国内外超净高纯氢氟酸需求分析讲解Word文档格式.docx
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(3)SEMI-C8标准(适用于0.2~0.6LmIC工艺技术的制作);
(4)SEMI-C12标准(适用于0.09~0.2LmIC工艺技术的制作)。
SEMI国际标准等级见表1。
表1SEMI国际标准等级
SEMI标准
C1(Grade1)
C7(Grade2)
C8(Grade3)
C12(Grade4)
(Grade5)
C11(VLSIGrade)
金属杂质
≤1ppm
≤10ppb
≤1ppb
≤0.1ppb
≤0.01ppb
≤50ppb
控制粒径/μm
≥1.0
≥0.5
≤0.2
/
颗粒,个/mL
≤25
≤5
≤250
适应范围
适用于>1.2μmIC技术的制作
适用于0.8-1.2μmIC技术的制作
适用于0.2-0.6μmIC技术的制作
适用于0.09-0.2μmIC技术的制作
适用于<0.09μmIC技术的制作
我国超净高纯试剂的研制起步于20世纪70年代中期,1980年由北京化学试剂研究所(以下简称试剂所)在国内率先研制成功适合中小规模集成电路5Lm技术用的22种MOS级试剂。
随着集成电路集成度的不断提高,对超净高纯试剂中的可溶性杂质和固体颗粒的控制越来越严,同时对生产环境、包装方式及包装材质等提出了更高的要求。
为了满足我国集成电路发展的需求,国家自“六五”开始至“八五”,将超净高纯试剂的研究开发列入了重点科技攻关计划,并由试剂所承担攻关任务。
试剂所已相继推出了BV-Ⅰ级、BV-Ⅱ级和BV-Ⅲ级超净高纯试剂,其中BV-Ⅲ级超净高纯试剂达到国际SEMI-C7标准的水平,适用于0.8~1.2Lm工艺技术(1~4M)的加工制作,并在“九五”末期形成了500t年的中试规模。
20世纪初试剂所又进行了用于0.2~0.6Lm工艺技术的BV-Ⅳ级超净高纯试剂的研究开发。
国内目前尚未有统一的行业制造标准,查阅到的国外标准有国际半导体协会标准:
SEMIC1.8-1990《氢氟酸标准》,SEMIC7.3-1990《二级氢氟酸标准》,SEMIC7.4-1990《49%二级氢氟酸标准》,往往根据这些标准进行修改采用。
因此,各企业产品质量存在很大差别,目前国内企业正在积极推动制定高纯工业品氢氟酸国家标准,根据电子行业用户的实际要求确定适宜的质量要求,推动企业技术创新,规范产品质量,指导企业生产和促进出口。
国内有的高纯试剂生产企业拥有自己的企业标准,其中,BV系列标准比较常见,该标准共分为七个等级。
如北京化学试剂用的就是BV系列标准,具体见表2。
表2国内高纯试剂常用规格
品级
尘埃粒径
尘埃粒子数
各金属杂质含量(非金属杂质含量)
适用于半导体IC
低尘埃
5~10μm
>2700个/100ml
-
≥5C
MOS级
≥5μm
≤2700个/100ml
≤500ppb(<
1ppb)
≥3μm(适合中小规模集成电路5μm技术用)
BV—Ⅰ级
≥2μm
≤300个/100ml
1~n×
10ppb
>2μm(属于标准电子级)(相当于ELSS级)
BV—Ⅱ级
≤200个/100ml
≥1.2μm(属于标准电子级EL级)(相当于ELSSs级)
BV—Ⅲ级
≥0.5μm
≤25个/ml
0.8~1.2μm(相当于SEMI-C7)(属于超大规模集成电路级VLSI或ULSI级)
BV—Ⅳ级
≤5个/ml
0.2~0.6μm
BV—Ⅴ级
≥0.2μm
TBD
0.09~0.2μm
有的电子化学试剂按照纯度分为EL级、UP级、UP-S级三个等级。
EL级:
金属杂质含量小于100ppb,控制1微米粒径粒子,达到SEMIC1C2标准,适合中小规模集成电路及电子元件加工工艺
UP级:
适用1微米集成电路及TFT-LCD制造工艺,金属杂质含量小于10ppb,经过0.2微米孔径过滤器过滤,控制0.5微米粒子,在100级净化环境中灌装,达到SEMIC7标准。
UP-S级:
适用0.35-0.8微米集成电路加工工艺,金属杂质含量小于1ppb,经过0.05微米孔径过滤器过滤,控制0.2微米粒子,在100级净化环境中灌装达到SEMIC8标准.
