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美国工程索引(EI)
中国期刊全文数据库(CNKI)
XX
2.2选择检索词与检索年限
中文检索词
外文检索词
阈值电压模型
Thresholdvoltagemodel
P型金属氧化物半导体场效应管
pMOSFETorPMOSFETorp-MOSFETorP-MOSFET
锗硅沟道
SiGechannel
检索年限
2004~2013
3.检索步骤及检索结果
3.1.美国工程索引(EI)
3.1.1.检索式
Thre*voltagemodelwntiand(PMOSFETorpMSOFETorP-MOSFETorp-MOSFET)wnabandSiGechan*wnall
3.1.2.检索年限
2004-2013
3.1.3.检索结果
命中6条结果,经过筛选,选择其中1条如下:
Accessionnumber:
20083411474958
Title:
ThresholdvoltagemodelforstrainedSiGechannelPMOSFET
Authors:
Xu,Jingping;
Su,Shaobin;
Zou,Xiao
Authoraffiliation:
DepartmentofElectronicScienceandTechnology,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430074,China
Correspondingauthor:
Xu,J.(jpxu@)
Sourcetitle:
GutiDianzixueYanjiuYuJinzhan/ResearchandProgressofSolidStateElectronics
Abbreviatedsourcetitle:
GutiDianzixueYanjiuYuJinzhan
Volume:
28
Issue:
2
Issuedate:
June2008
Publicationyear:
2008
Pages:
180-184+234
Language:
Chinese
ISSN:
10003819
CODEN:
GDYJE2
Documenttype:
Journalarticle(JA)
Publisher:
ResearchProgressofSolidStateElectronics,P.O.Box1601,Nanjing,210016,China
Abstract:
The1-DthresholdvoltagemodelofstrainedSiGechannelPMOSFETisproposedfirst.Thenbasedonthe1-Dmodel,aquasi-2-Dthresholdvoltagemodelforshort-channeldevicesisbuiltbyconsideringthelateralelectricfieldinchannel.Thesimulationresultsmatchwellwith2-Dnumericalsimulatedresults.Usingthismodel,influencesofvariousstructureparametersonthresholdvoltageofthedevicesaresimulatedandanalyzed,andalsothresholdvoltageofdeviceswithoutSicaplayerisdiscussed.
Numberofreferences:
11
Mainheading:
Thresholdvoltage
Controlledterms:
Electricfield–Electromagneticfieldtheory–Electromagneticfields–MOSFETdevices–Semiconductinggermaniumcompounds–Silicon–siliconalloys
Classificationcode:
549.3NonferrousMetalsandAlloysexcludingAlkaliandAlkalineEarthmetals–701ElectricityandMagnetism–701.1Electricity:
BasicConceptsandPhenomena–712.1.2CompoundSemiconductingMaterials–714.2SemiconductorDevicesandIntegratedCircuits
Database:
Compendex
3.2.中国期刊全文数据库(CNKI)
3.2.1.检索式
SU=(’pMOSFET’+’PMOSFET’+’p-MOSFET’+’P-MOSFET’+’P型金属氧化物半导体场效应管’)*’阈值电压模型’andFT=(’SiGe沟道’+’锗硅沟道’)andPT=(2004+2005+2006+2007+2008+2009+2010+2011+2012+2013)
3.2.2.检索年限
3.2.3.检索结果
命中15条结果,经过筛选,选择其中1条如下:
【标题】SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型
【作者】邹晓;
徐静平;
李艳萍;
陈卫兵;
苏绍斌;
【机构】华中科技大学电子科学与技术系;
华中科技大学电子科学与技术系武汉430074江汉大学机电与建筑工程学院;
武汉;
430056;
武汉430074;
【摘要】通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸锗硅沟道pMOSFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。
模拟分析表明,当锗硅沟道长度小于200nm时,阈值电压受沟道长度、锗的摩尔分数、衬底掺杂浓度、沟道掺杂浓度、栅氧化层厚度等的影响较大。
对于大于500nm以上的沟道长度,可以忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。
【关键词】锗硅沟道;
金属氧化物半导体场效应管;
阈值电压;
短沟道效应
【文献出处】固体电子学研究与进展,2006年02期
【分类号】TN386
【被引频次】2
【下载频次】102
3.3.XX
3.3.1.检索式
SiGe沟道pMOSFET的阈值电压模型
3.3.2.检索年限
3.3.3.检索结果
命中76条结果,经过筛选,选择其中1条如下:
【标题】硅锗应变沟道pMOSFET器件中阈值电压的解析模型
【作者】周少华;
熊琦;
李锐敏;
【机构】湖南工程职业技术学院;
湖南长沙410015;
【摘要】在分析应变Si/应变Si1-yGey/弛豫Si1-xGexpMOSFET在栅极负偏压作用下,电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的应变SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行模拟,得到模拟结果与实验结果能够很好的吻合。
【关键词】SiGe;
PMOSFET器件;
解析模型
【分类号】TM8
【文章编号】1671-7597(2008)122008-01
Ⅱ.综述
Athreshold-voltagemodelofSiGe-channelpMOSFETwithoutSicaplayer
Abstract
AnanalyticalmodelonthethresholdvoltageofSiGe-channelpMOSFETwithhigh-kgatedielectricisdevelopedbysolvingthePoisson’sequation.Energy-bandoffsetinducedbySiGestrainedlayer,short-channeleffectanddrain-inducedbarrierloweringeffectaretakenintoaccountinthemodel.Toevaluatethevalidityofthemodel,simulatedresultsarecomparedwithexperimentaldata,andgoodagreementsareobtained.ThismodelcanbeusedforthedesignofSiGe-channelpMOSFET,thusdeterminingitsoptimalparameters.
Keywords:
Poisson’sequation;
threshold-voltagemodel;
SCE;
DIBL
1.Introduction
Asthecontinualscalingofcomplementarymetal–oxide–semiconductor(CMOS)SiMOSdeviceapproachesitsfundamentallimits,newchannelmaterials,suchasstrainedSi,strainedSiGealloy,Gesubstrateandsoon,areexploredtoimprovedeviceperformancebyenhancingcarriermobilityinthechannelregion[1].ForSiGeorGeMOSFETswithhigh-kgatedielectric,alargeamountofexperimentalworkhasbeendone,mainlyconcentratingondielectric/Si/SiGeordielectric/Si/Gestructures,namely,aSicaplayerexistsbetweengateoxideandchannel.ThisSicaplayertendstoactasaparasiticlow-mobilitychannel,andseparatesthegatefromtheSiGe-channel,thusdecreasingtransconductanceandgate-voltagecontrollability,andhinderingfurtherimprovementofdeviceperformances.Withd
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- 关 键 词:
- 信息 检索 课程 综述
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