C氢键;
D配位键;
E分子间作用力;
F金属键;
G离子键
(2)下面关于晶体的说法不正确的是___________
A.晶体熔点由低到高:
CF4<
CCl4<
CBr4<
CI4
B.硬度由大到小:
金刚石>
碳化硅>
晶体硅
C.熔点由高到低:
Na>
Mg>
Al
D.晶格能由大到小:
NaF>
NaCl>
NaBr>
NaI
(3)CaF2结构如图Ⅰ所示,Cu形成晶体的结构如Ⅲ所示,Ⅱ为H3B
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