各微电子生产企业对高纯氢氟酸要求的标准不同,将其划分为四个档次:
①低档产品,用于>
1.2μmIC工艺技术的制作;
②中低档产品,适用于0.8~1.2μmIC工艺技术的制作;
③中高档产品,适用于0.2~0.6μmIC工艺技术的制作;
④高档产品,适用于0.09~0.2μm和<0.09μmIC工艺技术的制作。
目前国内能够生产SEMIC1~7级(包括MOS级及BV-Ⅰ~Ⅲ级)高纯氟化氢的企业约10家,而能生产SEMIC8~12级(大致相当于高于BV-Ⅲ级的产品)的极少。
在2010年7月举行的IntersolarNorthAmerica上,SEMI光伏标准委员会通过了八项光伏新标准,其中有PV11-1110——氢氟酸规范/光伏应用。
2012年度全国半导体设备和材料标准化技术委员会(TC203)会议,国家光伏质检中心将参与《光伏电池用电子级氢氟酸》等国家标准的制修订。
3超净氢氟酸下游行业形势分析
3.1光伏产业(光伏电池制造)
3.1.1全球光伏装机状况分析
据最新统计数据显示,2011年27.7GW的全球光伏发电装机,较2010年新增光伏装机量增长了约67%,也远高于2011年初市场一致预期的22GW,光伏市场再度成为2011年可再生能源中的”亮点”。
截至2011年底,全球累计光伏装机量达到67.4GW,是仅次于生物质能和风电的第三大可再生能源。
传统欧洲市场仍然是2011年全球光伏发电装机市场增长的主要动力:
2011年欧洲地区21GW的光伏发电装机量占到了全球总装机的约75%,其中德国和意大利光伏装机为16.5GW,占全球光伏装机量的近60%。
值得注意的是,在经历了前三季度的低迷后,第四季度成为2011年全球光伏装机强劲增长的动力来源,包括德国在内的数个市场在四季度出现了抢装潮。
与此同时,2011年非欧洲市场也出现了较大幅度的增长,例如中国、美国以及日本光伏装机均超过了1GW。
OFweek行业研究中心认为,目前光伏产业链的利润已经被严重压缩,光伏产品价格继续大幅下降空间有限,2012年全球光伏行业产能过剩问题将继续存在。
首先,在政策制约下,2012年包括德国、意大利等传统市场很难再现大幅增长。
其次,包括中国、印度在内的新兴市场尚未建立起可持续发展机制。
此外,虽然存在大量的其它有潜力新市场,但市场开发还尚需要一个过程。
预计2012年全球光伏装机容量小幅增长至28GW,欧洲装机容量则降至12GW左右,占全球市场的比例会降至43%左右。
对于未来光伏产业的发展方向着重以下三点:
其一,大规模光伏制造国需要激活其国内市场,在本地消化更多的产能;
其二,由于大部分大陆光伏发展的无穷潜力还未得到开发,在未来十年需要开发新的市场来推动光伏产业发展;
其三,在未来需要更加注重开放市场和公平竞争原则。
2011年中国的上网电价补贴政策开启了国内光伏市场的新局面,仅仅是青海省就安装了将近1GW的地面型项目。
据最新统计数据显示,中国2011年新增太阳能发电装机容量约2000MW,新增量位居世界第三,占全球太阳能发电新增装机的7%。
3.1.2全球光伏装机分布情况
据最新统计显示,意大利,德国,中国,美国,法国和日本在2011年安装量超过1GW,占比达到82.10%。
2011年全球累计安装量达67GW,较2010年底的40GW增长70%。
目前中国市场成长显著,中国光伏组件生产商,大力发展国内市场业务,以支持自身的产能增长。
2011年中国新增安装量至少2GW,美国1.6GW,日本1GW,澳大利亚700MW,印度300MW。
此外,非洲、中东、东南亚和南美洲地区也积极开展光伏市场。
3.1.3光伏产品价格走势分析
光伏产品价格持续下降,从2011年以来,太阳能硅片的下滑程度已达70%。
而随着硅片价格以比多晶硅还快的速度持续走低,光伏组件商开始以采购代替制造,最终结果是低成本的硅片制造商从中获利。
据最新的统计显示,光伏产品价格在2011年大幅下降,预计2012年将延续这一趋势。
其中,太阳能硅片的价格在过去12个月中大幅下滑70%,从2011年一季度的1美元/瓦,下降到2012年一季度的0.3美元/瓦。
另外,多晶硅、电池和组件的价格较2011年同期分别下降48%、57%和44%。
巨大的价格压力和光伏产业的市场竞争迫使供应商努力降低成本。
中国大的组件供应商在2010年到2011年时曾谋求100%的产业链垂直整合,并快速扩大内部硅片产能。
然而随着硅片价格以比多晶硅还快的速度持续走低,组件商开始发现硅片的市场采购价已经低于其内部制造成本,于是这些厂商纷纷降低内部硅片生产量。
据悉,全球太阳能硅片的产能在2011年提高50%,达到50GW。
然而去年市场需求仅增长35%,为26.9GW。
由此造成近一半产能过剩。
调查报告还指出,通过对2012年市场走势的宏观把握,硅片产能仍将继续扩大,但增速会较最近几年明显放缓。
与此同时,由于产能持续过剩,硅片价格也将继续走低。
3.1.4中国光伏形势补充
2011年随着国家光伏上网电价的落实和太阳能光伏产业发展“十二五”规划相继颁布实施,中国光伏产业规模逐步增大,国际化程度愈加增强,但产业发展也面临着供需失衡严重、企业利润空间不断受到挤压、行业竞争愈加激烈、外加美国“双反”贸易调查、行业整合不可避免等不利局面。
2011年是“十二五”开局之年,也是中国光伏产业发展中极不平凡的一年,在经历了“十一五”末期的高速发展之后,产业发展开始步入调整期。
大起大落的发展景象也引起了各级政府的高度关注,诸如国家1.15元/度的上网政策出台、《可再生能源发展“十二五”规划》、《太阳能光伏产业发展“十二五”规划》和《太阳能发电“十二五”规划》等的颁布实施,为产业后续发展奠定了坚实的基础。
2012年光伏产业将面临复杂多变的国内外形势,既有光伏发电成本快速下降,新兴光伏市场快速崛起等有利发展趋势,又有供需严重失衡,欧美国家“反倾销反补贴”大棒威胁等不利因素。
2012年中
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